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ZHCSST0C June 2024 – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP

PRODMIX

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DCA|56

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

9.2.2.4 栅极电阻器

TPS7H6005 具有分离输出，允许电阻器在导通和关断路径中与 GaN FET 的栅极串联。这些栅极电阻器用于抑制器件栅极上由寄生电容和电感引起的振铃。栅极驱动电源环路中的高电压和电流开关也可以产生振铃和噪声。这对于绝对最大栅极电压值较低的 GaN 器件尤其重要。此外，栅极电阻器也可用于调节驱动器的驱动强度。这是通过限制驱动器的峰值电流能力来实现的。对于此设计，导通和关断栅极路径均使用 2Ω 电阻器。根据这些值，可按所示公式计算高侧峰值上拉电流：

方程式 13.

I_{O H H} = M I N (1.3 A, \frac{V_{B P 5 H}}{R_{H O H} + R_{G A T E_O N} + R_{G F E T (i n t)}})

其中：

V_BP5H 是高侧线性稳压器的输出电压
R_HOH 是内部高侧上拉电阻（根据高电平输出电压规格计算得出 1.3Ω）
R_{GATE_ON} 是导通路径中使用的栅极电阻值
R_GFET(int) 是驱动的 GaN FET 的内部栅极电阻（通常由 GaN FET 制造商提供）

请注意，如规格部分所示，驱动器能够提供的峰值拉电流约为 1.3A（典型值），因此 I_OHH 受该值的限制。在这种情况下：

方程式 14.

I_{O H H} = \frac{V_{B P 5 H}}{R_{H O H} + R_{G A T E_O N} + R_{G F E T (i n t)}} = \frac{5 V}{1.3 Ω + 2 Ω + 0.4 Ω} \approx 1.3 A

同样，对于峰值高侧灌电流：

方程式 15.

I_{O L H} = M I N (2.5 A, \frac{V_{B P 5 H}}{R_{H O L} + R_{G A T E_O F F} + R_{G F E T (i n t)}})

其中：

R_HOL 是内部高侧下拉电阻（根据低电平输出电压规格计算得出 0.7Ω）
R_{GATE_OFF} 是关断路径中使用的栅极电阻值

因此，可以如下计算峰值灌电流：

方程式 16.

I_{O L H} = \frac{V_{B P 5 H}}{R_{H O L} + R_{G A T E_O F F} + R_{G F E T (i n t)}} = \frac{5 V}{0.7 Ω + 2 Ω + 0.4 Ω} = 1.6 A

这里提供了低侧峰值拉电流和灌电流的公式，但请注意，在这种情况下，这些值与计算出的高侧值相同。

方程式 17.

I_{O H L} = M I N (1.3 A, \frac{V_{B P 5 L}}{R_{L O H} + R_{G A T E_O N} + R_{G F E T (i n t)}}) = \frac{5 V}{1.3 Ω + 2 Ω + 0.4 Ω} \approx 1.3 A

方程式 18.

I_{O L L} = M I N (2.5 A, \frac{V_{B P 5 L}}{R_{L O L} + R_{G A T E_O F F} + R_{G F E T (i n t)}}) = \frac{5 V}{0.7 Ω + 2 Ω + 0.4 Ω} = 1.6 A

外部栅极电阻器的选择通常需要优化，这是一个迭代的过程。最佳实践是评估特定 PCB 设计上的栅极电阻器值，以验证预期影响并根据需要进行调整。