ZHCSXY0 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSXY0 March 2025 TPS65214

ADVANCE INFORMATION

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

VAF|24

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

6.6 器件寄存器

表 6-9 列出了器件寄存器的存储器映射寄存器。表 6-9 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 6-9 器件寄存器

偏移	首字母缩写词	寄存器名称	部分
0h	TI_DEV_ID	器件 ID	转到
1h	NVM_ID	NVM 配置 ID	转到
2h	ENABLE_CTRL	启用/按钮/Vsense 控制	转到
3h	REG_LOCK	锁定/解锁命令寄存器	转到
4h	LDO1_VOUT_STBY	STBY 模式下的 LDO1 配置	转到
5h	LDO1_VOUT	LDO1 配置	转到
6h	LDO2_VOUT	LDO2 配置	转到
7h	LDO2_VOUT_STBY	STBY 模式下的 LDO2 配置	转到
8h	BUCK3_VOUT	Buck3 配置	转到
9h	BUCK2_VOUT	Buck2 配置	转到
Ah	BUCK1_VOUT	Buck1 配置	转到
Ch	LDO1_SEQUENCE_SLOT	LDO1 的上电和断电时隙	转到
Dh	LDO2_SEQUENCE_SLOT	LDO2 的上电和断电时隙	转到
Fh	BUCK3_SEQUENCE_SLOT	Buck3 的上电和断电时隙	转到
10h	BUCK2_SEQUENCE_SLOT	Buck2 的上电和断电时隙	转到
11h	BUCK1_SEQUENCE_SLOT	Buck1 的上电和断电时隙	转到
12h	nRST_SEQUENCE_SLOT	nRSTOUT 的上电和断电时隙	转到
13h	GPIO_SEQUENCE_SLOT	GPIO 的上电和断电时隙	转到
15h	GPO_SEQUENCE_SLOT	GPO 的上电和断电时隙	转到
16h	POWER_UP_SLOT_DURATION_1	slot0-3 上电时的时隙持续时间	转到
17h	POWER_UP_SLOT_DURATION_2	slot4-7 上电时的时隙持续时间	转到
19h	BUCK3_VOUT_STBY	STBY 模式下的 Buck3 配置	转到
1Ah	POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1	slot0-3 断电时的时隙持续时间	转到
1Bh	POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2	slot4-7 断电时的时隙持续时间	转到
1Ch	BUCK2_VOUT_STBY	STBY 模式下的 Buck2 配置	转到
1Dh	BUCK1_VOUT_STBY	STBY 模式下的 Buck1 配置	转到
1Eh	GENERAL_CONFIG	LDO 欠压和 GPO 使能	转到
1Fh	MFP_1_CONFIG	多功能引脚配置 1	转到
20h	MFP_2_CONFIG	多功能引脚配置 2	转到
21h	STBY_1_CONFIG	STBY 配置 LDO 和降压	转到
22h	STBY_2_CONFIG	STBY 配置 GPIO 和 GPO	转到
23h	OC_DEGL_CONFIG	每个电源轨的过流抗尖峰脉冲时间	转到
24h	INT_MASK_UV	欠压故障屏蔽	转到
25h	MASK_CONFIG	WARM 屏蔽和屏蔽效果	转到
26h	I2C_ADDRESS_REG	I2C 地址	转到
27h	USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG	用户可配置寄存器（由 NVM 支持）	转到
28h	MANUFACTURING_VER	器件修订版（只读）	转到
29h	MFP_CTRL	针对 RESET、STBY、OFF 的 I2C 控制	转到
2Ah	DISCHARGE_CONFIG	每个电源轨的放电配置	转到
2Bh	INT_SOURCE	中断源	转到
2Dh	INT_LDO_1_2	LDO1 和 LDO2 的 OC、UV、SCG	转到
2Eh	INT_BUCK_3	Buck3 的 OC、UV、SCG	转到
2Fh	INT_BUCK_1_2	Buck1 和 Buck2 的 OC、UV、SCG	转到
30h	INT_SYSTEM	WARM 和 HOT 故障标志	转到
31h	INT_RV	每个电源轨的 RV（残余电压）	转到
32h	INT_TIMEOUT_RV_SD	导致关断的每个电源轨的 RV（残余电压）	转到
33h	INT_PB	按钮状态和边沿检测	转到
34h	USER_NVM_CMD_REG	DIY - 用户编程命令	转到
35h	POWER_UP_STATUS_REG	上电状态和 STATE	转到
36h	SPARE_2	备用寄存器（不由 NVM 提供支持）	转到
37h	SPARE_3	备用寄存器（不由 NVM 提供支持）	转到
41h	FACTORY_CONFIG_2	NVM 配置的修订版（只读）	转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 6-10 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 6-10 器件访问类型代码

访问类型	代码	说明
读取类型
R	R	读取
写入类型
W	W	写入
W1C	W 1C	写入 1 以清零
复位或默认值
-n		复位后的值或默认值

6.6.1 TI_DEV_ID 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = XXh]

图 6-15 展示了 TI_DEV_ID，表 6-11 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-15 TI_DEV_ID 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TI_DEVICE_ID
R/W-XXh

表 6-11 TI_DEV_ID 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	TI_DEVICE_ID	R/W	X	TI_DEVICE_ID[7:0] = 器件 GPN 注意：该寄存器只能由制造商编程！如需了解具体编号与相关配置相关信息，可参阅技术参考手册/用户指南。（来自 NVM 存储器的默认值）

6.6.2 NVM_ID 寄存器（偏移 = 1h）[复位 = XXh]

图 6-16 展示了 NVM_ID，表 6-12 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-16 NVM_ID 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TI_NVM_ID
R/W-XXh

表 6-12 NVM_ID 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	TI_NVM_ID	R/W	X	IC 的 NVM ID 注意：该寄存器只能由制造商编程！有关具体编号和相关配置，请参阅技术参考手册/用户指南。（来自 NVM 存储器的默认值）

6.6.3 ENABLE_CTRL 寄存器（偏移 = 2h）[复位 = XXh]

图 6-17 展示了 ENABLE_CTRL，表 6-13 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-17 ENABLE_CTRL 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	LDO1_EN	LDO2_EN	RESERVED	BUCK3_EN	BUCK2_EN	BUCK1_EN
R-0h	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-13 ENABLE_CTRL 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO1_EN	R/W	X	启用 LDO1 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未启用 1h = 启用
4	LDO2_EN	R/W	X	启用 LDO2 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未启用 1h = 启用
3	RESERVED	R	0h	保留
2	BUCK3_EN	R/W	X	启用 BUCK3 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未启用 1h = 启用
1	BUCK2_EN	R/W	X	启用 BUCK2 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未启用 1h = 启用
0	BUCK1_EN	R/W	X	启用 BUCK1 稳压器（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未启用 1h = 启用

6.6.4 REG_LOCK 寄存器（偏移 = 3h）[复位 = 00h]

REG_LOCK 如图 6-18 所示，相应说明如表 6-14 所述。

返回到汇总表。

图 6-18 REG_LOCK 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
REG_ACCESS_CMD
R-0h

表 6-14 REG_LOCK 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	REG_ACCESS_CMD	R	0h	对该寄存器执行写操作，可锁定或解锁受保护寄存器。该寄存器回读会导致“0h”。任何不可接受的写操作（即：除 5Ah 以外的其他）都会锁定受保护寄存器。 5Ah = 解锁受保护寄存器

6.6.5 LDO1_VOUT_STBY 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = XXh]

LDO1_VOUT_STBY 如图 6-19 所示，相应说明如表 6-15 所述。

返回到汇总表。

图 6-19 LDO1_VOUT_STBY 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	LDO1_DVS_STBY	LDO1_VSET_STBY
R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-15 LDO1_VOUT_STBY 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	LDO1_DVS_STBY	R/W	X	STANDBY 模式下的 LDO1 DVS 转换。 0h = STBY 状态下不进行 DVS 转换 1h = STBY 状态下通过 LDO1_VSET_STBY 配置的输出电压进行 DVS 转换
5-0	LDO1_VSET_STBY	R/W	X	STANDBY 状态下 LDO1 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.3V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.600V 2h = 0.600V 3h = 0.650V 4h = 0.700V 5h = 0.750V 6h = 0.800V 7h = 0.850V 8h = 0.900V 9h = 0.950V Ah = 1.000V Bh = 1.050V Ch = 1.100V Dh = 1.150V Eh = 1.200V Fh = 1.250V 10h = 1.300V 11h = 1.350V 12h = 1.400V 13h = 1.450V 14h = 1.500V 15h = 1.550V 16h = 1.600V 17h = 1.650V 18h = 1.700V 19h = 1.750V 1Ah = 1.800V 1Bh = 1.850V 1Ch = 1.900V 1Dh = 1.950V 1Eh = 2.000V 1Fh = 2.050V 20h = 2.100V 21h = 2.150V 22h = 2.200V 23h = 2.250V 24h = 2.300V 25h = 2.350V 26h = 2.400V 27h = 2.450V 28h = 2.500V 29h = 2.550V 2Ah = 2.600V 2Bh = 2.650V 2Ch = 2.700V 2Dh = 2.750V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.850V 30h = 2.900V 31h = 2.950V 32h = 3.000V 33h = 3.050V 34h = 3.100V 35h = 3.150V 36h = 3.200V 37h = 3.250V 38h = 3.300V 39h = 3.300V 3Ah = 3.300V 3Bh = 3.300V 3Ch = 3.300V 3Dh = 3.300V 3Eh = 3.300V 3Fh = 3.300V

