ZHCSTR8 June   2025 TPSI2260-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     7
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 开关特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 雪崩稳健性
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 电介质耐受测试 (HiPot)
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 设计过程 - 底盘接地参考
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息

9.4.1 布局指南

组件放置：

用于初级侧 VDD 电源的去耦电容器必须尽可能靠近器件引脚放置。

EMI 注意事项：

TPSI2260-Q1 采用展频调制 (SSM)，不需要考虑额外的系统设计注意事项即可满足 EMI 性能需求。

高电压注意事项：

应根据系统要求，保持 TPSI2260-Q1 从初级侧到次级侧的爬电距离和从 S1 引脚到 S2 引脚的爬电距离。系统设计人员很可能会避免在封装主体下方或 S1、SM 和 S2 引脚之间进行任何顶层 PCB 布线。