升压转换器的总损耗 (P_TOTAL) 可以表示为以下损耗之和：器件中的损耗 (P_IC，不包括功率 MOSFET 损耗)、MOSFET 功率损耗 (P_Q)、二极管功率损耗 (P_D)、电感器功率损耗 (P_L) 和检测电阻中的损耗（P_RS，请参阅下面的说明）。(P_IC) 和 (P_Q) 之和是转换器器件中的功率损耗，应设计在合理范围内，防止 IC 温升过大。

Equation25.

P_IC 可分为栅极驱动损耗 (P_G) 和静态电流导致的损耗 (P_IQ)。

Equation26.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

Equation27.

Equation28.

每种模式下的 I_BIAS 值可在 LM5157x 和 LM5158x 数据表中找到。

P_Q 可分为开关损耗 (P_Q(SW)) 和导通损耗 (P_Q(COND))。

Equation29.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

Equation30.

t_R 和 t_F 是集成式功率 MOSFET 的上升和下降时间。I_SUPPLY 是升压转换器的输入电源电流。

Equation31.

R_DS(ON) 是 LM5157x 和 LM5158x 数据表中给出的 MOSFET 导通电阻。考虑自热导致的 R_DS(ON) 增加。

P_D 可以分为二极管导通损耗 (P_VF) 和反向恢复损耗 (P_RR)。

Equation32.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

Equation33.

Equation34.

Q_RR 是二极管的反向恢复电荷，会在二极管数据表中指定。二极管的反向恢复特性对效率有很大影响，在高负载电压下尤其如此。

P_L 是 DCR 损耗 (P_DCR) 和交流磁芯损耗 (P_AC) 之和。DCR 是电感器数据表中提到的电感器直流电阻。

Equation35.

每种功率损耗的近似计算方法如下：

Equation36.

Equation37.

Equation38.

∆I 是峰峰值电感器电流纹波。K、α 和 β 是磁芯相关因素、可由电感器制造商提供。

由于 LM5157x 和 LM5158x 中采用了电流检测技术，因此检测电阻和功率损耗 P_RS 可以忽略不计。

电源转换器的效率可按照如下方式进行估计：

Equation39.