6.6.6 LDO1_VOUT 寄存器（偏移 = 5h）[复位 = XXh]

LDO1_VOUT 如图 6-20 所示，相应说明如表 6-16 所述。

返回到汇总表。

图 6-20 LDO1_VOUT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	LDO1_LSW_CONFIG	LDO1_VSET
R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-16 LDO1_VOUT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	LDO1_LSW_CONFIG	R/W	X	LDO1 LDO 或 LSW 模式。注意：仅可在电源轨启用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = LDO 模式 1h = LSW 模式
5-0	LDO1_VSET	R/W	X	LDO1 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.3V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.600V 2h = 0.600V 3h = 0.650V 4h = 0.700V 5h = 0.750V 6h = 0.800V 7h = 0.850V 8h = 0.900V 9h = 0.950V Ah = 1.000V Bh = 1.050V Ch = 1.100V Dh = 1.150V Eh = 1.200V Fh = 1.250V 10h = 1.300V 11h = 1.350V 12h = 1.400V 13h = 1.450V 14h = 1.500V 15h = 1.550V 16h = 1.600V 17h = 1.650V 18h = 1.700V 19h = 1.750V 1Ah = 1.800V 1Bh = 1.850V 1Ch = 1.900V 1Dh = 1.950V 1Eh = 2.000V 1Fh = 2.050V 20h = 2.100V 21h = 2.150V 22h = 2.200V 23h = 2.250V 24h = 2.300V 25h = 2.350V 26h = 2.400V 27h = 2.450V 28h = 2.500V 29h = 2.550V 2Ah = 2.600V 2Bh = 2.650V 2Ch = 2.700V 2Dh = 2.750V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.850V 30h = 2.900V 31h = 2.950V 32h = 3.000V 33h = 3.050V 34h = 3.100V 35h = 3.150V 36h = 3.200V 37h = 3.250V 38h = 3.300V 39h = 3.300V 3Ah = 3.300V 3Bh = 3.300V 3Ch = 3.300V 3Dh = 3.300V 3Eh = 3.300V 3Fh = 3.300V

6.6.7 LDO2_VOUT 寄存器（偏移 = 6h）[复位 = XXh]

LDO2_VOUT 如图 6-21 所示，相应说明如表 6-17 所述。

返回到汇总表。

图 6-21 LDO2_VOUT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
LDO2_LSW_CONFIG	RESERVED	LDO2_VSET
R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh

表 6-17 LDO2_VOUT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	LDO2_LSW_CONFIG	R/W	X	LDO2 LDO 或 LSW 模式。注意：仅可在电源轨启用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = LDO 模式 1h = LSW 模式
6	RESERVED	R	0h	保留
5-0	LDO2_VSET	R/W	X	LDO2 的电压选择。LDO 模式下，输出电压范围为 0.6V 至 3.3V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.600V 2h = 0.600V 3h = 0.650V 4h = 0.700V 5h = 0.750V 6h = 0.800V 7h = 0.850V 8h = 0.900V 9h = 0.950V Ah = 1.000V Bh = 1.050V Ch = 1.100V Dh = 1.150V Eh = 1.200V Fh = 1.250V 10h = 1.300V 11h = 1.350V 12h = 1.400V 13h = 1.450V 14h = 1.500V 15h = 1.550V 16h = 1.600V 17h = 1.650V 18h = 1.700V 19h = 1.750V 1Ah = 1.800V 1Bh = 1.850V 1Ch = 1.900V 1Dh = 1.950V 1Eh = 2.000V 1Fh = 2.050V 20h = 2.100V 21h = 2.150V 22h = 2.200V 23h = 2.250V 24h = 2.300V 25h = 2.350V 26h = 2.400V 27h = 2.450V 28h = 2.500V 29h = 2.550V 2Ah = 2.600V 2Bh = 2.650V 2Ch = 2.700V 2Dh = 2.750V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.850V 30h = 2.900V 31h = 2.950V 32h = 3.000V 33h = 3.050V 34h = 3.100V 35h = 3.150V 36h = 3.200V 37h = 3.250V 38h = 3.300V 39h = 3.300V 3Ah = 3.300V 3Bh = 3.300V 3Ch = 3.300V 3Dh = 3.300V 3Eh = 3.300V 3Fh = 3.300V

6.6.8 LDO2_VOUT_STBY 寄存器（偏移 = 7h）[复位 = XXh]

LDO2_VOUT_STBY 如图 6-22 所示，相应说明如表 6-18 所述。

返回到汇总表。

图 6-22 LDO2_VOUT_STBY 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	LDO2_DVS_STBY	LDO2_VSET_STBY
R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-18 LDO2_VOUT_STBY 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	LDO2_DVS_STBY	R/W	X	STANDBY 模式下的 LDO2 DVS 转换。 0h = STBY 状态下不进行 DVS 转换 1h = STBY 状态下通过 LDO2_VSET_STBY 配置的输出电压进行 DVS 转换
5-0	LDO2_VSET_STBY	R/W	X	STANDBY 状态下 LDO2 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.3V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.600V 2h = 0.600V 3h = 0.650V 4h = 0.700V 5h = 0.750V 6h = 0.800V 7h = 0.850V 8h = 0.900V 9h = 0.950V Ah = 1.000V Bh = 1.050V Ch = 1.100V Dh = 1.150V Eh = 1.200V Fh = 1.250V 10h = 1.300V 11h = 1.350V 12h = 1.400V 13h = 1.450V 14h = 1.500V 15h = 1.550V 16h = 1.600V 17h = 1.650V 18h = 1.700V 19h = 1.750V 1Ah = 1.800V 1Bh = 1.850V 1Ch = 1.900V 1Dh = 1.950V 1Eh = 2.000V 1Fh = 2.050V 20h = 2.100V 21h = 2.150V 22h = 2.200V 23h = 2.250V 24h = 2.300V 25h = 2.350V 26h = 2.400V 27h = 2.450V 28h = 2.500V 29h = 2.550V 2Ah = 2.600V 2Bh = 2.650V 2Ch = 2.700V 2Dh = 2.750V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.850V 30h = 2.900V 31h = 2.950V 32h = 3.000V 33h = 3.050V 34h = 3.100V 35h = 3.150V 36h = 3.200V 37h = 3.250V 38h = 3.300V 39h = 3.300V 3Ah = 3.300V 3Bh = 3.300V 3Ch = 3.300V 3Dh = 3.300V 3Eh = 3.300V 3Fh = 3.300V

6.6.9 BUCK3_VOUT 寄存器（偏移 = 8h）[复位 = XXh]

BUCK3_VOUT 如图 6-23 所示，相应说明如表 6-19 所述。

返回到汇总表。

图 6-23 BUCK3_VOUT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
BUCK3_BW_SEL	BUCK3_UV_THR_SEL	BUCK3_VSET
R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-19 BUCK3_VOUT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	BUCK3_BW_SEL	R/W	X	BUCK3 带宽选择。注意：仅可在电源轨启用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 低带宽 1h = 高带宽
6	BUCK3_UV_THR_SEL	R/W	X	BUCK3 的 UV 阈值选择。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = -5% UV 检测 1h = -10% UV 检测
5-0	BUCK3_VSET	R/W	X	BUCK3 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.625V 2h = 0.650V 3h = 0.675V 4h = 0.700V 5h = 0.725V 6h = 0.750V 7h = 0.775V 8h = 0.800V 9h = 0.825V Ah = 0.850V Bh = 0.875V Ch = 0.900V Dh = 0.925V Eh = 0.950V Fh = 0.975V 10h = 1.000V 11h = 1.025V 12h = 1.050V 13h = 1.075V 14h = 1.100V 15h = 1.125V 16h = 1.150V 17h = 1.175V 18h = 1.200V 19h = 1.225V 1Ah = 1.250V 1Bh = 1.275V 1Ch = 1.300V 1Dh = 1.325V 1Eh = 1.350V 1Fh = 1.375V 20h = 1.400V 21h = 1.500V 22h = 1.600V 23h = 1.700V 24h = 1.800V 25h = 1.900V 26h = 2.000V 27h = 2.100V 28h = 2.200V 29h = 2.300V 2Ah = 2.400V 2Bh = 2.500V 2Ch = 2.600V 2Dh = 2.700V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.900V 30h = 3.000V 31h = 3.100V 32h = 3.200V 33h = 3.300V 34h = 3.400V 35h = 3.400V 36h = 3.400V 37h = 3.400V 38h = 3.400V 39h = 3.400V 3Ah = 3.400V 3Bh = 3.400V 3Ch = 3.400V 3Dh = 3.400V 3Eh = 3.400V 3Fh = 3.400V

