ZHCSTR8 June   2025 TPSI2260-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     7
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 设计过程 - 底盘接地参考
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

1 特性

  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，TA
  • 低 EMI：
    • 符合 CISPR25 5 类性能要求，无需额外组件
  • 集成雪崩额定 MOSFET
    • 针对电介质耐压测试 (Hi-Pot) 可靠性进行设计和认证
      • TPSI2260-Q1：IAVA =1mA（60s 脉冲）
      • TPSI2260T-Q1：IAVA = 3mA（60s 脉冲）
    • 600V 关断电压
    • RON = 65Ω (TJ = 25°C)
    • 500V 时的 IOFF = 1.22μA (TJ = 105°C)
  • 低初级侧电源电流
    • 9mA 导通状态电流
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1000VRMS / 1500VDC 工作电压下预计寿命超过 38 年
    • 增强隔离额定值 VISO 高达 5000VRMS
  • SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
    • 爬电距离和间隙≥ 6mm（开关端子之间）
  • 安全相关认证
    • （计划）DIN VDE V 0884-17:2021-10
    • （计划）UL 1577 组件认证计划