ZHCAEI9 September 2024 MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1
如表 2-1 所示,当 VDD 大于 VBAT 时,简单充电电路可以通过主 VDD 电源在 VBAT 上为超级电容器提供限流充电,同时在 VBAT 为 0V 时还允许 VBAT 从时间零点启动。当设置了 SYSTEMCFG 寄存器中的 SUPERCAPEN 位后,需要通过软件启用充电电路。确保设置了 SYSSTATUS 寄存器中的 VBATGOOD 位,仅当 VBAT 电源域有效时才会设置该位。
| 参数 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDD | 典型值 | 3.3 | V |
|
RSWITCH |
典型值 |
1400 |
Ω |
|
RSWITCH |
最大值 |
2700 |
Ω |
|
CSCAP |
典型值 |
0.33 |
F |
|
VBAT |
最小值 |
1.62 |
V |
| 最大 ICHARGE(最小 REXT) | |||
| 参数 | 值 | 单位 | |
|
REXT |
3300 |
Ω |
|
| ICHARGE(T0, MAX) |
1.6 |
mA |
|
| 充电时间 | |||
| 参数 | 值 | 单位 | |
| Tau | 1980 | s | |
| 完全充电时间 (5T) | 9900 | s | |
| 165 | 分钟 | ||
| 2.8 | 小时 | ||
| 运行时 | |||
| 参数 | 值 | 单位 | |
| VRANGE (VDD-VBAT,MIN) | 1.68 | V | |
| IDIS | 1.5 | µA | |
| TDIS(放电寿命) | 369600 | s | |
| 6160 | 分钟 | ||
| 102 | 小时 | ||
| 4.2 | 天 | ||
REXT 和 RSWITCH 一起设置时间零点最大充电电流 ICHARGE(T0,MAX)。可以通过增加 REXT 来降低 ICHARGE(T0,MAX),但要牺牲充电时间,不过 REXT 必须达到 REXT(MIN) 的最小值,以确保 VBAT 引脚检测到 VBOR+;因此,备用岛在 T0 处启动,不需要等待充电。
充电由软件启用,并在 VDD 降至 VBAT 以下时自动禁用。放电寿命取决于 VBAT 烧毁 (IDIS),REXT 为最小值。