6.6.10 BUCK2_VOUT 寄存器（偏移 = 9h）[复位 = XXh]

BUCK2_VOUT 如图 6-24 所示，相应说明如表 6-20 所述。

返回到汇总表。

图 6-24 BUCK2_VOUT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
BUCK2_BW_SEL	BUCK2_UV_THR_SEL	BUCK2_VSET
R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-20 BUCK2_VOUT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	BUCK2_BW_SEL	R/W	X	BUCK2 带宽选择。注意：仅可在电源轨启用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 低带宽 1h = 高带宽
6	BUCK2_UV_THR_SEL	R/W	X	BUCK2 的 UV 阈值选择。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = -5% UV 检测 1h = -10% UV 检测
5-0	BUCK2_VSET	R/W	X	BUCK2 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.625V 2h = 0.650V 3h = 0.675V 4h = 0.700V 5h = 0.725V 6h = 0.750V 7h = 0.775V 8h = 0.800V 9h = 0.825V Ah = 0.850V Bh = 0.875V Ch = 0.900V Dh = 0.925V Eh = 0.950V Fh = 0.975V 10h = 1.000V 11h = 1.025V 12h = 1.050V 13h = 1.075V 14h = 1.100V 15h = 1.125V 16h = 1.150V 17h = 1.175V 18h = 1.200V 19h = 1.225V 1Ah = 1.250V 1Bh = 1.275V 1Ch = 1.300V 1Dh = 1.325V 1Eh = 1.350V 1Fh = 1.375V 20h = 1.400V 21h = 1.500V 22h = 1.600V 23h = 1.700V 24h = 1.800V 25h = 1.900V 26h = 2.000V 27h = 2.100V 28h = 2.200V 29h = 2.300V 2Ah = 2.400V 2Bh = 2.500V 2Ch = 2.600V 2Dh = 2.700V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.900V 30h = 3.000V 31h = 3.100V 32h = 3.200V 33h = 3.300V 34h = 3.400V 35h = 3.400V 36h = 3.400V 37h = 3.400V 38h = 3.400V 39h = 3.400V 3Ah = 3.400V 3Bh = 3.400V 3Ch = 3.400V 3Dh = 3.400V 3Eh = 3.400V 3Fh = 3.400V

6.6.11 BUCK1_VOUT 寄存器（偏移 = Ah）[复位 = XXh]

BUCK1_VOUT 如图 6-25 所示，相应说明如表 6-21 所述。

返回到汇总表。

图 6-25 BUCK1_VOUT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
BUCK1_BW_SEL	BUCK1_UV_THR_SEL	BUCK1_VSET
R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-21 BUCK1_VOUT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	BUCK1_BW_SEL	R/W	X	BUCK1 带宽选择。注意：仅可在电源轨启用时更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 低带宽 1h = 高带宽
6	BUCK1_UV_THR_SEL	R/W	X	BUCK1 的 UV 阈值选择。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = -5% UV 检测 1h = -10% UV 检测
5-0	BUCK1_VSET	R/W	X	BUCK1 的电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 3.4V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.625V 2h = 0.650V 3h = 0.675V 4h = 0.700V 5h = 0.725V 6h = 0.750V 7h = 0.775V 8h = 0.800V 9h = 0.825V Ah = 0.850V Bh = 0.875V Ch = 0.900V Dh = 0.925V Eh = 0.950V Fh = 0.975V 10h = 1.000V 11h = 1.025V 12h = 1.050V 13h = 1.075V 14h = 1.100V 15h = 1.125V 16h = 1.150V 17h = 1.175V 18h = 1.200V 19h = 1.225V 1Ah = 1.250V 1Bh = 1.275V 1Ch = 1.300V 1Dh = 1.325V 1Eh = 1.350V 1Fh = 1.375V 20h = 1.400V 21h = 1.500V 22h = 1.600V 23h = 1.700V 24h = 1.800V 25h = 1.900V 26h = 2.000V 27h = 2.100V 28h = 2.200V 29h = 2.300V 2Ah = 2.400V 2Bh = 2.500V 2Ch = 2.600V 2Dh = 2.700V 2Eh = 2.800V 2Fh = 2.900V 30h = 3.000V 31h = 3.100V 32h = 3.200V 33h = 3.300V 34h = 3.400V 35h = 3.400V 36h = 3.400V 37h = 3.400V 38h = 3.400V 39h = 3.400V 3Ah = 3.400V 3Bh = 3.400V 3Ch = 3.400V 3Dh = 3.400V 3Eh = 3.400V 3Fh = 3.400V

6.6.12 LDO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Ch）[复位 = XXh]

LDO1_SEQUENCE_SLOT 如图 6-26 所示，相应说明如表 6-22 所述。

返回到汇总表。

图 6-26 LDO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	LDO1_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	LDO1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-22 LDO1_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	LDO1_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 LDO1 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	LDO1_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电时的 LDO1 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.13 LDO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Dh）[复位 = XXh]

LDO2_SEQUENCE_SLOT 如图 6-27 所示，相应说明如表 6-23 所述。

返回到汇总表。

图 6-27 LDO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	LDO2_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	LDO2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-23 LDO2_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	LDO2_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 LDO2 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	LDO2_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电时的 LDO2 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.14 BUCK3_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = Fh）[复位 = XXh]

BUCK3_SEQUENCE_SLOT 如图 6-28 所示，相应说明如表 6-24 所述。

返回到汇总表。

图 6-28 BUCK3_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	BUCK3_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	BUCK3_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-24 BUCK3_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	BUCK3_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 BUCK3 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	BUCK3_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电时的 BUCK3 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.15 BUCK2_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 10h）[复位 = XXh]

BUCK2_SEQUENCE_SLOT 如图 6-29 所示，相应说明如表 6-25 所述。

返回到汇总表。

图 6-29 BUCK2_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	BUCK2_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	BUCK2_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-25 BUCK2_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	BUCK2_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 BUCK2 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	BUCK2_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电时的 BUCK2 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.16 BUCK1_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 11h）[复位 = XXh]

BUCK1_SEQUENCE_SLOT 如图 6-30 所示，相应说明如表 6-26 所述。

返回到汇总表。

图 6-30 BUCK1_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	BUCK1_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	BUCK1_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-26 BUCK1_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	BUCK1_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 BUCK1 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	BUCK1_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电时的 BUCK1 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.17 nRST_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 12h）[复位 = XXh]

图 6-31 展示了 nRST_SEQUENCE_SLOT，表 6-27 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-31 nRST_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	nRST_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	nRST_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-27 nRST_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	nRST_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 nRST 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	nRST_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电时的 nRST 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.18 GPIO_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 13h）[复位 = XXh]

图 6-32 展示了 GPIO_SEQUENCE_SLOT，表 6-28 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-32 GPIO_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
GPIO_SEQUENCE_POLARITY	GPIO_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	GPIO_SEQUENCE_OFF_SLOT
R/W-Xh	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-28 GPIO_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	GPIO_SEQUENCE_POLARITY	R/W	X	GPIO 作为序列输入的导通/关断极性 0h = 低电平-关断/高电平-导通 1h = 高电平-关断/低电平-导通
6-4	GPIO_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电时的 GPIO 时隙编号。配置为输出时，引脚会根据时隙按顺序导通。配置为输入时，定序器会等待引脚达到导通状态。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	GPIO_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电的 GPIO 时隙编号。配置为输出时，引脚会根据时隙按顺序关断。配置为输入时，定序器会等待引脚达到关断状态。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.19 GPO_SEQUENCE_SLOT 寄存器（偏移 = 15h）[复位 = XXh]

图 6-33 展示了 GPO_SEQUENCE_SLOT，表 6-29 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-33 GPO_SEQUENCE_SLOT 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	GPO_SEQUENCE_ON_SLOT			RESERVED	GPO_SEQUENCE_OFF_SLOT
R-0h	R/W-Xh			R-0h	R/W-Xh

表 6-29 GPO_SEQUENCE_SLOT 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6-4	GPO_SEQUENCE_ON_SLOT	R/W	X	上电的 GPO 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7
3	RESERVED	R	0h	保留
2-0	GPO_SEQUENCE_OFF_SLOT	R/W	X	断电的 GPO 时隙编号（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 时隙 0 1h = 时隙 1 2h = 时隙 2 3h = 时隙 3 4h = 时隙 4 5h = 时隙 5 6h = 时隙 6 7h = 时隙 7

6.6.20 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 寄存器（偏移 = 16h）[复位 = XXh]

