ZHCSGY3G January   2017  – January 2023 TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
    1. 5.1 相关产品
  6. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
    3. 6.3 信号说明
      1. 6.3.1 模拟信号
      2. 6.3.2 数字信号
      3. 6.3.3 电源和接地
      4. 6.3.4 测试、JTAG 和复位
    4. 6.4 引脚多路复用
      1. 6.4.1 GPIO 多路复用引脚
      2. 6.4.2 ADC 引脚上的数字输入 (AIO)
      3. 6.4.3 GPIO 输入 X-BAR
      4. 6.4.4 GPIO 输出 X-BAR 和 ePWM X-BAR
    5. 6.5 带有内部上拉和下拉的引脚
    6. 6.6 未使用引脚的连接
  7. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级 - 商用
    3. 7.3  ESD 等级 - 汽车
    4. 7.4  建议运行条件
    5. 7.5  功耗摘要
      1. 7.5.1 系统电流消耗（外部电源）
      2. 7.5.2 系统电流消耗（内部 VREG）
      3. 7.5.3 系统电流消耗（直流/直流稳压器）
      4. 7.5.4 工作模式测试说明
      5. 7.5.5 电流消耗图
      6. 7.5.6 减少电流消耗
        1. 7.5.6.1 每个禁用外设的典型 IDD 电流减少值（SYSCLK 为 100MHz 时）
    6. 7.6  电气特性
    7. 7.7  热阻特征
      1. 7.7.1 PZ 封装
      2. 7.7.2 PM 封装
      3. 7.7.3 RSH 封装
    8. 7.8  散热设计注意事项
    9. 7.9  系统
      1. 7.9.1 电源管理模块 (PMM)
        1. 7.9.1.1 引言
        2. 7.9.1.2 概述
          1. 7.9.1.2.1 电源轨监视器
            1. 7.9.1.2.1.1 I/O POR（上电复位）监视器
            2. 7.9.1.2.1.2 I/O BOR（欠压复位）监视器
            3. 7.9.1.2.1.3 VDD POR（上电复位）监视器
          2. 7.9.1.2.2 外部监控器使用情况
          3. 7.9.1.2.3 延迟块
          4. 7.9.1.2.4 内部 1.2V LDO 稳压器 (VREG)
          5. 7.9.1.2.5 VREGENZ
          6. 7.9.1.2.6 内部 1.2V 开关稳压器（直流/直流）
            1. 7.9.1.2.6.1 PCB 布局和元件指南
        3. 7.9.1.3 外部元件
          1. 7.9.1.3.1 去耦电容器
            1. 7.9.1.3.1.1 VDDIO 去耦
            2. 7.9.1.3.1.2 VDD 去耦
        4. 7.9.1.4 电源时序
          1. 7.9.1.4.1 电源引脚联动
          2. 7.9.1.4.2 信号引脚电源序列
          3. 7.9.1.4.3 电源引脚电源序列
            1. 7.9.1.4.3.1 外部 VREG/VDD 模式序列
            2. 7.9.1.4.3.2 内部 VREG/VDD 模式序列
            3. 7.9.1.4.3.3 电源时序摘要和违规影响
            4. 7.9.1.4.3.4 电源压摆率
        5. 7.9.1.5 电源管理模块电气数据和时序
          1. 7.9.1.5.1 电源管理模块运行条件
          2. 7.9.1.5.2 电源管理模块特征
          3.        电源电压
      2. 7.9.2 复位时序
        1. 7.9.2.1 复位源
        2. 7.9.2.2 复位电气数据和时序
          1. 7.9.2.2.1 复位 (XRSn) 时序要求
          2. 7.9.2.2.2 复位 (XRSn) 开关特性
          3. 7.9.2.2.3 复位时序图
      3. 7.9.3 时钟规格
        1. 7.9.3.1 时钟源
        2. 7.9.3.2 时钟频率、要求和特性
          1. 7.9.3.2.1 输入时钟频率和时序要求，PLL 锁定时间
            1. 7.9.3.2.1.1 输入时钟频率
            2. 7.9.3.2.1.2 XTAL 振荡器特征
            3. 7.9.3.2.1.3 X1 时序要求
