ZHCSC71F March   2014  – July 2025 TPS25200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 启用
      2. 7.3.2 热检测
      3. 7.3.3 过流保护
      4. 7.3.4 FAULT 响应
      5. 7.3.5 输出放电
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.4.2 过流保护 (OCP)
      3. 7.4.3 过压钳位 (OVC)
      4. 7.4.4 过压锁定 (OVLO)
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 分步设计过程
        2. 8.2.2.2 输入和输出电容
        3. 8.2.2.3 设定电流限制阈值
        4. 8.2.2.4 高于最小电流限制的设计
        5. 8.2.2.5 低于最大电流限制的设计
        6. 8.2.2.6 功率耗散和结温
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.2 输入和输出电容

输入和输出电容提升了器件的性能；必须针对特定的应用对实际电容进行优化。对于所有应用，为了实现本地噪声去耦，建议在 IN 和 GND 之间尽可能靠近器件的位置上安装一个 0.1μF 或更大的陶瓷旁路电容器。

当 VIN 斜升超过 7.6V 时，VOUT 跟随 VIN，直到 TPS25200在 t(OVLO_off_delay) 之后关断内部 MOSFET。t(OVLO_off_delay) 在很大程度上取决于 VIN 斜升速率，因此 VOUT 会遇到某个峰值电压。增大输出电容可以降低输出峰值电压，如 图 8-3 所示。

TPS25200 VOUT 峰值电压与 COUT 间的关系（VIN 以 1V/μs 斜升速率从 5V 阶跃至 15V）图 8-3 VOUT 峰值电压与 COUT 间的关系（VIN 以 1V/μs 斜升速率从 5V 阶跃至 15V）