POWER_UP_SLOT_DURATION_1 如图 6-34 所示，相应说明如表 6-30 所述。

返回到汇总表。

图 6-34 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POWER_UP_SLOT_0_DURATION		POWER_UP_SLOT_1_DURATION		POWER_UP_SLOT_2_DURATION		POWER_UP_SLOT_3_DURATION
R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh

表 6-30 POWER_UP_SLOT_DURATION_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	POWER_UP_SLOT_0_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 0 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
5-4	POWER_UP_SLOT_1_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 1 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
3-2	POWER_UP_SLOT_2_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 2 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
1-0	POWER_UP_SLOT_3_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 3 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms

6.6.21 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 寄存器（偏移 = 17h）[复位 = XXh]

POWER_UP_SLOT_DURATION_2 如图 6-35 所示，相应说明如表 6-31 所述。

返回到汇总表。

图 6-35 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POWER_UP_SLOT_4_DURATION		POWER_UP_SLOT_5_DURATION		POWER_UP_SLOT_6_DURATION		POWER_UP_SLOT_7_DURATION
R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh

表 6-31 POWER_UP_SLOT_DURATION_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	POWER_UP_SLOT_4_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 4 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
5-4	POWER_UP_SLOT_5_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 5 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
3-2	POWER_UP_SLOT_6_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 6 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
1-0	POWER_UP_SLOT_7_DURATION	R/W	X	上电以及从待机切换到运行状态序列期间时隙 7 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms

6.6.22 BUCK3_VOUT_STBY 寄存器（偏移 = 19h）[复位 = XXh]

BUCK3_VOUT_STBY 如图 6-36 所示，相应说明如表 6-32 所述。

返回到汇总表。

图 6-36 BUCK3_VOUT_STBY 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	BUCK3_DVS_STBY	RESERVED	BUCK3_VSET_STBY
R-0h	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh

表 6-32 BUCK3_VOUT_STBY 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	BUCK3_DVS_STBY	R/W	X	STANDBY 模式下的 BUCK3 DVS 转换。 0h = STBY 状态下不进行 DVS 转换 1h = STBY 状态下通过 BUCK3_VSET_STBY 配置的输出电压进行 DVS 转换
5	RESERVED	R	0h	保留
4-0	BUCK3_VSET_STBY	R/W	X	STANDBY 状态下的 BUCK3 电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 1.375V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.625V 2h = 0.650V 3h = 0.675V 4h = 0.700V 5h = 0.725V 6h = 0.750V 7h = 0.775V 8h = 0.800V 9h = 0.825V Ah = 0.850V Bh = 0.875V Ch = 0.900V Dh = 0.925V Eh = 0.950V Fh = 0.975V 10h = 1.000V 11h = 1.025V 12h = 1.050V 13h = 1.075V 14h = 1.100V 15h = 1.125V 16h = 1.150V 17h = 1.175V 18h = 1.200V 19h = 1.225V 1Ah = 1.250V 1Bh = 1.275V 1Ch = 1.300V 1Dh = 1.325V 1Eh = 1.350V 1Fh = 1.375V

6.6.23 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 寄存器（偏移 = 1Ah）[复位 = XXh]

POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 如图 6-37 所示，相应说明如表 6-33 所述。

返回到汇总表。

图 6-37 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POWER_DOWN_SLOT_0_DURATION		POWER_DOWN_SLOT_1_DURATION		POWER_DOWN_SLOT_2_DURATION		POWER_DOWN_SLOT_3_DURATION
R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh

表 6-33 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	POWER_DOWN_SLOT_0_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 0 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
5-4	POWER_DOWN_SLOT_1_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 1 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
3-2	POWER_DOWN_SLOT_2_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 2 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
1-0	POWER_DOWN_SLOT_3_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 3 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms

6.6.24 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 寄存器（偏移 = 1Bh）[复位 = XXh]

POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 如图 6-38 所示，相应说明如表 6-34 所述。

返回到汇总表。

图 6-38 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POWER_DOWN_SLOT_4_DURATION		POWER_DOWN_SLOT_5_DURATION		POWER_DOWN_SLOT_6_DURATION		POWER_DOWN_SLOT_7_DURATION
R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh		R/W-Xh

表 6-34 POWER_DOWN_SLOT_DURATION_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-6	POWER_DOWN_SLOT_4_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 4 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
5-4	POWER_DOWN_SLOT_5_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 5 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
3-2	POWER_DOWN_SLOT_6_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 6 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms
1-0	POWER_DOWN_SLOT_7_DURATION	R/W	X	断电以及从运行状态切换到待机序列期间时隙 7 的持续时间。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0ms 1h = 1.5ms 2h = 3ms 3h = 10ms

6.6.25 BUCK2_VOUT_STBY 寄存器（偏移 = 1Ch）[复位 = XXh]

BUCK2_VOUT_STBY 如图 6-39 所示，相应说明如表 6-35 所述。

返回到汇总表。

图 6-39 BUCK2_VOUT_STBY 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	BUCK2_DVS_STBY	RESERVED	BUCK2_VSET_STBY
R-0h	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh

表 6-35 BUCK2_VOUT_STBY 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	BUCK2_DVS_STBY	R/W	X	STANDBY 模式下的 BUCK2 DVS 转换。 0h = STBY 状态下不进行 DVS 转换 1h = STBY 状态下通过 BUCK2_VSET_STBY 配置的输出电压进行 DVS 转换
5	RESERVED	R	0h	保留
4-0	BUCK2_VSET_STBY	R/W	X	STANDBY 状态下的 BUCK2 电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 1.375V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.625V 2h = 0.650V 3h = 0.675V 4h = 0.700V 5h = 0.725V 6h = 0.750V 7h = 0.775V 8h = 0.800V 9h = 0.825V Ah = 0.850V Bh = 0.875V Ch = 0.900V Dh = 0.925V Eh = 0.950V Fh = 0.975V 10h = 1.000V 11h = 1.025V 12h = 1.050V 13h = 1.075V 14h = 1.100V 15h = 1.125V 16h = 1.150V 17h = 1.175V 18h = 1.200V 19h = 1.225V 1Ah = 1.250V 1Bh = 1.275V 1Ch = 1.300V 1Dh = 1.325V 1Eh = 1.350V 1Fh = 1.375V

6.6.26 BUCK1_VOUT_STBY 寄存器（偏移 = 1Dh）[复位 = XXh]

BUCK1_VOUT_STBY 如图 6-40 所示，相应说明如表 6-36 所述。

返回到汇总表。

图 6-40 BUCK1_VOUT_STBY 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	BUCK1_DVS_STBY	RESERVED	BUCK1_VSET_STBY
R-0h	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh

表 6-36 BUCK1_VOUT_STBY 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	BUCK1_DVS_STBY	R/W	X	STANDBY 模式下的 BUCK1 DVS 转换。 0h = STBY 状态下不进行 DVS 转换 1h = STBY 状态下通过 BUCK1_VSET_STBY 配置的输出电压进行 DVS 转换
5	RESERVED	R	0h	保留
4-0	BUCK1_VSET_STBY	R/W	X	STANDBY 状态下的 BUCK1 电压选择。输出电压范围为 0.6V 至 1.375V。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 0.600V 1h = 0.625V 2h = 0.650V 3h = 0.675V 4h = 0.700V 5h = 0.725V 6h = 0.750V 7h = 0.775V 8h = 0.800V 9h = 0.825V Ah = 0.850V Bh = 0.875V Ch = 0.900V Dh = 0.925V Eh = 0.950V Fh = 0.975V 10h = 1.000V 11h = 1.025V 12h = 1.050V 13h = 1.075V 14h = 1.100V 15h = 1.125V 16h = 1.150V 17h = 1.175V 18h = 1.200V 19h = 1.225V 1Ah = 1.250V 1Bh = 1.275V 1Ch = 1.300V 1Dh = 1.325V 1Eh = 1.350V 1Fh = 1.375V

6.6.27 GENERAL_CONFIG 寄存器（偏移 = 1Eh）[复位 = XXh]

图 6-41 展示了 GENERAL_CONFIG，表 6-37 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-41 GENERAL_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
BYPASS_RV_FOR_RAIL_ENABLE	RESERVED	LDO1_UV_THR	LDO2_UV_THR	RESERVED	GPIO_EN	GPIO_CONFIG	GPO_EN
R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-37 GENERAL_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	BYPASS_RV_FOR_RAIL_ENABLE	R/W	X	启用稳压器以前，绕过 RV（预偏置）条件检查。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 强制执行放电检查 1h = 绕过放电检查
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO1_UV_THR	R/W	X	LDO1 的 UV 阈值选择位。仅在配置为 LDO 时适用。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = -5% UV 检测 1h = -10% UV 检测
4	LDO2_UV_THR	R/W	X	LDO2 的 UV 阈值选择位。仅在配置为 LDO 时适用。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = -5% UV 检测 1h = -10% UV 检测
3	RESERVED	R	0h	保留
2	GPIO_EN	R/W	X	GPIO 的启用和状态控制。该位启用 GPIO 功能并控制 GPIO 引脚的状态。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 不启用 GPIO 功能。输出状态为低电平。 1h = 启用 GPIO 功能。输出状态为高电平。
1	GPIO_CONFIG	R/W	X	GPIO 引脚配置。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 配置为输入 1h = 配置为输出
0	GPO_EN	R/W	X	GPO 的启用和状态控制。该位启用 GPO 功能并控制 GPO 引脚的状态。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 启用 GPO。输出状态为低电平。 1h = 启用 GPO。输出状态为高阻态。

