需要一个额外的输入电容器 C_BYP 作为该器件的旁路电容器以确保稳定性。该电容器是对输入电容器 C_IN 的补充，连接在 V_IN 和接地之间（请参阅图 1-2）。旁路电容器和输入电容器的建议最小值为 4.7μF。不良效果在于，C_BYP 电容器提供了从 V_IN 到 V _OUT 的交流路径，并在 GND 的基础上与 C_OUT 一起构建了一个电容分压器。在将 V_IN 施加到电路的瞬间，电容分压器会将 V_OUT 上拉至 GND 以上，导致负电源轨发生正预偏置。这也意味着 IC GND 引脚（连接到 V_OUT）也会发生正预偏置，这会将 SW 引脚和 VOS 引脚拉至低于比 IC 接地低 0.3V 以上，导致违反绝对最大额定值。这种情况会损坏器件，因此不建议这样做。因此，输出端应安装一个肖特基二极管 (D1)，如 图 2-1 所述。需要进行启动测试，以验证在施加 V_IN 后，VOS 引脚的驱动电压不会低于 IC 接地 0.3V 以上。

图 2-1 具有肖特基二极管的反相降压/升压拓扑

通过 C_BYP 的交流路径也会使线路瞬态响应恶化。如果预计出现强线路瞬变，则会增大输出电容，以在线路瞬变期间将输出电压保持在可接受的水平内。

TPS6284x 可以在没有旁路电容器和肖特基二极管的情况下运行，但必须注意验证单个应用中的稳定性并检查 SW 和 VOS 引脚信号在启动期间不会违反建议的工作条件。