ZHCSXY0A March 2025 – December 2025 TPS65214
PRODUCTION DATA
| POS | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | |||||||
| 9.1.1 | VOL | 低电平输出电压(开漏) | VIO = 3.6V,IOL = 2mA,GPO/nWAKEUP,GPIO/VSEL,nRSTOUT,nINT | 0.40 | V | ||
| 9.1.2 | VIL | 低电平输入电压 | EN/PB、MODE/STBY 和 GPIO/VSEL,处于 INITIALIZE、ACTIVE 或 STBY 模式 | 0.4 | V | ||
| EN/PB,处于 SLEEP 模式 | 0.3×VSYS | V | |||||
| 9.1.3 | VIH | 高电平输入电压 | EN/PB、MODE/STBY 和 GPIO/VSEL,处于 INITIALIZE、ACTIVE 或 STBY 模式 | 1.26 | V | ||
| EN/PB,处于 SLEEP 模式 | 0.7×VSYS | V | |||||
| 9.1.4 | VVSENSE | VSENSE 比较器阈值 (EN/PB/VSENSE) | 1.08 | 1.20 | 1.32 | V | |
| 9.1.5 | VVSENSE_HYS | VSENSE 比较器迟滞 (EN/PB/VSENSE) | 8 | 30 | 55 | mV | |
| 9.1.6 | ILKG | 输入漏电流(GPIO/VSEL、EN/PB/VSENSE、MODE/STBY) | VIN = 3.3V | 1.0 | μA | ||
| 9.1.7 | CIN | 内部输入引脚电容 (GPIO/VSEL、EN/PB/VSENSE、MODE/STBY) | 10 | pF | |||
| 9.1.8 | IPD | 下拉电流,在施加 VSYS 后 100µs 可用 | 在 GPO/nWAKEUP、GPIO/VSEL、MODE/STBY、nINT、nRSTOUT 引脚上 | 18 | 25 | 35 | nA |
| 9.1.9 | ILKG_VSYS_ONLY | 当 VSYS 存在但数字电源不存在时的引脚漏电流 | SDA、nINT | 1 | μA | ||
| 9.1.10 | VPIN_VSYS_ONLY | 当 VSYS 存在但数字电源不存在时的引脚电压 | GPO、GPIO、nRSTOUT、IOL = 2mA | 0.4 | V | ||
| 时序要求 | |||||||
| 9.2.1a | tFALL | 输出缓冲器下降时间(90% 至 10%) | GPO/nWAKEUP,GPIO,nRSTOUT,nINT,COUT = 10pF | 50 | ns | ||
| 9.2.1b | tRISE | GPIO 输出缓冲器上升时间(10% 至 90%) | GPIO | 5 | μs | ||
| 9.2.2a | tPB_ON_SLOW | EN/PB/VSENSE,等待时间 PB,ON 请求,慢速 | PB,下降沿 | 540 | 600 | 660 | ms |
| 9.2.2b | tPB_ON_FAST | EN/PB/VSENSE,等待时间 PB,ON 请求,快速 | PB,下降沿 | 180 | 200 | 220 | ms |
| 9.2.2c | tEN_PB_WAKEUP | EN/PB/VSENSE,等待时间 EN/PB,SLEEP 退出请求 | PB 下降沿或者 EN 上升沿 | 3.5 | 4.0 | 4.5 | s |
| 9.2.3 | tPB_OFF | EN/PB/VSENSE,等待时间 PB,OFF 请求 | PB,下降沿 | 7.2 | 8.0 | 8.8 | s |
| 9.2.4 | tDEGL_PB_RISE | EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 PB,上升沿 | PB,上升沿,长按 OFF 请求成功后适用 | 115 | 200 | 275 | ms |
| 9.2.5 | tDEGL_PB_INT | EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 PB,上升沿或下降沿 | PB,上升沿或下降沿 | 59 | 100 | 137 | ms |
| 9.2.6 | tDEGL_EN_Rise_Slow | EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 EN 慢速,上升 | EN,上升沿 | 45 | 50 | 55 | ms |
| 9.2.7 | tDEGL_EN_Rise_Fast | EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 EN 快速,上升 | EN,上升沿 | 60 | 120 | 185 | μs |
| 9.2.8 | tDEGL_EN_Fall | EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 EN,下降 | EN,下降沿 | 50 | 70 | 93 | μs |
| 9.2.9 | tDEGL_VSENSE_Rise | VSENSE 上升:仅由 VSYSPOR_Rising 和 VSENSE 电压选通 | VSENSE,上升沿 | 不适用 | |||
| 9.2.10 | tDEGL_VSENSE_Fall | EN/PB/VSENSE,抗尖峰脉冲时间 VSENSE,下降,与快速/慢速设置无关 | VSENSE,下降沿 | 50 | 70 | 93 | μs |
| 9.2.11 | tDEGL_EN/VSENSE_I2C | I2C 触发关断后的 EN/VSENSE 下降沿抗尖峰脉冲时间 | I2C 先前发出关断请求后的 EN/VSENSE 下降沿(短于 9.2.8) | 12.5 | 25 | 37.5 | μs |
| 9.2.13 | tDEGL_MFP | 抗尖峰脉冲时间 MODE/STBY | 上升沿和下降沿 | 90 | 120 | 150 | μs |
| 9.2.14 | tDEGL_GPIO | 抗尖峰脉冲时间 GPIO | 上升沿和下降沿 | 6.6 | 15.6 | 18 | μs |