6.6.28 MFP_1_CONFIG 寄存器（偏移 = 1Fh）[复位 = XXh]

MFP_1_CONFIG 如图 6-42 所示，相应说明如表 6-38 所述。

返回到汇总表。

图 6-42 MFP_1_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
MODE_I2C_CTRL	RESERVED	RESERVED	MODE_STBY_POLARITY	GPIO_VSEL_CONFIG	VSEL_RAIL	RESERVED	RESERVED
R/W-Xh	R-0h	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h	R-0h

表 6-38 MFP_1_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	MODE_I2C_CTRL	R/W	X	使用 I2C. 进行 MODE 控制。通过 MODE/STBY 引脚与 STBY 控制合并。请参阅数据表中的表格。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 自动 PFM 1h = 强制 PWM
6	RESERVED	R	0h	保留
5	RESERVED	R	0h	保留
4	MODE_STBY_POLARITY	R/W	X	MODE_STBY 引脚极性配置。注意：可以在操作期间更改，但请考虑即时反应：模式更改或状态更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = [如果配置为 MODE] 低电平 - 自动 PFM/高电平 - 强制 PWM。[如果配置为 STBY] 低电平 - STBY 状态/高电平 - ACTIVE 状态。 1h = [如果配置为 MODE] 高电平 - 自动 PFM/低电平 - 强制 PWM。[如果配置为 STBY] 高电平 - STBY 状态/低电平 - ACTIVE 状态。
3	GPIO_VSEL_CONFIG	R/W	X	GPIO_VSEL 引脚配置。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h =配置为 GPIO 1h =配置为 VSEL
2	VSEL_RAIL	R/W	X	配置为 VSEL 时，通过 GPIO/VSEL 控制降压。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = BUCK1 1h = BUCK3
1	RESERVED	R	0h	保留
0	RESERVED	R	0h	保留

6.6.29 MFP_2_CONFIG 寄存器（偏移 = 20h）[复位 = XXh]

MFP_2_CONFIG 如图 6-43 所示，相应说明如表 6-39 所述。

返回到汇总表。

图 6-43 MFP_2_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
PU_ON_FSD	MASK_RETRY_COUNT_ON_FIRST_PU	EN_PB_VSENSE_CONFIG		EN_PB_VSENSE_DEGL	GPO_nWAKEUP_CONFIG	MODE_STBY_CONFIG
R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh		R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-39 MFP_2_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	PU_ON_FSD	R/W	X	首次电源检测 (FSD) 时上电。因此，当应用 VSYS 时，即使 EN/PB/VSENSE 引脚处于 OFF_REQ 状态，器件也会上电至 ACTIVE 状态。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未启用首次电源检测 (FSD)。 1h = 启用首次电源检测 (FSD)。
6	MASK_RETRY_COUNT_ON_FIRST_PU	R/W	X	首次上电期间屏蔽 RETRY_COUNT。器件进入 ACTIVE 状态后，RETRY_COUNT 就会解除屏蔽。 0h = 首次上电时，未屏蔽 RETRY_COUNT。 1h = 首次上电时，屏蔽 RETRY_COUNT。
5-4	EN_PB_VSENSE_CONFIG	R/W	X	启用/按钮/VSENSE 配置。加载 NVM 后，请勿通过 I2C 进行更改（除非作为编程 NVM 前的预备步骤）（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 按钮配置 1h = 器件启用配置 2h = VSENSE 配置 3h = 器件启用配置
3	EN_PB_VSENSE_DEGL	R/W	X	使能/按钮/VSENSE 抗尖峰脉冲。注意：仅在 INITIALIZE 状态下更改！考虑从 EN/VSENSE 更改为 PB 或反向更改时的即时反应：上电！（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 短时型（典型值：EN/VSENSE 为 120ms，PB 为 200ms） 1h = 长时型（典型值：EN/VSENSE 为 50ms，PB 为 600ms）
2	GPO_nWAKEUP_CONFIG	R/W	X	GPO/nWAKEUP 配置（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = GPO 1h = nWAKEUP
1-0	MODE_STBY_CONFIG	R/W	X	MODE_STBY 配置（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = MODE 1h = STBY 2h = MODE 和 STBY 3h = MODE

6.6.30 STBY_1_CONFIG 寄存器（偏移 = 21h）[复位 = XXh]

STBY_1_CONFIG 如图 6-44 所示，相应说明如表 6-40 所述。

返回到汇总表。

图 6-44 STBY_1_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	LDO1_STBY_EN	LDO2_STBY_EN	RESERVED	BUCK3_STBY_EN	BUCK2_STBY_EN	BUCK1_STBY_EN
R-0h	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-40 STBY_1_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO1_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 LDO1。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用
4	LDO2_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 LDO2。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用
3	RESERVED	R	0h	保留
2	BUCK3_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 BUCK3。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用
1	BUCK2_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 BUCK2。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用
0	BUCK1_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 BUCK1。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用

6.6.31 STBY_2_CONFIG 寄存器（偏移 = 22h）[复位 = XXh]

STBY_2_CONFIG 如图 6-45 所示，相应说明如表 6-41 所述。

返回到汇总表。

图 6-45 STBY_2_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	RESERVED	STBY_SLEEP_CONFIG	nRSTOUT_STBY_CONFIG	GPIO_STBY_EN	RESERVED	GPO_STBY_EN
R-0h	R-0h	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh

表 6-41 STBY_2_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	RESERVED	R	0h	保留
4	STBY_SLEEP_CONFIG	R/W	X	通过 STBY 请求实现器件运行。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式 1h = SLEEP 模式
3	nRSTOUT_STBY_CONFIG	R/W	X	STANDBY 状态下的 nRSTOUT 配置。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 状态下 nRSTOUT 置为有效 1h = STBY 状态下 nRSTOUT 变为失效状态
2	GPIO_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 GPIO。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用
1	RESERVED	R	0h	保留
0	GPO_STBY_EN	R/W	X	在 STANDBY 状态下启用 GPO。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = STBY 模式下未启用 1h = STBY 模式下启用

6.6.32 OC_DEGL_CONFIG 寄存器（偏移 = 23h）[复位 = 0Xh]

图 6-46 展示了 OC_DEGL_CONFIG，表 6-42 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-46 OC_DEGL_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	RESERVED	RESERVED	RESERVED	EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK3	EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK2	EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK1
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-42 OC_DEGL_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	RESERVED	R	0h	保留
4	RESERVED	R	0h	保留
3	RESERVED	R	0h	保留
2	EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK3	R/W	X	该位置位时，启用 BUCK3 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 BUCK3 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = BUCK3 过流信号（高压侧过流、低压侧过流以及低压侧反向/负向过流）的抗尖峰脉冲持续时间约为 20us 1h = BUCK3 过流信号（高压侧过流、低压侧过流以及低压侧反向/负向过流）的抗尖峰脉冲持续时间约为 2ms
1	EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK2	R/W	X	该位置位时，启用 BUCK2 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 BUCK2 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = BUCK2 过流信号（高压侧过流、低压侧过流以及低压侧反向/负向过流）的抗尖峰脉冲持续时间约为 20us 1h = BUCK2 过流信号（高压侧过流、低压侧过流以及低压侧反向/负向过流）的抗尖峰脉冲持续时间约为 2ms
0	EN_LONG_DEGL_FOR_OC_BUCK1	R/W	X	该位置位时，启用 BUCK1 过流信号的长抗尖峰脉冲选项。清除时，启用 BUCK1 过流信号的短抗尖峰脉冲选项。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = BUCK1 过流信号（高压侧过流、低压侧过流以及低压侧反向/负向过流）的抗尖峰脉冲持续时间约为 20us 1h = BUCK1 过流信号（高压侧过流、低压侧过流以及低压侧反向/负向过流）的抗尖峰脉冲持续时间约为 2ms

6.6.33 INT_MASK_UV 寄存器（偏移 = 24h）[复位 = XXh]

图 6-47 展示了 INT_MASK_UV，表 6-43 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-47 INT_MASK_UV 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
MASK_RETRY_COUNT	BUCK3_UV_MASK	BUCK2_UV_MASK	BUCK1_UV_MASK	RESERVED	LDO1_UV_MASK	LDO2_UV_MASK	RESERVED
R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h

