ZHCSTR8 June   2025 TPSI2260-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     7
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 设计过程 - 底盘接地参考
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

8.1 概述

TPSI2260-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TI 具有高可靠性的电容隔离技术和背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。

正如功能方框图 所示，初级侧包含一个驱动器，为次级侧的每个内部 MOSFET 提供电力和使能逻辑信息。板载振荡器控制驱动器工作的频率，展频调制 (SSM) 控制器改变驱动器频率以提高系统 EMI 性能。当使能引脚变为高电平，并且 VDD 电压高于 UVLO 阈值时，振荡器启动并且驱动器跨隔离栅输送电力和逻辑高电平。当使能引脚变为低电平，或者 VDD 电压降至 UVLO 阈值以下时，驱动器会被禁用。闲置时会向次级侧发送逻辑低电平，并且 MOSFET 会被禁用。

次级侧的每个 MOSFET 都有专用的全桥整流器来形成本地电源和接收器。接收器通过电容式隔离栅确定从初级侧传送的逻辑状态，并使用压摆率受控的驱动器驱动 MOSFET 的栅极。每个接收器对跨隔离栅接收的信号进行信号调节，以便过滤共模干扰，并确保根据初级侧驱动器和系统发送的逻辑来控制 MOSFET。

TPSI2260-Q1 不仅具有雪崩性能稳健的 MOSFET，而且其采用的 11 引脚 DWQ 封装上的加宽引脚易于散热，因此可通过电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部保护元件即可承受高达 5mA 的直流快速充电器浪涌电流。TPSI2260T-Q1 版本的器件中包含的热雪崩保护 (TAP) 特性通过监测结温并使 MOSFET 将温度保持在安全工作范围内，进一步提高了雪崩电流能力。