ZHCSC71F March   2014  – July 2025 TPS25200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 启用
      2. 7.3.2 热检测
      3. 7.3.3 过流保护
      4. 7.3.4 FAULT 响应
      5. 7.3.5 输出放电
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.4.2 过流保护 (OCP)
      3. 7.4.3 过压钳位 (OVC)
      4. 7.4.4 过压锁定 (OVLO)
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 分步设计过程
        2. 8.2.2.2 输入和输出电容
        3. 8.2.2.3 设定电流限制阈值
        4. 8.2.2.4 高于最小电流限制的设计
        5. 8.2.2.5 低于最大电流限制的设计
        6. 8.2.2.6 功率耗散和结温
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.6 功率耗散和结温

内部 N 沟道 MOSFET 的低导通电阻允许大电流通过小型表面贴装封装。估算功率耗散和结温是一种良好的设计实践。在以下分析中，根据封装中的功率耗散计算结温的近似值。但是，需要注意的是，热分析在很大程度上取决于其他系统级因素。此类因素包括气流、电路板布局布线、覆铜厚度和表面积，以及与其他功率耗散器件的接近程度。良好的热设计实践除了涉及单个元件分析外，还必须考虑所有系统级因素。从确定与输入电压和运行温度相关的 N 通道 MOSFET 的 rDS(on)开始。开始估算时，使用感兴趣的最高运行环境温度并从典型特征图中读取 rDS（导通）值。当 VIN 低于 V(OVC) 时，TPS2500 是一种传统的电源开关。使用该值，功率耗散可以用 方程式 8 来计算。

方程式 8. PD = rDS(on) × IOUT2

当 VIN 超过 V(OVC) 但低于 V(OVLO) 时，TPS25200 将输出钳位到固定的 V(OVC)，功率耗散可使用 方程式 9 来计算。

方程式 9. PD = (VIN – V(OVC)) × IOUT

其中

  • PD=总功率耗散 (W)
  • rDS(on) = 电源开关导通电阻 (Ω)
  • V(OVC) = 过压钳位电压 (V)
  • IOUT=最大限流阈值 (A)

此步骤用来计算 N 沟道 MOSFET 的总功率耗散。

最后，使用 方程式 10 计算结温。

方程式 10. TJ = PD × θJA + TA

其中

  • TA=环境温度 (°C)
  • θJA = 热阻抗 (°C/W)
  • PD=总功率耗散 (W)

将计算得出的结温与初始估算值进行对比。如果它们间的差异较大，使用之前计算中得到的“精确” rDS（导通）作为全新的估算值进行重复计算。通常，二次或三次迭代就足以达到所需结果。最终的结温在很大程度上取决于热阻 θJA，而热阻在很大程度上取决于独立封装和电路板布局布线。