ZHCSXY0A March   2025  – December 2025 TPS65214

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  系统控制阈值
    6. 6.6  BUCK1、BUCK2、BUCK3 转换器
    7. 6.7  通用 LDO(LDO1、LDO2)
    8. 6.8  GPIO 和多功能引脚(EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO/nWAKEUP、GPIO/VSEL、MODE/STBY)
    9. 6.9  电压和温度监测器
    10. 6.10 I2C 接口
    11. 6.11 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电时序
      2. 7.3.2  下电时序
      3. 7.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 7.3.4  通过 I2C 命令发出的关断请求
      5. 7.3.5  首次电源检测 (FSD)
      6. 7.3.6  具有自动上电功能时的输入电压压摆率
      7. 7.3.7  降压转换器(Buck1、Buck2 和 Buck3)
      8. 7.3.8  线性稳压器(LDO1 和 LDO2)
      9. 7.3.9  复位到 SoC (nRSTOUT)
      10. 7.3.10 中断引脚 (nINT)
      11. 7.3.11 PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      12. 7.3.12 通用输入/输出和电压选择引脚 (GPIO/VSEL)
      13. 7.3.13 通用输出和 nWAKEUP (GPO/nWAKEUP)
      14. 7.3.14 通过 I2C 命令发出 RESET 请求
      15. 7.3.15 寄存器访问控制
      16. 7.3.16 与 I2C 兼容的接口
        1. 7.3.16.1 数据有效性
        2. 7.3.16.2 启动和停止条件
        3. 7.3.16.3 传送数据
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 运行模式
        1. 7.4.1.1 关断状态
        2. 7.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 7.4.1.3 运行状态
        4. 7.4.1.4 STBY 状态
        5. 7.4.1.5 休眠状态
        6.       49
        7. 7.4.1.6 故障处理
  9. 用户寄存器
    1. 8.1 器件寄存器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 典型应用示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 应用曲线
        2. 9.2.3.2 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        3. 9.2.3.3 LDO1、LDO2 设计过程
        4. 9.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 9.2.3.5 数字信号设计过程
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

GPIO 和多功能引脚(EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO/nWAKEUP、GPIO/VSEL、MODE/STBY)

在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)。指定的电压电平以器件的 AGND 地为基准。
POS 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电气特性
9.1.1 VOL 低电平输出电压(开漏) VIO = 3.6V,IOL = 2mA,GPO/nWAKEUP,GPIO/VSEL,nRSTOUT,nINT 0.40 V
9.1.2 VIL 低电平输入电压 EN/PB、MODE/STBY 和 GPIO/VSEL,处于 INITIALIZE、ACTIVE 或 STBY 模式 0.4 V
EN/PB,处于 SLEEP 模式 0.3×VSYS V
9.1.3 VIH 高电平输入电压 EN/PB、MODE/STBY 和 GPIO/VSEL,处于 INITIALIZE、ACTIVE 或 STBY 模式 1.26 V
EN/PB,处于 SLEEP 模式 0.7×VSYS V
9.1.4 VVSENSE VSENSE 比较器阈值 (EN/PB/VSENSE) 1.08 1.20 1.32 V
9.1.5 VVSENSE_HYS VSENSE 比较器迟滞 (EN/PB/VSENSE) 8 30 55 mV
9.1.6 ILKG 输入漏电流(GPIO/VSEL、EN/PB/VSENSE、MODE/STBY) VIN = 3.3V 1.0 μA
9.1.7 CIN 内部输入引脚电容 (GPIO/VSEL、EN/PB/VSENSE、MODE/STBY) 10 pF
9.1.8 IPD 下拉电流,在施加 VSYS 后 100µs 可用 在 GPO/nWAKEUP、GPIO/VSEL、MODE/STBY、nINT、nRSTOUT 引脚上 18 25 35 nA
9.1.9 ILKG_VSYS_ONLY 当 VSYS 存在但数字电源不存在时的引脚漏电流 SDA、nINT 1 μA
9.1.10 VPIN_VSYS_ONLY 当 VSYS 存在但数字电源不存在时的引脚电压 GPO、GPIO、nRSTOUT、IOL = 2mA 0.4 V
时序要求
9.2.1a tFALL 输出缓冲器下降时间(90% 至 10%) GPO/nWAKEUP,GPIO,nRSTOUT,nINT,COUT = 10pF 50 ns
9.2.1b tRISE GPIO 输出缓冲器上升时间(10% 至 90%) GPIO 5 μs
9.2.2a tPB_ON_SLOW EN/PB/VSENSE,等待时间 PB,ON 请求,慢速 PB,下降沿 540 600 660 ms
9.2.2b tPB_ON_FAST EN/PB/VSENSE,等待时间 PB,ON 请求,快速 PB,下降沿 180 200 220 ms
9.2.2c tEN_PB_WAKEUP EN/PB/VSENSE,等待时间 EN/PB,SLEEP 退出请求 PB 下降沿或者 EN 上升沿 3.5 4.0 4.5 s
9.2.3 tPB_OFF EN/PB/VSENSE,等待时间 PB,OFF 请求 PB,下降沿 7.2 8.0 8.8 s
9.2.4 tDEGL_PB_RISE EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 PB,上升沿 PB,上升沿,长按 OFF 请求成功后适用 115 200 275 ms
9.2.5 tDEGL_PB_INT EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 PB,上升沿或下降沿 PB,上升沿或下降沿 59 100 137 ms
9.2.6 tDEGL_EN_Rise_Slow EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 EN 慢速,上升 EN,上升沿 45 50 55 ms
9.2.7 tDEGL_EN_Rise_Fast EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 EN 快速,上升 EN,上升沿 60 120 185 μs
9.2.8 tDEGL_EN_Fall EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 EN,下降 EN,下降沿 50 70 93 μs
9.2.9 tDEGL_VSENSE_Rise VSENSE 上升:仅由 VSYSPOR_Rising 和 VSENSE 电压选通 VSENSE,上升沿 不适用
9.2.10 tDEGL_VSENSE_Fall EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 VSENSE,下降,与快速/慢速设置无关 VSENSE,下降沿 50 70 93 μs
9.2.11 tDEGL_EN/VSENSE_I2C I2C 触发关断后的 EN/VSENSE 下降沿抗尖峰脉冲时间 I2C 先前发出关断请求后的 EN/VSENSE 下降沿(短于 9.2.8) 12.5 25 37.5 μs
9.2.13 tDEGL_MFP 抗尖峰脉冲时间 MODE/STBY 上升沿和下降沿 90 120 150 μs
9.2.14 tDEGL_GPIO 抗尖峰脉冲时间 GPIO 上升沿和下降沿 6.6 15.6 18 μs