ZHCSST0C June   2024  – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 器件选项表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 质量合格检验
    8. 7.8 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输入电压
      2. 8.3.2  线性稳压器运行
      3. 8.3.3  自举运行
        1. 8.3.3.1 自举充电
        2. 8.3.3.2 自举电容器
        3. 8.3.3.3 自举二极管
        4. 8.3.3.4 自举电阻
      4. 8.3.4  高侧驱动器启动
      5. 8.3.5  输入和输出
      6. 8.3.6  死区时间
      7. 8.3.7  输入互锁保护
      8. 8.3.8  欠压锁定和电源正常 (PGOOD)
      9. 8.3.9  SW 负电压瞬变
      10. 8.3.10 电平转换器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器和旁路电容器
        2. 9.2.2.2 自举二极管
        3. 9.2.2.3 BP5x 过冲和下冲
        4. 9.2.2.4 栅极电阻器
        5. 9.2.2.5 死区时间电阻器
        6. 9.2.2.6 栅极驱动器损耗
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DCA|56
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 引脚配置和功能

图 6-1 DCA 封装
56 引脚 TSSOP
（顶视图）
表 6-1 引脚功能
引脚I/O(1)说明
编号名称
8BOOTI高侧线性稳压器的输入电压电源。外部自举电容器放在 BOOT 和 ASW 之间。外部自举二极管的阴极连接至该引脚。BOOT 和 ASW 之间可能需要齐纳二极管钳位，以免超过绝对最大电气额定值。
9–13ASW—高侧驱动器信号回路。ASW(9) 在内部连接到 PSW 和高侧散热焊盘。从外部将 ASW(10-13) 连接至 ASW。
16BSTO对于利用内部自举开关的自举充电，该引脚用作自举二极管阳极连接点。外部高侧自举电容器可以通过该引脚使用施加到 VIN 的输入电压、内部自举开关和外部自举二极管进行充电。
17BP7LO低侧 7V 线性稳压器输出。从 BP7L 到 AGND 之间需要最低 1μF 电容。
18VINI栅极驱动器输入电压电源。输入电压范围为 10V 至 14V。该引脚用作低侧线性稳压器和内部自举开关的输入。为了直接从输入电压进行自举充电，VIN 还用作自举二极管阳极连接点。
15、19、25AGND—低侧驱动器信号回路。AGND(15) 和 AGND(19) 在内部连接到 PGND 和低侧散热焊盘。从外部将 AGND(25) 连接至 AGND。
20DHLI高侧至低侧死区时间设定。在 PWM 模式下，从 DHL 到 AGND 之间的电阻设定了高侧关断与低侧导通之间的死区时间。在独立输入模式 (IIM) 下，DHL 用于配置驱动器的输入互锁保护。在启用互锁的 IIM 中，DHL 连接到 BP5L。对于禁用互锁的 IIM，在 DHL 和 AGND 之间连接一个值在 100kΩ 和 220kΩ 之间的电阻器。
21DLHI低侧至高侧死区时间设定。在 PWM 模式下，从 DLH 到 AGND 之间的电阻设定了低侧关断与高侧导通之间的死区时间。在独立输入模式 (IIM) 下，DLH 用于配置驱动器的输入互锁保护。对于启用互锁的 IIM，在 DLH 和 AGND 之间连接一个值在 100kΩ 和 220kΩ 之间的电阻器。在禁用互锁的 IIM 中，DLH 连接到 BP5L。
22PGOODO电源正常引脚。当任何低侧内部线性稳压器或 VIN 进入欠压锁定状态时，置位低电平。需要一个 10kΩ 上拉电阻器连接到 BP5L。
23EN_HII使能输入或高侧驱动器控制输入。在 PWM 模式下，该引脚用作使能引脚。在独立输入模式 (IIM) 下，该引脚用作高侧驱动器的控制输入。
24PWM_LIIPWM 输入或低侧驱动器控制输入。在 PWM 模式下，该引脚用作栅极驱动器的 PWM 输入。在独立输入模式 (IIM) 下，该引脚用作低侧驱动器的控制输入。
29–32、42PGND—低侧电源接地。连接到低侧 GaN FET 的源极。内部连接到 AGND 和低侧散热焊盘。在印刷电路板级别连接到 AGND。
33–35BP5LO低侧 5V 线性稳压器输出。从 BP5L 到 PGND 之间需要最低 1μF 电容。
36–38LOHO低侧驱动器拉电流输出。通过短的低电感路径连接到低侧 GaN FET 的栅极。可使用 LOH 和 GaN FET 栅极之间的电阻器来调节导通速度。
39–41LOLO低侧驱动器灌电流输出。通过短的低电感路径连接到低侧 GaN FET 的栅极。可使用 LOL 和 GaN FET 栅极之间的电阻器来调节关断速度。
44–47PSW—开关节点连接。连接到高侧 GaN FET 的源极。内部连接到 ASW 和高侧散热焊盘。在印刷电路板级别连接到 ASW。
48–50BP5HO高侧 5V 线性稳压器输出。从 BP5H 到 PSW 之间需要最低 1μF 电容。
51–53HOHO高侧驱动器拉电流输出。通过短的低电感路径连接到高侧 GaN FET 的栅极。可使用 HOH 和 GaN FET 栅极之间的电阻器来调节导通速度。
54–56HOLO高侧驱动器灌电流输出。通过短的低电感路径连接到高侧 GaN FET 的栅极。可使用 HOL 和 GaN FET 栅极之间的电阻器来调节关断速度。
1–7、14、26–28、43NC—无连接。这些引脚没有在内部连接。为了避免金属悬空并防止电荷累积，引脚 1-7 和引脚 26-28 可保持未连接状态或连接到相应的基准电压（ASW 或 AGND）。对于引脚 14 和 43，建议让它们保持未连接状态，以满足 IEC-60664 的爬电距离和间隙要求。最终，引脚 14 和 43 的连接由用户根据为设计选择的特定爬电距离和间隙指南来决定。
—PSW 焊盘—高侧散热焊盘。内部连接到 ASW(9) 和 PSW。应连接到 ASW 引脚。
—PGND 焊盘—低侧散热焊盘。内部连接到 AGND(15)、AGND(19) 和 PGND。应连接到 AGND 引脚。
(1) I = 输入；O = 输出；I/O = 输入或输出；— = 其他