表 6-43 INT_MASK_UV 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	MASK_RETRY_COUNT	R/W	X	该位置位时，器件甚至可以在重试两次后上电。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 器件最多重试 2 次，然后保持关闭状态 1h = 器件无限重试
6	BUCK3_UV_MASK	R/W	X	BUCK3 欠压屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
5	BUCK2_UV_MASK	R/W	X	BUCK2 欠压屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
4	BUCK1_UV_MASK	R/W	X	BUCK1 欠压屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
3	RESERVED	R	0h	保留
2	LDO1_UV_MASK	R/W	X	LDO1 欠压屏蔽 - 在 BYP 或 LSW 模式下始终屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
1	LDO2_UV_MASK	R/W	X	LDO2 欠压屏蔽 - 在 BYP 或 LSW 模式下始终屏蔽。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
0	RESERVED	R	0h	保留

6.6.34 MASK_CONFIG 寄存器（偏移 = 25h）[复位 = XXh]

图 6-48 展示了 MASK_CONFIG，表 6-44 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-48 MASK_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
MASK_INT_FOR_PB	MASK_EFFECT		MASK_INT_FOR_RV	SENSOR_0_WARM_MASK	SENSOR_1_WARM_MASK	SENSOR_2_WARM_MASK	RESERVED
R/W-Xh	R/W-Xh		R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh	R/W-Xh	R-0h

表 6-44 MASK_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	MASK_INT_FOR_PB	R/W	X	用于控制 nINT 引脚是否对按钮 (PB) 按下/释放事件敏感的屏蔽位。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（对于任何 PB 事件，nINT 均拉至低电平） 1h = 已屏蔽（nINT 对任何 PB 事件均不敏感）
6-5	MASK_EFFECT	R/W	X	屏蔽影响（全局）（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 无状态变化，无 nINT 反应，未设置故障位 1h = 无状态变化，无 nINT 反应，已设置故障位 2h = 无状态变化，有 nINT 反应，已设置故障位（与 11b 相同） 3h = 无状态变化，有 nINT 反应，已设置故障位（与 10b 相同）
4	MASK_INT_FOR_RV	R/W	X	用于控制 nINT 引脚是否对 RV（残余电压）事件敏感的屏蔽位。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（对于任何 RV 事件，nINT 在过渡到 ACTIVE 状态期间或在启用电源轨期间被拉低） 1h = 已屏蔽（nINT 对任何 RV 事件均不敏感）
3	SENSOR_0_WARM_MASK	R/W	X	芯片温度热故障屏蔽，传感器 0。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
2	SENSOR_1_WARM_MASK	R/W	X	芯片温度热故障屏蔽，传感器 1。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
1	SENSOR_2_WARM_MASK	R/W	X	芯片温度热故障屏蔽，传感器 2。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未屏蔽（报告故障） 1h = 已屏蔽（未报告故障）
0	RESERVED	R	0h	保留

6.6.35 I2C_ADDRESS_REG 寄存器（偏移 = 26h）[复位 = XXh]

I2C_ADDRESS_REG 如图 6-49 所示，相应说明如表 6-45 所述。

返回到汇总表。

图 6-49 I2C_ADDRESS_REG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
DIY_NVM_PROGRAM_CMD_ISSUED	I2C_ADDRESS
R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-45 I2C_ADDRESS_REG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	DIY_NVM_PROGRAM_CMD_ISSUED	R/W	X	指示是否尝试了 DIY 编程命令的位。一旦置位，将始终保持置位状态。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = NVM 数据未更改 1h = 尝试通过 DIY 程序命令更改 NVM 数据
6-0	I2C_ADDRESS	R/W	X	I2C 从地址。注意：可以在操作期间更改，但请考虑即时反应：新的读/写地址！（来自 NVM 存储器的默认值）

6.6.36 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 寄存器（偏移 = 27h）[复位 = XXh]

图 6-50 展示了 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG，表 6-46 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-50 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
USER_CONFIG_PROG	USER_GENERAL_NVM_STORAGE
R/W-Xh	R/W-Xh

表 6-46 USER_GENERAL_NVM_STORAGE_REG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	USER_CONFIG_PROG	R/W	X	指示已编程 NVM 用户配置区域。（来自 NVM 存储器的默认值） 0h = 未编程用户区域 1h = 已编程用户区域
6-0	USER_GENERAL_NVM_STORAGE	R/W	X	基于 8 位 NVM 的寄存器可供用户用来存储用户数据（例如客户修改的 NVM 版本的 NVM-ID），或者用于其他用途。（来自 NVM 存储器的默认值）

6.6.37 MANUFACTURING_VER 寄存器（偏移 = 28h）[复位 = 00h]

图 6-51 展示了 MANUFACTURING_VER，表 6-47 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-51 MANUFACTURING_VER 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SILICON_REV
R-0h

表 6-47 MANUFACTURING_VER 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	SILICON_REV	R	0h	SILICON_REV[7:6] - 保留 SILICON_REV[5:3] - ALR SILICON_REV[2:0] - 金属器件修订版 - 硬接线（不受 NVM 控制）

6.6.38 MFP_CTRL 寄存器（偏移 = 29h）[复位 = 00h]

图 6-52 展示了 MFP_CTRL，表 6-48 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-52 MFP_CTRL 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	RESERVED	GPIO_STATUS	WARM_RESET_I2C_CTRL	COLD_RESET_I2C_CTRL	STBY_I2C_CTRL	I2C_OFF_REQ
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h	R/W-0h

表 6-48 MFP_CTRL 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	RESERVED	R	0h	保留
4	GPIO_STATUS	R	0h	指示 GPIO 引脚的实时值 0h = GPIO 引脚当前为“0” 1h = GPIO 引脚当前为“1”
3	WARM_RESET_I2C_CTRL	R/W	0h	当写为“1”时，触发 WARM RESET。注意：该位会自动清除，因此写入后不能读为“1”。 0h = 正常运行 1h = WARM_RESET
2	COLD_RESET_I2C_CTRL	R/W	0h	当设置为高电平时触发 COLD RESET。进入 INITIALIZE 状态时清除。 0h = 正常运行 1h = COLD_RESET
1	STBY_I2C_CTRL	R/W	0h	使用 I2C. 进行 STBY 控制。通过 MODE/STBY 引脚与 STBY 控制合并。参阅 MODE 与 STBY 配置表以及 STBY_SLEEP_CONFIG 位。 0h = 正常运行 1h = STBY 模式或睡眠模式
0	I2C_OFF_REQ	R/W	0h	将“1”写入此位时：触发 OFF 请求。设置为“0”时：没有影响。可自行清除。 0h = 无影响 1h = 触发关断请求

6.6.39 DISCHARGE_CONFIG 寄存器（偏移 = 2Ah）[复位 = 37h]

图 6-53 展示了 DISCHARGE_CONFIG，表 6-49 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-53 DISCHARGE_CONFIG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	LDO1_DISCHARGE_EN	LDO2_DISCHARGE_EN	RESERVED	BUCK3_DISCHARGE_EN	BUCK2_DISCHARGE_EN	BUCK1_DISCHARGE_EN
R-0h	R-0h	R/W-1h	R/W-1h	R-0h	R/W-1h	R/W-1h	R/W-1h

表 6-49 DISCHARGE_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO1_DISCHARGE_EN	R/W	1h	LDO1 的放电设置 0h = 无放电 1h = 250Ω
4	LDO2_DISCHARGE_EN	R/W	1h	LDO2 的放电设置 0h = 无放电 1h = 200Ω
3	RESERVED	R	0h	保留
2	BUCK3_DISCHARGE_EN	R/W	1h	BUCK3 的放电设置 0h = 无放电 1h = 125Ω
1	BUCK2_DISCHARGE_EN	R/W	1h	BUCK2 的放电设置 0h = 无放电 1h = 125Ω
0	BUCK1_DISCHARGE_EN	R/W	1h	BUCK1 的放电设置 0h = 无放电 1h = 125Ω

6.6.40 INT_SOURCE 寄存器（偏移 = 2Bh）[复位 = 00h]

图 6-54 展示了 INT_SOURCE，表 6-50 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-54 INT_SOURCE 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
INT_PB_IS_SET	RESERVED	INT_LDO_1_2_IS_SET	INT_BUCK_3_IS_SET	INT_BUCK_1_2_IS_SET	INT_SYSTEM_IS_SET	INT_RV_IS_SET	INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h

表 6-50 INT_SOURCE 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	INT_PB_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_PB 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_PB 任何位 1h = 已设置 INT_PB 一个或多个位
6	RESERVED	R	0h	保留
5	INT_LDO_1_2_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_LDO_1_2 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_LDO_1_2 任何位 1h = 已设置 INT_LDO_1_2 一个或多个位
4	INT_BUCK_3_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_BUCK_3 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_BUCK_3 任何位 1h = 已设置 INT_BUCK_3 一个或多个位
3	INT_BUCK_1_2_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_BUCK_1_2 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_BUCK_1_2 任何位 1h = 已设置 INT_BUCK_1_2 一个或多个位
2	INT_SYSTEM_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_SYSTEM 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_SYSTEM 任何位 1h = 已设置 INT_SYSTEM 一个或多个位
1	INT_RV_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_RV 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_RV 任何位 1h = 已设置 INT_RV 一个或多个位
0	INT_TIMEOUT_RV_SD_IS_SET	R	0h	寄存器 INT_TIMEOUT_RV_SD 中存在一个或多个 INT 源 0h = 未设置 INT_TIMEOUT_RV_SD 任何位 1h = 已设置 INT_TIMEOUT_RV_SD 一个或多个位

