ZHCSTR8 June   2025 TPSI2260-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     7
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 设计过程 - 底盘接地参考
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

8.3.1 雪崩稳健性

当 S1 和 S2引脚之间的电压超过 +/-600V 时，次级侧 MOSFET 可进入雪崩运行模式。MOSFET 和 11 DWQ 封装经过设计和认证，在这种运行模式下具有稳健性，可支持电介质耐受测试 (HiPot)。为帮助确保系统在此工作模式下的热性能，请参阅 PCB 布局指南。