            4. 7.9.3.2.1.4 PLL 锁定时间
          2. 7.9.3.2.2 内部时钟频率
            1. 7.9.3.2.2.1 内部时钟频率
          3. 7.9.3.2.3 输出时钟频率和开关特性
            1. 7.9.3.2.3.1 XCLKOUT 开关特性
        3. 7.9.3.3 输入时钟和 PLL
        4. 7.9.3.4 晶体 (XTAL) 振荡器
          1. 7.9.3.4.1 引言
          2. 7.9.3.4.2 概述
            1. 7.9.3.4.2.1 电子振荡器
              1. 7.9.3.4.2.1.1 运行模式
                1. 7.9.3.4.2.1.1.1 晶体的工作模式
                2. 7.9.3.4.2.1.1.2 单端工作模式
              2. 7.9.3.4.2.1.2 XCLKOUT 上的 XTAL 输出
            2. 7.9.3.4.2.2 石英晶体
            3. 7.9.3.4.2.3 GPIO 工作模式
          3. 7.9.3.4.3 正常运行
            1. 7.9.3.4.3.1 ESR – 有效串联电阻
            2. 7.9.3.4.3.2 Rneg - 负电阻
            3. 7.9.3.4.3.3 启动时间
            4. 7.9.3.4.3.4 DL – 驱动电平
          4. 7.9.3.4.4 如何选择晶体
          5. 7.9.3.4.5 测试
          6. 7.9.3.4.6 常见问题和调试提示
          7. 7.9.3.4.7 晶体振荡器规格
            1. 7.9.3.4.7.1 晶体振荡器参数
            2. 7.9.3.4.7.2 晶振等效串联电阻 (ESR) 要求
            3. 7.9.3.4.7.3 晶体振荡器电气特性
        5. 7.9.3.5 内部振荡器
          1. 7.9.3.5.1 INTOSC 特性
      4. 7.9.4 闪存参数
      5. 7.9.5 仿真/JTAG
        1. 7.9.5.1 JTAG 电气数据和时序
          1. 7.9.5.1.1 JTAG 时序要求
          2. 7.9.5.1.2 JTAG 开关特征
          3. 7.9.5.1.3 JTAG 时序图
        2. 7.9.5.2 cJTAG 电气数据和时序
          1. 7.9.5.2.1 cJTAG 时序要求
          2. 7.9.5.2.2 cJTAG 开关特性
          3. 7.9.5.2.3 cJTAG 时序图
      6. 7.9.6 GPIO 电气数据和时序
        1. 7.9.6.1 GPIO - 输出时序
          1. 7.9.6.1.1 通用输出开关特征
        2. 7.9.6.2 GPIO - 输入时序
          1. 7.9.6.2.1 通用输入时序要求
        3. 7.9.6.3 输入信号的采样窗口宽度
      7. 7.9.7 中断
        1. 7.9.7.1 外部中断 (XINT) 电气数据和时序
          1. 7.9.7.1.1 外部中断时序要求
          2. 7.9.7.1.2 外部中断开关特性
          3. 7.9.7.1.3 中断时序图
      8. 7.9.8 低功率模式
        1. 7.9.8.1 时钟门控低功耗模式
        2. 7.9.8.2 低功耗模式唤醒时序
          1. 7.9.8.2.1 空闲模式时序要求
          2. 7.9.8.2.2 空闲模式开关特性
          3. 7.9.8.2.3 空闲模式时序图
          4. 7.9.8.2.4 停机模式时序要求
          5. 7.9.8.2.5 停机模式开关特征
          6. 7.9.8.2.6 停机模式时序图
    10. 7.10 模拟外设
      1. 7.10.1 模数转换器 (ADC)
        1. 7.10.1.1 结果寄存器映射
        2. 7.10.1.2 ADC 可配置性
          1. 7.10.1.2.1 信号模式
        3. 7.10.1.3 ADC 电气数据和时序
          1. 7.10.1.3.1 ADC 运行条件
          2. 7.10.1.3.2 ADC 特性
          3. 7.10.1.3.3 ADC 输入模型
          4. 7.10.1.3.4 ADC 时序图
      2. 7.10.2 可编程增益放大器 (PGA)
        1. 7.10.2.1 PGA 电气数据和时序
          1. 7.10.2.1.1 PGA 运行条件
          2. 7.10.2.1.2 PGA 特征
