ZHCAEI9 September   2024 MSPM0L1227 , MSPM0L1227-Q1 , MSPM0L1228 , MSPM0L1228-Q1 , MSPM0L2227 , MSPM0L2227-Q1 , MSPM0L2228 , MSPM0L2228-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2低频子系统简介
    1. 2.1 使用 VBAT 对 LFSS IP 进行复位
    2. 2.2 电源域电源检测
      1. 2.2.1 启动序列
      2. 2.2.2 LFSS IP 行为
    3. 2.3 LFXT、LFOSC
    4. 2.4 独立看门狗计时器 (IWDT)
    5. 2.5 防篡改 I/O
      1. 2.5.1 IOMUX 模式
      2. 2.5.2 防篡改模式
        1. 2.5.2.1 篡改事件检测
        2. 2.5.2.2 时间戳事件输出
        3. 2.5.2.3 检测信号发生器
    6. 2.6 便笺式存储器 (SPM)
    7. 2.7 实时时钟 (RTC)
    8. 2.8 VBAT 充电模式
  6. 3应用示例
    1. 3.1 防篡改 I/O 检测信号示例
    2. 3.2 RTC 防篡改 I/O 时间戳事件示例
    3. 3.3 超级电容器充电示例
    4. 3.4 LFOSC 转换回 LFXT 的示例
    5. 3.5 RTC_A 校准
      1. 3.5.1 外设 ADC 12
      2. 3.5.2 RTC_A

2.2.2 LFSS IP 行为

由于有所需的系统级去耦电容器，VDD 的功率损耗不会瞬时发生。随着 VDD 电源电压下降并达到 BOR 电平 (1.62V)，VCORE LDO 将被禁用并会设置 VCORE_ISO 锁存器。最终，VDD 电平降至 POR 电平以下并复位 SoC 的 VDD 域。该状态由 VDD 检测电路检测，而这一电路由 VBAT 域供电。

关断模式序列不同，因为 VDD 域保持通电状态。关断模式由软件启动并存储在 VDD 域中的关断模式寄存器内。因此会禁用 LDO 并设置 VCORE_ISO 锁存器。在从关断模式唤醒时，SoC PMU 会重新启用 REF 系统、BOR 和 LDO。

VBAT 电源引脚上需要一些最小去耦电容器，主要用于抗噪和在高阻抗电源的开关活动期间提供峰值电流。由于需要去耦电容器，VBAT 电源会在斜坡期间发生损耗。由于斜坡，VBAT-BOR 电路会首先检测到 VBAT 域的损耗，然后设置 VRTC_ISO 锁存器。同时，该电路会禁用 VBAT-PMU，VRTC_ISO 隔离信号穿过 VDD 域，并隔离来自 VRTC 域的所有信号。