ZHCSEM3F February 2016 – January 2023 TPS82130
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | |||||||
| IQ | 流入 VIN 的静态电流 | 无负载,器件未进行开关 | 20 | 35 | µA | ||
| ISD | 流入 VIN 的关断电流 | EN = 低电平 | 1.5 | 7.4 | µA | ||
| VUVLO | 欠压闭锁阈值 | VIN 下降 | 2.6 | 2.7 | 2.8 | V | |
| VIN 上升 | 2.8 | 2.9 | 3.0 | V | |||
| TJSD | 热关断阈值 | TJ 上升 | 160 | °C | |||
| TJ 下降 | 140 | °C | |||||
| 逻辑接口(EN) | |||||||
| VIH | 高电平输入电压 | 0.9 | 0.65 | V | |||
| VIL | 低电平输入电压 | 0.45 | 0.3 | V | |||
| Ilkg(EN) | 流入 EN 引脚的输入泄漏电流 | EN = 高电平 | 0.01 | 1 | µA | ||
| 控制(SS/TR、PG) | |||||||
| ISS/TR | SS/TR 引脚拉电流 | 2.1 | 2.5 | 2.8 | µA | ||
| VPG | 电源正常阈值 | VOUT 上升,以 VOUT 标称值为基准 | 92% | 95% | 99% | ||
| VOUT 下降,以 VOUT 标称值为基准 | 87% | 90% | 94% | ||||
| VPG,OL | 电源正常低电平电压 | Isink = 2 mA | 0.1 | 0.3 | V | ||
| Ilkg(PG) | 流入 PG 引脚的输入泄漏电流 | VPG = 1.8V | 1 | 400 | nA | ||
| 输出 | |||||||
| VFB | 反馈调节电压 | PWM 模式 | 785 | 800 | 815 | mV | |
| TJ = 0°C 至 85°C | 788 | 800 | 812 | ||||
| PSM | COUT = 22µF | 785 | 800 | 823 | |||
| COUT = 2 × 22µF,TJ = 0°C 至 85°C | 788 | 800 | 815 | ||||
| Ilkg(FB) | 反馈输入泄漏电流 | VFB = 0.8 V | 1 | 100 | nA | ||
| 线调节 | IOUT = 1A,VOUT = 1.8V | 0.002 | %/V | ||||
| 负载调节 | IOUT = 0.5A 至 3A,VOUT = 1.8V | 0.12 | %/A | ||||
| 电源开关 | |||||||
| RDS(on) | 高侧 FET 导通电阻 | ISW = 500mA,VIN ≥ 6V | 90 | 170 | mΩ | ||
| ISW = 500mA,VIN = 3V | 120 | ||||||
| 低侧 FET 导通电阻 | ISW = 500mA,VIN ≥ 6V | 40 | 70 | ||||
| ISW = 500mA,VIN = 3V | 50 | ||||||
| RDP | 压降电阻 | 100% 模式,VIN ≥ 6V | 125 | mΩ | |||
| 100% 模式,VIN = 3V | 160 | ||||||
| ILIMF | 高侧 FET 开关电流限制 | VIN = 6V,TA = 25°C | 3.6 | 4.2 | 4.9 | A | |
| fSW | PWM 开关频率 | IOUT = 1A,VOUT = 1.8V | 2.0 | MHz | |||