ZHCSUK3P December   2005  – February 2025 TPS74201

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能和关断
      2. 6.3.2 电源正常（仅限 VQFN 封装）
      3. 6.3.3 内部电流限制
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入、输出和偏置电容器要求
      2. 7.1.2 瞬态响应
      3. 7.1.3 压降电压
      4. 7.1.4 输出噪声
      5. 7.1.5 可编程软启动
      6. 7.1.6 时序控制要求
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 热保护
        2. 7.4.1.2 散热注意事项
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
      2. 8.2.2 器件命名规则
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

在 VEN = 1.1V 时，VIN = VOUT + 0.3V，CBIAS = 0.1μF，CIN = COUT = 10μF，IOUT = 50mA，VBIAS = 5.0V，TJ = –40°C 至 125°C（除非另有说明）；典型值的测量温度为 TJ = 25°C
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIN 输入电压范围 VOUT + VDO 5.5 V
VBIAS BIAS 引脚电压范围 2.375 5.25 V
VREF 内部基准 TJ = 25℃ 0.796 0.8 0.804 V
VOUT 输出电压 VIN = 5V，IOUT = 1.5A，VBIAS = 5V  VREF 3.6 V
VOUT 精度 (1) 2.375V ≤ VBIAS ≤ 5.25V，VOUT + 1.62V ≤ VBIAS 50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A -1 ±0.2 1 %
ΔVOUT(ΔVIN) 线性调整率 VOUT (NOM) + 0.3V ≤ VIN ≤ 5.5V，VQFN 0.0005 0.05 %/V
VOUT (NOM) + 0.3V ≤ VIN ≤ 5.5V，DDPAK/TO-263 0.0005 0.06
ΔVOUT(ΔIOUT) 负载调整率 0mA ≤ IOUT ≤ 50mA（旧芯片） 0.013 %/mA
50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A（旧芯片） 0.04 %/A
50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A（新芯片） 0.09
VDO VIN 压降电压(2) IOUT = 1.5A，VBIAS – VOUT (NOM) ≥ 1.62V，VQFN  55 100 mV
IOUT = 1.5A，VBIAS – VOUT (NOM) ≥ 1.62V，DDPAK/TO-263（仅旧芯片） 60 120
VBIAS 压降电压(2) IOUT = 1.5A，VIN = VBIAS（旧芯片） 1.4 V
IOUT = 1.5A，VIN = VBIAS（新芯片） 1.43
ICL 电流限制 VOUT = 80% × VOUT(nom)（旧芯片） 1.8 4 A
VOUT = 80% × VOUT(nom),（新芯片） 2 5.5
IBIAS BIAS 引脚电流 IOUT = 0mA 至 1.5A（旧芯片） 2 4 mA
IOUT = 0mA 至 1.5A（新芯片） 1 2
ISHDN 关断电源电流 (IGND) VEN ≤ 0.4V（旧芯片） 1 100 µA
VEN ≤ 0.4V（新芯片） 0.85 2.75
IFB  反馈引脚电流(3) IOUT = 50mA 至 1.5A（旧芯片） -250 68 250 nA
IOUT = 50mA 至 1.5A（新芯片） -30 0.15 30 nA
PSRR 电源抑制（VIN 至 VOUT） 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（旧芯片） 73 dB
1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（新芯片） 60
300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（旧芯片） 42
300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（新芯片） 30
电源抑制（VBIAS 至 VOUT） 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（旧芯片） 62
1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（新芯片） 59
300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V 50
Vn 输出噪声电压 BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 1.5A，CSS = 1nF（旧芯片） 16 μVrms x Vout
BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 3A，CSS = 1nF（新芯片） 20
VTRAN 负载瞬态期间的 %VOUT 压降 1A/µs 时的 IOUT = 50mA 至 1.5A，COUT=无（旧芯片） 3.5 %VOUT
VTRAN 负载瞬态期间的 %VOUT 压降 1A/µs 时的 IOUT = 50mA 至 1.5A，COUT=2.2µF（新芯片） 1.7 %VOUT
tSTR 最短启动时间 IOUT = 1.5A 时的 RLOAD，CSS = 开路（旧芯片） 100 µs
IOUT = 1.0A 时的 RLOAD，CSS = 开路（新芯片） 250
ISS 软启动充电电流 VSS = 0.4V，IOUT = 0mA（旧芯片） 0.500 0.730 1 µA
VSS = 0.4V，IOUT = 0mA（新芯片） 0.300 0.530 0.800
VEN(hi) 使能输入高电平 1.1 5.5 V
VEN(lo) 使能输入低电平 0 0.4 V
VEN(hys) 使能引脚迟滞 （旧芯片） 50 mV
（新芯片） 55
VEN(dg) 使能引脚抗尖峰脉冲时间 20 µs
IEN 使能引脚电流 VEN = 5V（旧芯片） 0.1 1 µA
VEN = 5V（新芯片） 0.1 0.25
VIT PG 跳变阈值 VOUT 降低（旧芯片） 86.5 90 93.5 %VOUT
VOUT 降低（新芯片） 85 90 94
VHYS PG 跳变迟滞 （旧芯片） 3 %VOUT
（新芯片） 2.5
VPG(lo) PG 输出低电压 IPG = 1mA（灌电流），VOUT < VIT（旧芯片） 0.3 V
IPG = 1mA（灌电流），VOUT < VIT（新芯片） 0.12
IPG(lkg) PG 漏电流 VPG = 5.25V，VOUT > VIT（旧芯片） 0.03 1 µA
VPG = 5.25V，VOUT > VIT（新芯片） 0.001 0.05
TJ 工作结温 -40 125 ℃
TSD 热关断温度 关断，温度升高（旧芯片） 155 ℃
关断，温度升高（新芯片） 165
复位，温度降低 140
(1) 可调器件在 0.8V 下测试，不考虑电阻器容差。
(2) 压降定义为当 VOUT 比标称值低 2% 时，从输入到 VOUT 的电压。
(3) IFB 电流从器件中流出。