ZHCSVB8A March   2025  – October 2025 TPS482H85-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SNS 时序特性
    7. 6.7 Switching Characteristics_24V
    8. 6.8 Switching Characteristics_48V
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 引脚电流和电压约定
      2. 7.3.2 精确的电流检测
      3. 7.3.3 可调节限流
      4. 7.3.4 电感负载关断钳位
      5. 7.3.5 故障检测和报告
        1. 7.3.5.1 诊断使能功能
        2. 7.3.5.2 电流检测的多路复用
        3. 7.3.5.3 FLT 报告
        4. 7.3.5.4 故障表
      6. 7.3.6 全面诊断
        1. 7.3.6.1 接地短路和过载检测
        2. 7.3.6.2 开路负载检测
          1. 7.3.6.2.1 通道导通
          2. 7.3.6.2.2 通道关断
        3. 7.3.6.3 电池短路检测
        4. 7.3.6.4 反极性和电池反向保护
        5. 7.3.6.5 热故障检测
          1. 7.3.6.5.1 热保护行为
      7. 7.3.7 全面保护
        1. 7.3.7.1 UVLO 保护
        2. 7.3.7.2 接地失效保护
        3. 7.3.7.3 电源失效保护
        4. 7.3.7.4 VDD 丢失
        5. 7.3.7.5 反向电流保护
        6. 7.3.7.6 MCU I/O 保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 无接地网络
        2. 8.4.2.2 有接地网络
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

6.7 Switching Characteristics_24V

VBB = 24V，TJ = –40°C 至 +150°C（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tDR 通道导通延迟时间（从待机状态） RL = 20Ω（EN 的 50% 至 VOUT 的 20%） 100 µs
tDR 通道导通延迟时间（从运行状态） RL = 20Ω（EN 的 50% 至 VOUT 的 20%） 50 µs
tDF 通道关断延迟时间 RL = 20Ω（EN 的 50% 至 VOUT 的 80%） 50 µs
SRR VOUT 上升转换率 VOUT 的 20% 至 80%，RL = 20Ω 0.2 0.7 V/µs
SRF VOUT 下降压摆率 VOUT 的 80% 至 20%，RL = 20Ω 0.25 0.7 V/µs
fPWM PWM 频率 1 kHz
tON 通道导通时间 RL = 20Ω（EN 的 50% 至 VOUT 的 80%） 140 µs
tOFF 通道关断时间 RL = 20Ω（EN 的 50% 至 VOUT 的 20%） 86 µs
tON – tOFF  导通和关断匹配 1-ms 使能脉冲，运行状态下 RL = 20Ω，DIAG_EN 高 -15 20 µs
200µs 使能脉冲，运行状态下 RL = 20Ω，DIAG_EN 高 -30 30 µs
EON 导通期间的开关能量损耗 RL = 50Ω  0.15 mJ
EOFF 关断期间的开关能量损耗 RL = 50Ω  0.15 mJ