6.6.41 INT_LDO_1_2 寄存器（偏移 = 2Dh）[复位 = 00h]

INT_LDO_1_2 如图 6-55 所示，相应说明如表 6-51 所述。

返回到汇总表。

图 6-55 INT_LDO_1_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	LDO2_UV	LDO2_OC	LDO2_SCG	LDO1_UV	LDO1_OC	LDO1_SCG
R-0h	R-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h

表 6-51 INT_LDO_1_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO2_UV	R/W1C	0h	LDO2 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 相应的 *_UV_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
4	LDO2_OC	R/W1C	0h	LDO2 过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
3	LDO2_SCG	R/W1C	0h	LDO2 接地短路故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
2	LDO1_UV	R/W1C	0h	LDO1 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 相应的 *_UV_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
1	LDO1_OC	R/W1C	0h	LDO1 过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
0	LDO1_SCG	R/W1C	0h	LDO1 接地短路故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障

6.6.42 INT_BUCK_3 寄存器（偏移 = 2Eh）[复位 = 00h]

INT_BUCK_3 如图 6-56 所示，相应说明如表 6-52 所述。

返回到汇总表。

图 6-56 INT_BUCK_3 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	RESERVED	RESERVED	BUCK3_UV	BUCK3_NEG_OC	BUCK3_OC	BUCK3_SCG
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h

表 6-52 INT_BUCK_3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	RESERVED	R	0h	保留
4	RESERVED	R	0h	保留
3	BUCK3_UV	R/W1C	0h	BUCK3 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 相应的 *_UV_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
2	BUCK3_NEG_OC	R/W1C	0h	BUCK3 负向过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
1	BUCK3_OC	R/W1C	0h	BUCK3 正向过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
0	BUCK3_SCG	R/W1C	0h	BUCK3 接地短路故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障

6.6.43 INT_BUCK_1_2 寄存器（偏移 = 2Fh）[复位 = 00h]

INT_BUCK_1_2 如图 6-57 所示，相应说明如表 6-53 所述。

返回到汇总表。

图 6-57 INT_BUCK_1_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
BUCK2_UV	BUCK2_NEG_OC	BUCK2_OC	BUCK2_SCG	BUCK1_UV	BUCK1_NEG_OC	BUCK1_OC	BUCK1_SCG
R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h

表 6-53 INT_BUCK_1_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	BUCK2_UV	R/W1C	0h	BUCK2 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 相应的 *_UV_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
6	BUCK2_NEG_OC	R/W1C	0h	BUCK2 负向过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
5	BUCK2_OC	R/W1C	0h	BUCK2 正向过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
4	BUCK2_SCG	R/W1C	0h	BUCK2 接地短路故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
3	BUCK1_UV	R/W1C	0h	BUCK1 欠压故障。如果寄存器 INT_MASK_UV 相应的 *_UV_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
2	BUCK1_NEG_OC	R/W1C	0h	BUCK1 负向过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
1	BUCK1_OC	R/W1C	0h	BUCK1 正向过流故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
0	BUCK1_SCG	R/W1C	0h	BUCK1 接地短路故障 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障

6.6.44 INT_SYSTEM 寄存器（偏移 = 30h）[复位 = 00h]

图 6-58 展示了 INT_SYSTEM，表 6-54 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-58 INT_SYSTEM 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SENSOR_0_HOT	SENSOR_1_HOT	SENSOR_2_HOT	RESERVED	SENSOR_0_WARM	SENSOR_1_WARM	SENSOR_2_WARM	RESERVED
R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R-0h

表 6-54 INT_SYSTEM 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	SENSOR_0_HOT	R/W1C	0h	传感器 0 的 TSD 热检测 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
6	SENSOR_1_HOT	R/W1C	0h	传感器 1 的 TSD 热检测 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
5	SENSOR_2_HOT	R/W1C	0h	传感器 2 的 TSD 热检测 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
4	RESERVED	R	0h	保留
3	SENSOR_0_WARM	R/W1C	0h	TSD 传感器 0 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
2	SENSOR_1_WARM	R/W1C	0h	TSD 传感器 1 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
1	SENSOR_2_WARM	R/W1C	0h	TSD 传感器 2 的温检测。如果寄存器 MASK_CONFIG 相应的 *_WARM_MASK 位为“1”，那么在转为 INITIALIZE 状态时是否自动清除 0h = 未检测到故障 1h = 检测到故障
0	RESERVED	R	0h	保留

6.6.45 INT_RV 寄存器（偏移 = 31h）[复位 = 00h]

图 6-59 展示了 INT_RV，表 6-55 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-59 INT_RV 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	LDO2_RV	RESERVED	LDO1_RV	BUCK3_RV	BUCK2_RV	BUCK1_RV
R-0h	R-0h	R/W1C-0h	R-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h

表 6-55 INT_RV 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO2_RV	R/W1C	0h	在电源轨启动阶段，或在进入 ACTIVE 状态电源序列前执行放电检查的 4-5ms 期间，检测到 LDO2 RV 事件 0h = 未检测到 RV 1h = 检测到 RV
4	RESERVED	R	0h	保留
3	LDO1_RV	R/W1C	0h	在电源轨启动阶段，或在进入 ACTIVE 状态电源序列前执行放电检查的 4-5ms 期间，检测到 LDO1 RV 事件 0h = 未检测到 RV 1h = 检测到 RV
2	BUCK3_RV	R/W1C	0h	在电源轨启动阶段，或在进入 ACTIVE 状态电源序列前执行放电检查的 4-5ms 期间，检测到 BUCK3 RV 事件 0h = 未检测到 RV 1h = 检测到 RV
1	BUCK2_RV	R/W1C	0h	在电源轨启动阶段，或在进入 ACTIVE 状态电源序列前执行放电检查的 4-5ms 期间，检测到 BUCK2 RV 事件 0h = 未检测到 RV 1h = 检测到 RV
0	BUCK1_RV	R/W1C	0h	在电源轨启动阶段，或在进入 ACTIVE 状态电源序列前执行放电检查的 4-5ms 期间，检测到 BUCK1 RV 事件 0h = 未检测到 RV 1h = 检测到 RV

6.6.46 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器（偏移 = 32h）[复位 = 00h]

图 6-60 展示了 INT_TIMEOUT_RV_SD，表 6-56 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-60 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
TIMEOUT	RESERVED	LDO1_RV_SD	LDO2_RV_SD	RESERVED	BUCK3_RV_SD	BUCK2_RV_SD	BUCK1_RV_SD
R/W1C-0h	R-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h

表 6-56 INT_TIMEOUT_RV_SD 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	TIMEOUT	R/W1C	0h	在以下情况下，如果超时导致关闭，是否设置该位：1.转换到 ACTIVE 状态，并且一个或多个电源轨在指定时隙结束时未上升到超过 UV 电平（且该电源轨上的 UV 被配置为 SD 故障）。哪个/些电源轨由 INT_* 寄存器中的 *_UV 位指示。2.转换到 STANDBY 状态，并且一个或多个电源轨在指定时隙结束时未降至 SCG 电平以下，且为该电源轨启用了放电（哪个/些电源轨由该寄存器中相应的 RV_SD 位指示）。 0h = 未发生超时导致的 SD 1h = 发生超时导致的 SD
6	RESERVED	R	0h	保留
5	LDO1_RV_SD	R/W1C	0h	在以下情况下，LDO1 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，当关断该电源轨并且启用放电功能以后，该电源轨检测到 RV 事件。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换为 ACTIVE 状态期间尝试对所有电源轨放电时，导致超时 SD（这种情况下，也会设置 TIMEOUT 位） 0h = LDO1 未发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD 1h = LDO1 发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD
4	LDO2_RV_SD	R/W1C	0h	在以下情况下，LDO2 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，当关断该电源轨并且启用放电功能以后，该电源轨检测到 RV 事件。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换为 ACTIVE 状态期间尝试对所有电源轨放电时，导致超时 SD（这种情况下，也会设置 TIMEOUT 位） 0h = LDO2 未发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD 1h = LDO2 发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD
3	RESERVED	R	0h	保留
2	BUCK3_RV_SD	R/W1C	0h	在以下情况下，BUCK3 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，当关断该电源轨并且启用放电功能以后，该电源轨检测到 RV 事件。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换为 ACTIVE 状态期间尝试对所有电源轨放电时，导致超时 SD（这种情况下，也会设置 TIMEOUT 位） 0h = BUCK3 未发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD 1h = BUCK3 发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD
1	BUCK2_RV_SD	R/W1C	0h	在以下情况下，BUCK2 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，当关断该电源轨并且启用放电功能以后，该电源轨检测到 RV 事件。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换为 ACTIVE 状态期间尝试对所有电源轨放电时，导致超时 SD（这种情况下，也会设置 TIMEOUT 位） 0h = BUCK2 未发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD 1h = BUCK2 发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD
0	BUCK1_RV_SD	R/W1C	0h	在以下情况下，BUCK2 电源轨上的 RV 导致关断：1.转换到 STANDBY 状态，该电源轨在指定时隙结束时未放电，且该电源轨已启用放电功能。2.转换到 STANDBY 状态，当关断该电源轨并且启用放电功能以后，该电源轨检测到 RV 事件。3.转换到 ACTIVE 状态，转换过程中当该电源轨处于 OFF 状态时，在该电源轨上观察到 RV（预计电源轨将在时序进入 ACTIVE 状态之前放电）。4.该电源轨未放电，因此在开始从 STANDBY 状态转换为 ACTIVE 状态期间尝试对所有电源轨放电时，导致超时 SD（这种情况下，也会设置 TIMEOUT 位） 0h = BUCK1 未发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD 1h = BUCK1 发生 RV/DISCHARGE_TIMEOUT 导致的 SD