          3. 7.10.2.1.3 PGA 典型特征图
      3. 7.10.3 温度传感器
        1. 7.10.3.1 温度传感器电气数据和时序
          1. 7.10.3.1.1 温度传感器特征
      4. 7.10.4 缓冲数模转换器 (DAC)
        1. 7.10.4.1 缓冲 DAC 电气数据和时序
          1. 7.10.4.1.1 缓冲 DAC 运行条件
          2. 7.10.4.1.2 缓冲 DAC 电气特性
          3. 7.10.4.1.3 缓冲 DAC 示意图
          4. 7.10.4.1.4 缓冲 DAC 典型特性图
      5. 7.10.5 比较器子系统 (CMPSS)
        1. 7.10.5.1 CMPSS 电气数据和时序
          1. 7.10.5.1.1 比较器电气特性
          2. 7.10.5.1.2 CMPSS DAC 静态电气特性
          3. 7.10.5.1.3 CMPSS 示意图
    11. 7.11 控制外设
      1. 7.11.1 增强型捕获 (eCAP)
        1. 7.11.1.1 eCAP 电气数据和时序
          1. 7.11.1.1.1 eCAP 时序要求
          2. 7.11.1.1.2 eCAP 开关特性
      2. 7.11.2 高分辨率捕捉子模块 (HRCAP6–HRCAP7)
        1. 7.11.2.1 HRCAP 电气数据和时序
          1. 7.11.2.1.1 HRCAP 开关特性
      3. 7.11.3 增强型脉宽调制器 (ePWM)
        1. 7.11.3.1 控制外设同步
        2. 7.11.3.2 ePWM 电气数据和时序
          1. 7.11.3.2.1 ePWM 时序要求
          2. 7.11.3.2.2 ePWM 开关特性
          3. 7.11.3.2.3 跳闸区输入时序
            1. 7.11.3.2.3.1 跳闸区域输入时序要求
        3. 7.11.3.3 外部 ADC 转换启动电气数据和时序
          1. 7.11.3.3.1 外部 ADC 转换启动开关特性
      4. 7.11.4 高分辨率脉宽调制器 (HRPWM)
        1. 7.11.4.1 HRPWM 电气数据和时序
          1. 7.11.4.1.1 高分辨率 PWM 特征
      5. 7.11.5 增强型正交编码器脉冲 (eQEP)
        1. 7.11.5.1 eQEP 电气数据和时序
          1. 7.11.5.1.1 eQEP 时序要求
          2. 7.11.5.1.2 eQEP 开关特性
      6. 7.11.6 Σ-Δ 滤波器模块 (SDFM)
        1. 7.11.6.1 SDFM 电气数据和时序
          1. 7.11.6.1.1 使用异步 GPIO (ASYNC) 选项时的 SDFM 时序要求
          2. 7.11.6.1.2 SDFM 时序图
        2. 7.11.6.2 SDFM 电气数据和时序（同步 GPIO）
          1. 7.11.6.2.1 使用同步 GPIO (SYNC) 选项时的 SDFM 时序要求
    12. 7.12 通信外设
      1. 7.12.1 控制器局域网 (CAN)
      2. 7.12.2 内部集成电路 (I2C)
        1. 7.12.2.1 I2C 电气数据和时序
          1. 7.12.2.1.1 I2C 时序要求
          2. 7.12.2.1.2 I2C 开关特征
          3. 7.12.2.1.3 I2C 时序图
      3. 7.12.3 电源管理总线 (PMBus) 接口
        1. 7.12.3.1 PMBus 电气数据和时序
          1. 7.12.3.1.1 PMBus 电气特性
          2. 7.12.3.1.2 PMBus 快速模式开关特性
          3. 7.12.3.1.3 PMBus 标准模式开关特性
      4. 7.12.4 串行通信接口 (SCI)
      5. 7.12.5 串行外设接口 (SPI)
        1. 7.12.5.1 SPI 电气数据和时序
          1. 7.12.5.1.1 非高速主模式时序
            1. 7.12.5.1.1.1 SPI 主模式开关特性（时钟相位 = 0）
            2. 7.12.5.1.1.2 SPI 主模式开关特性（时钟相位 = 1）
            3. 7.12.5.1.1.3 SPI 主模式时序要求
          2. 7.12.5.1.2 非高速从模式时序
            1. 7.12.5.1.2.1 SPI 从模式开关特性
            2. 7.12.5.1.2.2 SPI 从模式时序要求
