ZHCSOL1 December 2025 ADS125H18
PRODUCTION DATA
良好的电源去耦对于实现卓越器件性能至关重要。如图 8-13 所示,必须使用连接到 GND 且至少为 1μF 的电容器对 AVDD、IOVDD 和 CAPD 进行去耦。此外,必须使用连接到 AVSS 的 1μF 电容器将 AVDD、CAPA、REFOUT 和 REFP 旁路掉。使用低阻抗接头将电源旁路电容器放置在尽可能靠近器件电源引脚的位置。使用多层陶瓷贴片电容 (MLCC) 提供等效串联电阻 (ESR) 和电感 (ESL) 特性,从而实现电源去耦。对于敏感度较高或在恶劣噪声环境中使用的系统,避免使用过孔将电容与器件引脚相连,以获得出色的噪声抗扰度。并行使用多个过孔可降低总电感值并且有利于与接地层相连。