6.6.47 INT_PB 寄存器（偏移 = 33h）[复位 = 04h]

图 6-61 展示了 INT_PB，表 6-57 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-61 INT_PB 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
RESERVED	RESERVED	RESERVED	RESERVED	PB_EN_SLEEP_EXIT_TIMEOUT	PB_REAL_TIME_STATUS	PB_RISING_EDGE_DETECTED	PB_FALLING_EDGE_DETECTED
R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R/W1C-0h	R-1h	R/W1C-0h	R/W1C-0h

表 6-57 INT_PB 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	RESERVED	R	0h	保留
6	RESERVED	R	0h	保留
5	RESERVED	R	0h	保留
4	RESERVED	R	0h	保留
3	PB_EN_SLEEP_EXIT_TIMEOUT	R/W1C	0h	唤醒超时后，器件会重新进入睡眠状态。仅当 EN/PB/VSENSE 引脚配置为 PB 或 EN 时有效。 0h = 未检测到睡眠模式退出超时 1h = 检测到睡眠模式退出超时
2	PB_REAL_TIME_STATUS	R	1h	PB 引脚的抗尖峰脉冲 (64ms - 128ms) 实时状态。仅当 EN/PB/VSENSE 引脚配置为 PB 时有效。 0h = PB 的当前抗尖峰脉冲状态：按下 1h = PB 的当前抗尖峰脉冲状态：释放
1	PB_RISING_EDGE_DETECTED	R/W1C	0h	自上次清除该位以来，PB 释放的时间超过了抗尖峰脉冲周期 (64ms - 128ms)。设置此位后，将 nINT 引脚置为有效（如果将 MASK_INT_FOR_PB 位配置为“0”）。 0h = 未检测到 PB 释放 1h = 检测到 PB 释放
0	PB_FALLING_EDGE_DETECTED	R/W1C	0h	自上次清除该位以来，PB 按下的时间超过了抗尖峰脉冲周期 (64ms - 128ms)。设置此位后，将 nINT 引脚置为有效（如果将 MASK_INT_FOR_PB 位配置为“0”）。 0h = 未检测到 PB 按下 1h = 检测到 PB 按下

6.6.48 USER_NVM_CMD_REG 寄存器（偏移 = 34h）[复位 = 00h]

图 6-62 展示了 USER_NVM_CMD_REG，表 6-58 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-62 USER_NVM_CMD_REG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
CUST_NVM_VERIFY_ERR	CUST_NVM_VERIFY_DONE	CUST_PROG_DONE	I2C_OSC_ON	USER_NVM_CMD
R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R-0h	R-0h

表 6-58 USER_NVM_CMD_REG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	CUST_NVM_VERIFY_ERR	R/W1C	0h	指示 NVM 验证错误的标志，在 NVM 验证功能运行后立即设置。 0h = PASS 1h = FAIL
6	CUST_NVM_VERIFY_DONE	R/W1C	0h	执行 CUST_NVM_VERIFY_CMD 后是否设置为“1”。在用户 W1C 之前保持为“1”。 0h = 尚未完成/未在进行中 1h = 完成
5	CUST_PROG_DONE	R/W1C	0h	执行 CUST_PROG_CMD 后是否设置为“1”。在用户 W1C 之前保持为“1”。 0h = 尚未完成/未在进行中 1h = 完成
4	I2C_OSC_ON	R	0h	如果收到 EN_OSC_DIY，则该寄存器字段设置为“1”。 0h = OSC 不通过 I2C 控制 1h = 因 I2C 命令 EN_OSC_DIY 导致 OSC 无条件导通
3-0	USER_NVM_CMD	R	0h	用于进入 DIY 编程模式并对用户 NVM 空间进行编程的命令。始终读为 0。 6h = DIS_OSC_DIY 7h = CUST_NVM_VERIFY_CMD 9h = EN_OSC_DIY Ah = CUST_PROG_CMD

6.6.49 POWER_UP_STATUS_REG 寄存器（偏移 = 35h）[复位 = 00h]

图 6-63 展示了 POWER_UP_STATUS_REG，表 6-59 中对此进行了介绍。

返回到汇总表。

图 6-63 POWER_UP_STATUS_REG 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
POWER_UP_FROM_FSD	POWER_UP_FROM_EN_PB_VSENSE	COLD_RESET_ISSUED	状态		RETRY_COUNT		POWER_UP_FROM_OFF
R/W1C-0h	R/W1C-0h	R/W1C-0h	R-0h		R-0h		R/W1C-0h

表 6-59 POWER_UP_STATUS_REG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7	POWER_UP_FROM_FSD	R/W1C	0h	如果因 FSD 触发 ON_REQ，则设置 0h = 未检测到通过 FSD 上电 1h = 检测到通过 FSD 上电
6	POWER_UP_FROM_EN_PB_VSENSE	R/W1C	0h	如果因 EN/PB/VSENSE 引脚触发 ON_REQ，则设置 0h = 未检测到通过引脚上电 1h = 检测到通过引脚上电
5	COLD_RESET_ISSUED	R/W1C	0h	如果通过 I2C 收到 COLD_RESET，则设置 0h = 未收到 COLD RESET 1h = 通过 I2C 收到 COLD RESET
4-3	状态	R	0h	指示当前器件状态 0h = 转换状态 1h = INITIALIZE 2h = STANDBY 3h = ACTIVE
2-1	RETRY_COUNT	R	0h	读取状态机中的当前重试计数。如果 RETRY_COUNT = 3 并且未屏蔽，则器件不会上电。
0	POWER_UP_FROM_OFF	R/W1C	0h	指示是否从关断状态（UVLO 置为有效）上电 0h = 自该位上次清除后未进入关断状态 1h = 自该位上次清除后进入关断状态

6.6.50 SPARE_2 寄存器（偏移 = 36h）[复位 = 00h]

SPARE_2 如图 6-64 所示，相应说明如表 6-60 所述。

返回到汇总表。

图 6-64 SPARE_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SPARE_2_1
R/W-0h

表 6-60 SPARE_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-0	SPARE_2_1	R/W	0h	用户非 NVM 空间中的备用位

6.6.51 SPARE_3 寄存器（偏移 = 37h）[复位 = 01h]

SPARE_3 如图 6-65 所示，相应说明如表 6-61 所述。

返回到汇总表。

图 6-65 SPARE_3 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SPARE_3_1							REG_LOCK_STATUS
R/W-0h							R-1h

表 6-61 SPARE_3 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-1	SPARE_3_1	R/W	0h	用户非 NVM 空间中的备用位
0	REG_LOCK_STATUS	R	1h	寄存器锁定状态 0h = 允许根据 REG_LOCK 寄存器进行写入访问 1h = 不允许根据 REG_LOCK 寄存器进行写入访问

6.6.52 FACTORY_CONFIG_2 寄存器（偏移 = 41h）[复位 = XXh]

FACTORY_CONFIG_2 如图 6-66 所示，相应说明如表 6-62 所述。

返回到汇总表。

图 6-66 FACTORY_CONFIG_2 寄存器

7	6	5	4	3	2	1	0
SPARE_TI_NVM			保留	RESERVED	RESERVED	RESERVED	保留
R/W-Xh			R-0h	R-0h	R-0h	R-0h	R-0h

表 6-62 FACTORY_CONFIG_2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
7-5	SPARE_TI_NVM	R/W	X	指定 NVM 配置的版本。注意：该寄存器只能由制造商编程。 0h = V0 1h = V1 ...
4	RESERVED	R	X	保留
3	RESERVED	R	X	保留
2	RESERVED	R	X	保留
1	RESERVED	R	X	保留
0	RESERVED	R	X	保留