ZHCSST0C June   2024  – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 器件选项表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 质量合格检验
    8. 7.8 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输入电压
      2. 8.3.2  线性稳压器运行
      3. 8.3.3  自举运行
        1. 8.3.3.1 自举充电
        2. 8.3.3.2 自举电容器
        3. 8.3.3.3 自举二极管
        4. 8.3.3.4 自举电阻
      4. 8.3.4  高侧驱动器启动
      5. 8.3.5  输入和输出
      6. 8.3.6  死区时间
      7. 8.3.7  输入互锁保护
      8. 8.3.8  欠压锁定和电源正常 (PGOOD)
      9. 8.3.9  SW 负电压瞬变
      10. 8.3.10 电平转换器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器和旁路电容器
        2. 9.2.2.2 自举二极管
        3. 9.2.2.3 BP5x 过冲和下冲
        4. 9.2.2.4 栅极电阻器
        5. 9.2.2.5 死区时间电阻器
        6. 9.2.2.6 栅极驱动器损耗
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DCA|56
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.1 概述

TPS7H60x5 系列耐辐射保障 (RHA) 半桥栅极驱动器旨在与增强模式 GaN FET 配合使用。该系列包括 TPS7H6005（200V 驱动器）、TPS7H6015（60V 驱动器）和 TPS7H6025（22V 驱动器）。该系列中的每款驱动器均采用 56 引脚 HTSSOP 封装并且提供 QMLP 和 SEP 器件等级。这些驱动器可用在基于 GaN 的高频、高效率电源转换器设计中。每个驱动器都具有 30ns（典型值）的传播延迟和 5.5ns（典型值）的高侧至低侧延迟匹配。

驱动器中包含高侧和低侧内部线性稳压器。这些稳压器可确保栅极电压保持在 5V，以防止驱动的 GaN 器件发生任何损坏。高侧和低侧驱动器上的分离输出为用户提供了灵活性，可独立调节 GaN FET 的导通和关断时间。栅极驱动器需要外部自举二极管，因此用户能够根据应用优化二极管。驱动器包含一个与自举二极管串联的内部开关，可用于防止自举电容器过充并降低二极管中的反向恢复损耗。

栅极驱动器有两种工作模式：PWM 模式和独立输入模式 (IIM)。双模式工作允许每个栅极驱动器与许多 PWM 控制器一起使用，以实现同步整流器控制和 GaN FET 兼容性。用户还可以选择在 IIM 中启用输入互锁保护，从而在同步降压和半桥拓扑中实现防击穿保护。如果需要，也可以在 IIM 中禁用此保护，这样便可以在双开关正激式转换器和双单端应用中使用这种驱动器。