ZHCSTR8 June   2025 TPSI2260-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     7
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 设计过程 - 底盘接地参考
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)

TPSI2260-Q1 专为支持电介质耐受测试而设计。在高压系统中，电介质耐受测试 (HiPot) 可在系统的表征、生产或维护期间进行，以验证其包含的绝缘屏障和电隔离域的可靠性。这些耐压测试会有意地对涵盖这些域的元件施加压力，使它们处于过压状态。处于这些过压状态的 MOSFET 将进入雪崩模式，然后开始在高压下传导电流，同时消耗高功率并升温。TPSI2260-Q1 的设计和鉴定在此状态下完成，为 60 秒时间间隔支持高达 1mA IAVA。

应根据测试持续时间，选择电介质耐压测试电压 (VHiPot)、TPSI2260-Q1 的雪崩电压 (VAVA) 和与 TPSI2260-Q1 串联的电阻 R，将雪崩电流 (IAVA) 限制在相应的电流限值。此外，PCB 设计应遵循布局指南部分中的建议，以确保足够的热性能，使结温 (TJ) 低于 TPSI2260-Q1 的绝对最大额定值。