ZHCSXY0A March   2025  – December 2025 TPS65214

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  系统控制阈值
    6. 6.6  BUCK1、BUCK2、BUCK3 转换器
    7. 6.7  通用 LDO（LDO1、LDO2）
    8. 6.8  GPIO 和多功能引脚（EN/PB/VSENSE、nRSTOUT、nINT、GPO/nWAKEUP、GPIO/VSEL、MODE/STBY）
    9. 6.9  电压和温度监测器
    10. 6.10 I2C 接口
    11. 6.11 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电时序
      2. 7.3.2  下电时序
      3. 7.3.3  按钮和使能输入 (EN/PB/VSENSE)
      4. 7.3.4  通过 I2C 命令发出的关断请求
      5. 7.3.5  首次电源检测 (FSD)
      6. 7.3.6  具有自动上电功能时的输入电压压摆率
      7. 7.3.7  降压转换器（Buck1、Buck2 和 Buck3）
      8. 7.3.8  线性稳压器（LDO1 和 LDO2）
      9. 7.3.9  复位到 SoC (nRSTOUT)
      10. 7.3.10 中断引脚 (nINT)
      11. 7.3.11 PWM/PFM 和低功耗模式 (MODE/STBY)
      12. 7.3.12 通用输入/输出和电压选择引脚 (GPIO/VSEL)
      13. 7.3.13 通用输出和 nWAKEUP (GPO/nWAKEUP)
      14. 7.3.14 通过 I2C 命令发出 RESET 请求
      15. 7.3.15 寄存器访问控制
      16. 7.3.16 与 I2C 兼容的接口
        1. 7.3.16.1 数据有效性
        2. 7.3.16.2 启动和停止条件
        3. 7.3.16.3 传送数据
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 运行模式
        1. 7.4.1.1 关断状态
        2. 7.4.1.2 INITIALIZE 状态
        3. 7.4.1.3 运行状态
        4. 7.4.1.4 STBY 状态
        5. 7.4.1.5 休眠状态
        6.       49
        7. 7.4.1.6 故障处理
  9. 8 用户寄存器
    1. 8.1 器件寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 典型应用示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 应用曲线
        2. 9.2.3.2 Buck1、Buck2、Buck3 设计过程
        3. 9.2.3.3 LDO1、LDO2 设计过程
        4. 9.2.3.4 VSYS、VDD1P8
        5. 9.2.3.5 数字信号设计过程
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.4 热性能信息

热指标(1) TPS65214 单位
VAF (QFN)
24 引脚，3.5x3.5mm2
RΘJA 结至环境热阻 45.5 °C/W
RΘJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 30.0 °C/W
RΘJB 结至电路板热阻 14.2 °C/W
ΨJT 结至顶部特征参数 0.8 °C/W
ΨJB 结至电路板特征参数 14.1 °C/W
RΘJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 22.9 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅“半导体和 IC 封装热指标”应用报告 (SPRA953)。