ZHCSP78B December   2022  – June 2025 TPS748A-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性:IOUT = 50mA
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能和关断
      2. 6.3.2 有源放电
      3. 6.3.3 电源正常状态输出 (PG)
      4. 6.3.4 内部电流限制
      5. 6.3.5 热关断保护 (TSD)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入、输出和偏置电容器要求
      2. 7.1.2 压降电压
      3. 7.1.3 输出噪声
      4. 7.1.4 估算结温
      5. 7.1.5 软启动,时序控制和浪涌电流
      6. 7.1.6 电源正常操作
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

压降运行

如果输入电压低于标称输出电压与指定压降电压之和,但仍满足正常工作模式的所有其他条件,则器件将工作在压降模式。同样,如果偏置电压低于标称输出电压与指定压降电压之和,但仍满足正常工作模式的所有其他条件,器件也会进入压降模式。在此模式下,输出电压会跟踪输入电压。在此模式下,由于导通晶体管位于欧姆或三极管区域并充当开关,因此器件的瞬态性能会显著降低。压降过程中的线路或负载瞬态会导致输出电压偏差较大。

当器件处于稳定压降状态(是指器件处于压降状态时,VIN < VOUT + VDO(IN) 或 VBIAS < VOUT + VDO(BIAS),紧随正常稳压状态,但不在启动期间)时,导通晶体管将被驱动到欧姆区或三极管区域。当输入电压恢复到大于或等于标称输出电压加上压降电压 (VOUT(NOM) + VDO) 的值时,输出电压会过冲很短的时间,而器件会将导通晶体管拉回到线性区域。