ZHCSY15 March   2025 TPS61381-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 时序特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 VCC 电源和 UVLO 逻辑
      2. 6.3.2 启用或关断
      3. 6.3.3 器件工作模式和控制逻辑
      4. 6.3.4 配置为状态指示器
      5. 6.3.5 热关断
    4. 6.4 充电器功能说明
      1. 6.4.1 充电器启用
      2. 6.4.2 LDO 充电器
      3. 6.4.3 镍氢电池充电曲线
      4. 6.4.4 锂电池充电曲线
      5. 6.4.5 超级电容器充电曲线
      6. 6.4.6 电池冷热温度(TS 引脚)
      7. 6.4.7 充电器保护和故障状态指示
    5. 6.5 升压功能说明
      1. 6.5.1 启用和启动
        1. 6.5.1.1 自动切换到升压模式
        2. 6.5.1.2 手动切换到升压模式
      2. 6.5.2 向下计数模式
      3. 6.5.3 输出接地短路保护
      4. 6.5.4 升压控制环路
      5. 6.5.5 电流值运行
      6. 6.5.6 轻负载状态下的功能模式
        1. 6.5.6.1 自动 PFM 模式
        2. 6.5.6.2 强制 PWM 模式
      7. 6.5.7 占空比限制
      8. 6.5.8 BUB 电压环路
      9. 6.5.9 展频
    6. 6.6 电池运行状态 (SOH) 检测功能说明
      1. 6.6.1 SOH 模式运行
      2. 6.6.2 AVI 引脚中的多信号输出
      3. 6.6.3 计算 BUB 的阻抗
    7. 6.7 I2C 串行接口
      1. 6.7.1 数据有效性
      2. 6.7.2 启动条件和停止条件
      3. 6.7.3 字节格式
      4. 6.7.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
      5. 6.7.5 从器件地址和数据方向位
      6. 6.7.6 单独读取和写入
      7. 6.7.7 多重读取和多重写入
  8. 寄存器映射
    1. 7.1  寄存器 00H:CHIP_ID
    2. 7.2  寄存器 01H:BOOST_SET1
    3. 7.3  寄存器 02H:BOOST_SET2
    4. 7.4  寄存器 03H:BOOST_SET3
    5. 7.5  寄存器 04H:CHGR_SET1
    6. 7.6  寄存器 05H:CHGR_SET2
    7. 7.7  寄存器 06H:CHGR_SET3
    8. 7.8  寄存器 07H:CHGR_SET4
    9. 7.9  寄存器 08H:CHGR_STATUS
    10. 7.10 寄存器 09H:SOH_SET1
    11. 7.11 寄存器 0AH:SOH_SET2
    12. 7.12 寄存器 0BH:CONTROL_STATUS
    13. 7.13 寄存器 0CH: FAULT_CONDITION
    14. 7.14 寄存器 0DH:STATUS_PIN_SET
    15. 7.15 寄存器 0EH:SW_RST
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 选择外部 MOSFET
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 备用电池侧的电容
        4. 8.2.2.4 选择输出电容器
        5. 8.2.2.5 环路稳定性与补偿设计
          1. 8.2.2.5.1 微小信号分析
          2. 8.2.2.5.2 环路补偿设计
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

布局指南

任何直流/直流转换器的 PCB 布局对于实现设计的出色性能而言都至关重要。PCB 布局不良会生成额外噪声,因此会破坏原本良好的原理图设计的运行。即使转换器在一些初步测试中正确调节,不良的 PCB 布局仍然会影响可靠性并增加大规模生产的风险。此外,稳压器的 EMI 性能在很大程度上取决于 PCB 布局。

在升压转换器中,对 EMI 最关键的 PCB 功能是由输出电容器和低侧 MOSFET 接地形成的环路。该环路承载具有高 di/dt 的不连续电流,这会在布局寄生电感上产生高电压峰值。过高的瞬态电压会破坏转换器的正常运行,影响 EMI,甚至损坏 MOSFET。为降低布局中的寄生电感,需要将陶瓷 Cout 放置在尽可能靠近 Vout 引脚(在 1mm 以内)的位置,且低侧 MOSFET Q1 应尽可能靠近 SW 引脚放置。TI 还建议将较小的 Cout(100nF-1uF,0603 封装)靠近 Vout 引脚,以滤除高频噪声。避免通过过孔连接这个较小的 Cout。

除 Cout 环路外,GND 连接对于避免开关噪声形式影响 IC 也非常重要。如果 AGND 未正确连接,则存在 IC 内部电路失控甚至损坏的风险。确保 AGND 与 PGND 分开,并将 VCC、COMP、AGND 引脚、散热焊盘连接到 AGND。AGND 需要通过单点(网络连接、0Ω 电阻器或 10-20mil 宽度的迹线)连接到 PGND。网络连接应在低侧 MOSFET 源 (PGND) 和 VCC 电容器的 AGND 焊盘之间由单独短布线连接。有关 GND 连接的详细布线示例,请参阅 节 8.4.2

将 VCC 电容器靠近 VCC 引脚和 AGND 引脚放置:必须使用短而宽的布线将该电容器连接到 VCC 引脚和 AGND 引脚。

使 PCB 的第 2 层成为接地平面:该层充当噪声屏蔽层和散热路径。使用第 2 层作为 GND 平面可减小 Cout 环路的封闭面积并降低寄生电感。

为 IL、SW、VOUT 和 PGND(低侧 MOSFET 源)提供宽多边形覆铜:这些路径必须尽可能宽和直,以减少转换器输入或输出路径上的任何压降,从而最大限度地提高效率。

提供足够大的覆铜平面,以实现适当的散热:考虑到重负载和高温,必须使用足够大的铜面积来确保实现低 RθJA。在 PCB 顶层和底层应用至少 4 层电路板并覆有 2 盎司铜。如果 PCB 设计使用多个铜层(建议),则散热过孔也可以连接到内层散热接地平面。请注意,该器件的封装通过所有引脚进行散热。除为避免噪声而需要尽可能减小面积之外,所有引脚都可以使用宽布线