ZHCSTR8 June   2025 TPSI2260-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     7
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 设计过程 - 底盘接地参考
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

6.9 电气特性

除非另有说明，否则所有最小/最大规格都在建议运行条件下测得。所有典型值都在 TJ = 25°C、VVDD = 5V、VEN = 5V 的条件下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
初级侧电源电压 (VDD)
VUVLO VDD 欠压阈值 VDD 上升

 4.1 4.3 4.5 V
VDD 下降 4.0 4.2 4.4 V
迟滞 40 100 150 mV
IVDD_ON VDD 电流，器件上电  VEN = 5V TJ = 25°C 5 11 mA
 VEN = 5V–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 5 12 mA
IVDD_OFF VDD 电流，5V，器件断电 VVDD = 5V，VEN = 0V TJ = 25°C 4 8 µA
VVDD = 5V，VEN = 0V TJ = 105°C 6.3 11 µA
VVDD = 5V，VEN = 0V TJ = 125°C 7.6 16 µA
VVDD = 5V，VEN = 0V –40°C ≤ TJ ≤ 150°C 30 µA
VDD 电流，20V，器件断电 VVDD = 20V，VEN = 0V TJ = 25°C 9.2 10.5 µA
VVDD = 20V，VEN = 0V TJ = 105°C 13 17
VVDD = 20V，VEN = 0V TJ = 125°C 15 25
VVDD = 20V，VEN = 0V –40°C ≤ TJ ≤ 150°C 40
FET 特性（S1、S2）
RDSON 导通电阻 IO = 2mA，TJ = 25°C 65 88 Ω
IO = 2mA，TJ = 85°C 88 120
IO = 2mA，TJ = 105°C 96 125
IO = 2mA，TJ = 125°C 105 140
IO = 2mA，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 150
IOFF 关断泄漏，600V V = +/–600V，TJ = 25°C 0.058 0.25 µA
V = +/–600V，TJ = 85°C 0.5
V = +/–600V，TJ = 105°C 1.5
V = +/–600V，TJ = 125°C 6
V = +/–600V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 50
关断泄漏，500V V = +/–500V，TJ = 25°C 0.055 0.25 µA
V = +/–500V，TJ = 85°C 0.43
V = +/–500V，TJ = 105°C 1.22
V = +/–500V，TJ = 125°C 5.75
V = +/–500V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C 44
VAVA 雪崩电压 IO = 10µA，TJ = 25°C 650 770 V
IO = 100µA，TJ = 150°C 650 770
COSS S1、S2 电容 VS1,S2 = 0V，SM 悬空，F = 1MHz 188 pF
TTAP1
热雪崩保护阈值
 		 置为有效 155 C
TTAP_END
热雪崩保护阈值
 		 置为无效 85 125 C
逻辑电平输入 (EN
VIL 输入逻辑低电平电压 0.0 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 2.1 20.0 V
VHYS 输入逻辑迟滞 100 250 300 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VEN = 0V -0.1 0.1 µA
VEN = 0.8V 0.1 0.68 1.8 µA
IIH 输入逻辑高电流 VEN = 10V 6.0 13.5 30 µA
IIH 输入逻辑高电流 VEN = 5V 1.5 4.5 12 µA
VEN = 20V 15 32 65 µA
IVDD_FS VDD 失效防护电流 VEN = 20V，VVDD = 0V -0.1 0 0.1 µA
RPD 智能下拉电阻 两点测量，VEN = 0.5V 且 VEN = 0.8V 550 1180 2100 kΩ
噪声抗扰度
CMTI 共模瞬态抗扰度 |VCM| = 500V 100 V/ns