此器件通过内部电源路径可提供最高 60W 的 PD 功率，如果使用外部功率 FET，可支持高达 100W 的功率。遵循这些基本指导原则可避免设计问题：
- 推荐使用采用大型封装的外部 FET，以便更好地散热。在快速升温阶段，较小的 FET 会因短路而损坏。较大的 FET 散热要快得多，因此会一直受到保护。
- 为所有高电流路径（例如 VBUS、PP_HV、PP_EXT）提供宽线迹，确保 VBUS 具有低电阻路径或电源平面。
- 确保功率器件周围有足够的自由空间和铜材来促进散热。
- 应避免高电流路径中存在任何过孔，但如有必要，每 500mA 电流可提供至少一个过孔。
- 为 CC 线路提供至少 8mil 的线迹，从而支持 VCONN 电源的高电流。
- 将去耦电容靠近电源引脚放置。
- 为放置在芯片下方的接地焊盘提供至少八个过孔。这些过孔应从顶层通到底层。这些过孔可确保良好的导电性和导热性，还有助于芯片的散热。
- 对于两个分离的 FET 焊盘，在每个焊盘下方至少提供 6 个热过孔。这些过孔必须处于电气隔离 (NC) 状态。请确保这些过孔从顶层通到底层，最好进行包覆。