          3. 7.12.5.1.3 高速主模式时序
            1. 7.12.5.1.3.1 SPI 高速主模式开关特性（时钟相位 = 0）
            2. 7.12.5.1.3.2 SPI 高速主模式开关特性（时钟相位 = 1）
            3. 7.12.5.1.3.3 SPI 高速主模式时序要求
          4. 7.12.5.1.4 高速从模式时序
            1. 7.12.5.1.4.1 SPI 高速从模式开关特性
            2. 7.12.5.1.4.2 SPI 高速从模式时序要求
      6. 7.12.6 本地互连网络 (LIN)
      7. 7.12.7 快速串行接口 (FSI)
        1. 7.12.7.1 FSI 变送器
          1. 7.12.7.1.1 FSITX 电气数据和时序
            1. 7.12.7.1.1.1 FSITX 开关特性
        2. 7.12.7.2 FSI 接收器
          1. 7.12.7.2.1 FSIRX 电气数据和时序
            1. 7.12.7.2.1.1 FSIRX 开关特性
            2. 7.12.7.2.1.2 FSIRX 时序要求
        3. 7.12.7.3 FSI SPI 兼容模式
          1. 7.12.7.3.1 FSITX SPI 信令模式电气数据和时序
            1. 7.12.7.3.1.1 FSITX SPI 信令模式开关特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  功能方框图
    3. 8.3  存储器
      1. 8.3.1 C28x 存储器映射
      2. 8.3.2 控制律加速器 (CLA) ROM 存储器映射
      3. 8.3.3 闪存映射
      4. 8.3.4 外设寄存器内存映射
      5. 8.3.5 存储器类型
        1. 8.3.5.1 专用 RAM (Mx RAM)
        2. 8.3.5.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
        3. 8.3.5.3 全局共享 RAM (GSx RAM)
        4. 8.3.5.4 CLA 消息 RAM (CLA MSGRAM)
    4. 8.4  标识
    5. 8.5  总线架构 - 外设连接
    6. 8.6  C28x 处理器
      1. 8.6.1 嵌入式实时分析和诊断 (ERAD)
      2. 8.6.2 浮点单元 (FPU)
      3. 8.6.3 三角法数学单元 (TMU)
      4. 8.6.4 Viterbi、复杂数学和 CRC 单元 (VCU-I)
    7. 8.7  控制律加速器 (CLA)
    8. 8.8  直接存储器访问 (DMA)
    9. 8.9  引导 ROM 和外设引导
      1. 8.9.1 配置交替引导模式选择引脚
      2. 8.9.2 配置交替引导模式选项
      3. 8.9.3 GPIO 分配
    10. 8.10 双代码安全模块
    11. 8.11 看门狗
    12. 8.12 可配置逻辑块 (CLB)
    13. 8.13 功能安全
  9. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 器件主要特性
    2. 9.2 应用信息
      1. 9.2.1 典型应用
        1. 9.2.1.1 服务器电信电源单元 (PSU)
          1. 9.2.1.1.1 系统方框图
          2. 9.2.1.1.2 服务器和电信 PSU 资源
        2. 9.2.1.2 单相在线 UPS
          1. 9.2.1.2.1 系统方框图
          2. 9.2.1.2.2 单相在线 UPS 资源
        3. 9.2.1.3 微型光伏逆变器
          1. 9.2.1.3.1 系统方框图
          2. 9.2.1.3.2 微型光伏逆变器资源
        4. 9.2.1.4 电动汽车充电站电源模块
          1. 9.2.1.4.1 系统方框图
          2. 9.2.1.4.2 电动汽车充电站电源模块资源
        5. 9.2.1.5 伺服驱动器控制模块
          1. 9.2.1.5.1 系统方框图
          2. 9.2.1.5.2 伺服驱动器控制模块资源
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件和开发支持工具命名规则
    2. 10.2 标识
    3. 10.3 工具和软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  11. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.9.4 闪存参数

