ZHCSXX5 February 2025 TUSB1146-Q1
PRODUCTION DATA
可能需要整合 ESD 元件以保护 TUSB1146-Q1 免受静电放电 (ESD) 的影响。TI 建议遵循 表 8-2 中列出的 ESD 保护建议。大于 表 8-2 中规定值的钳位电压可能要求在每个差分引脚上设置 RESD。将 ESD 元件布置在 USB 连接器附近。
| 参数 | 建议 |
|---|---|
| 击穿电压 | ≥ 3.5V |
| I/O 线电容 | 数据速率 ≤ 5Gbps:≤ 0.50pF |
| 数据速率 > 5Gbps:≤ 0.35pF | |
| 任何 P 和 N I/O 引脚之间的电容差值 | ≤ 0.07pF |
| 8A IPP IO 至 GND 时的钳位电压 (1) | ≤ 4.5V |
| 典型动态电阻 | ≤ 30mΩ |
| 制造商 | 器件型号 | RESD 支持 ±8kV 的 IEC 61000-4-2 接触放电 |
|---|---|---|
| Nexperia | PUSB3FR4 | 1Ω |
| Nexperia | PESD2V8Y1BSF | 1Ω |
| 德州仪器 (TI) | TPD1E04U04DPLR | 2Ω |
| 德州仪器 (TI) | TPD4E02B04DQAR | 2Ω |