ZHCSSS3A March 2025 – September 2025 TPS7H5020-SEP , TPS7H5020-SP
PRODMIX
在选择 CS_ILIM 和 GND 之间所连接的电流感应电阻器时，需要留意一些注意事项和权衡。通常，电阻器的选择应确保转换器在达到设定的最大电流时进入逐周期限制模式。例如，如果选择感应电阻器使得过流保护在最大负载电流的 125% 时激活，则在此特定设计中，这相当于 5A。使用方程式 49 时，相应的峰值初级电流约为 4.1A。可根据以下公式得到 RCS 的相应值，其中 VCS_ILIM 是控制器的电流限制阈值：
建议用户注意的是，如果感应电阻器连接在初级 FET 源极和接地端之间，则感应电阻器两端的电压可以从施加到 FET 的总栅极-源极电压中减去。当驱动器也以接地端为基准而不是以 FET 的源极为基准时，就会出现这种情况。因此，在驱动 GaN FET 时，用户必须注意感应电阻器上的压降。在 PVIN 连接到 VLDO 的情况下，当使用控制器驱动 GaN 器件时，可编程 VLDO 输出可设置为更高的电压，从而使施加到 FET 的 VGS 更大，以补偿感应电阻器电压。如果过流风险较低，则也可以减小感应电阻器的阻值，以尽可能地减小 RCS 电压。在此设计中，所选的感应电阻器为 100mΩ。这对应于初级 GaN FET 中约 10A 的 ILIM 值。
尽管控制器确实具有前沿消隐功能，可降低由于 FET 导通时的噪声尖峰而导致 PWM 或电流运行错误的可能性，但仍需要一个低通 RC 滤波器来进一步去除检测到的电流信号中的噪声。建议滤波器的截止频率至少比所选的开关频率高十倍。