表 7-9 列出了不同时钟源和频率下所需的最低闪存等待状态。

表 7-9 不同 CPUCLK 频率下所需的最低闪存等待状态 (FRDCNTL[RWAIT])
CPUCLK (MHz) 闪存读取、执行、编程或擦除 闪存存储体/泵处于 LPM，或进入/退出 LPM
活动 → 睡眠 → 活动，或
活动 → 待机 → 活动
80 < CPUCLK ≤ 100 4 5
60 < CPUCLK ≤ 80 3 4
40 < CPUCLK ≤ 60 2 3
20 < CPUCLK ≤ 40 1 2
10 < CPUCLK ≤ 20 0 1
CPUCLK ≤ 10 0 0

F28004x 器件具有经改进的 128 位预取缓冲器，可在不同等待状态下提供更高的闪存代码执行效率。图 7-24 和图 7-25 展示了该系列器件与采用 64 位预取缓冲器的上一代器件在不同等待状态设置下的典型效率比较情况。使用预取缓冲器时的等待状态执行效率将取决于应用软件中存在的分支数量。此处提供了线性代码和 if-then-else 代码的两个示例。

GUID-62BC42CD-C827-4B12-A92D-0EED4A398DB2-low.gif图 7-24 具有大量 32 位浮点数学指令的应用程序代码
GUID-B739B7EF-303A-4840-8E86-8EA0C12E9C6F-low.gif图 7-25 具有 16 位 If-Else 指令的应用程序代码

表 7-10 列出了闪存参数。

表 7-10 闪存参数
参数 最小值 典型值 最大值 单位
编程时间 (1) 128 数据位 + 16 ECC 位 150 300 µs
8KB 扇区 50 100 ms
小于 25 个 W/E 周期的擦除时间 (2) 8KB 扇区 15 100 ms
1000 个 W/E 周期的擦除时间 (2) 8KB 扇区 25 350 ms
2000 个 W/E 周期的擦除时间 (2) 8KB 扇区 30 600 ms
20K 个 W/E 周期的擦除时间 (2) 8KB 扇区 120 4000 ms
每个扇区的 Nwec 写入/擦除周期 20000 周期
整个闪存（整合所有扇区）的 Nwec 写入/擦除周期 (3) 100000 周期
tretention 数据保持持续时间 (TJ = 85oC) 20 年
(1) 编程时间是最大器件频率下的值。编程时间包括闪存状态机的开销，但不包括将以下内容传输到 RAM 的时间：
•使用闪存 API 对闪存进行编程的代码
• 闪存 API 本身
• 要编程的闪存数据
换言之，此表中显示的时间是指器件 RAM 中的所有必需代码/数据都变为可用状态并准备好进行编程之后的
相应时间。所用 JTAG 调试探头的速度对传输时间有显著影响。
编程时间的计算以在指定的工作频率下一次编程 144 位为基础。编程时间包含 CPU
对编程的验证。写入/擦除 (W/E) 循环不会缩短编程时间，但会缩短擦除时间，因此在此处针对 25 个 W/E 周期、1K 个 W/E 周期、2K 个 W/E 周期和 20K 个 W/E 周期提供了相应的擦除时间。
擦除时间包括由 CPU 对编程的验证，不涉及任何数据传输。
(2) 擦除时间包含 CPU 对擦除的验证。
(3) 每个扇区本身只能被擦除/编程 20,000 次。如果选择使用 EEPROM 等一个或多个扇区，则可以仅对这些扇区（仍然限制为 20,000 个周期）进行擦除/编程，而无需对整个闪存进行擦除/编程。因此，从器件 的角度来看，W/E 周期的总数可能超过 20,000 个周期。但是，这个数字最多不应超过 100,000 个周期。
注：

主阵列闪存编程必须与 64 位地址边界对齐，并且每个 64 位字在每个写/擦除周期只能编程一次。

DCSM OTP 编程必须与 128 位地址边界对齐，并且每个 128 位字只能编程一次。例外包括：

  1. DCSM OTP 中的 DCSM Zx-LINKPOINTER1 和 Zx-LINKPOINTER2 值应一起编程，并且可以按照 DCSM 操作的要求一次编程 1 位。
  2. DCSM OTP 中的 DCSM Zx-LINKPOINTER3 值可以在 64 位边界上一次编程 1 位，以便与 Zx-PSWDLOCK 区别开，后者只能编程一次。