ZHCSLQ7A April   2025  – October 2025 THS3470

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性 ±VS = ±30V
    6. 5.6 电气特性 ±VS = ±20V
    7. 5.7 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出电流限制
      2. 6.3.2 输出电流使能
      3. 6.3.3 过热标志
      4. 6.3.4 输出电流标志
      5. 6.3.5 输出电流监测
      6. 6.3.6 裸片温度监测
      7. 6.3.7 外部补偿
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 电源模式
      2. 6.4.2 选择反馈电阻器
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 高电压、高精度复合放大器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 120V 自举放大器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用性能曲线图
    3. 7.3 短路保护
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 散热注意事项
        1. 7.5.1.1 顶部冷却优势
        2. 7.5.1.2 THS3470 安全工作区
      2. 7.5.2 布局指南
      3. 7.5.3 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 卷带包装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • REB|42
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性 ±VS = ±30V

在 TA ≅ 25°C、AV = 10V/V、RF = 2kΩ 且 RS = 5Ω 时(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
交流性能
SSBW 小信号带宽
(–3dB)
VO = 2VPP RL = 100Ω 30 MHz
RS = 5Ω,CL = 1nF 20
LSBW 大信号带宽
(–3dB)
VO = 50VPP,< 1dB 峰值 RL = 100Ω 22 MHz
CL = 1nF (2) 7
SR 压摆率(峰值) VO = 50VPP 阶跃 RL = 100Ω 6500 V/µs
CL = 1nF 2600
压摆率 (20%–80%) VO = 50VPP 阶跃 RL = 100Ω 3500
CL = 1nF 2000
上升和下降时间 VO = 50V 阶跃 RL = 100Ω 17 ns
CL = 1nF 22
趋稳时间 达到 0.1%,VO = 50V 阶跃 RL = 100Ω 200 ns
CL = 1nF 375
HD2 二次谐波失真 VO = 50VPP,RL = 100Ω f = 10MHz -47 dBc
f = 1MHz -80
f = 0.1MHz -91
VO = 50VPP,CL = 1nF f = 1MHz -80
f = 0.1MHz -87
HD3 三次谐波失真 VO = 50VPP,RL = 100Ω f = 10MHz -43 dBc
f = 1MHz -67
f = 0.1MHz -75
VO = 50VPP,CL = 1nF f = 1MHz -61
f = 0.1MHz -71
en 电压噪声 f > 100kHz 1.3 nV/√Hz
in+ 同相输入端等效电流噪声 f > 100kHz 31 pA/√Hz
in– 反相输入端等效电流噪声 f > 100kHz 20 pA/√Hz
直流性能
ZOL 开环跨阻增益 VO = ±10V 4.5 5.5
ZOL 开环跨阻增益 VO = ±10V,RL = 100Ω 4.1
VOS 输入偏移电压 ±0.8 ±3.5 mV
输入失调电压漂移(1) TJ = –40°C 至 +125°C 5 µV/°C
IB– 反相输入偏置电流 ±3 ±25 µA
反相输入偏置电流温漂 TJ = –40°C 至 +125°C 100 nA/°C
IB+ 同相输入偏置电流 ±1 ±15 µA
同相输入偏置电流温漂 TJ = –40°C 至 +125°C 70 nA/°C
ZIN+ 同相输入阻抗 900 || 1.5 kΩ || pF
ZIN- 反相输入阻抗 17 Ω
输入共模电压 VEE + 4 VCC – 4 V
输入
CMRR 共模抑制比 f = dc,VICM = ±2V 67 dB
f = dc,VICM = ±25V 72
输出
HROUT 任一电源的余量 RL = 开路 ±4 ±5 V
HROUT 任一电源的余量 RL = 100Ω ±4 ±5 V
IOUTLIN 线性输出电流 RL = 5Ω,VO = ±10V,ZOL > 200kΩ,拉电流和灌电流 1 1.35 A
IOUT 最大电流输出 1.5 A
ZOUT 输出直流阻抗 闭环 0.03 Ω
开环输出电阻 断电 11 kΩ
电源
IQ 静态电流 全偏置,空载,
ISNK/ISRC_LIMIT = 开路
31 32 mA
TJ = –40°C 至 +125°C 31 33
全偏置,空载,
ISNK/ISRC_LIMIT = 250mA
29 30
TJ = –40°C 至 +125°C 29 31
全偏置,空载,
ISNK/ISRC LIMIT = 1A
33 34
TJ = –40°C 至 +125°C 33 34
断电,空载,
ISNK/ISRC_LIMIT = 开路
14 16
TJ = –40°C 至 +125°C 14 16
PSRR 电源抑制比 VS = ±12V 至 ±30V 76 81 dB
裸片温度监测
OVTEMP_FLAG 状态标志低电平 165 °C
OVTEMP_FLAG 状态标志高电平 140 °C
TJ_SENSE 裸片温度输出电压 TJ = 25°C 1.55 V
TJ_SENSE 温度系数 TJ = -40°C 至 +125°C 4.8 mV/°C
TJ_SENSE 输出阻抗 50 kΩ
输出电流监测
IOUT_MONITOR 响应时间  以 1/2 Vs 为基准,配置 10kΩ 上拉电阻器 (VCC) 和 10kΩ 下拉电阻器 (VEE) 20 µs
IOUT_MONITOR 电压 以 1/2 Vs 为基准 VMID - 2V VMID + 2V V
IOUT_MONITOR 精度 IOUT = ±200mA 15 %
IOUT = ±1A 30
电流限制管理
输出电流限制 外部可调 200 1500 mA
电流限制响应时间  1 us
电流限制准确度 ILIMIT = ±200mA 5 15 %
ILIMIT = ±1A 5 15
数字输入(P0、P1、ISRC_LIM_ENISNK_LIM_EN
DGND 电压 VEE VCC – 12 V
数字输入引脚电压 相对于 DGND 0 5.0 V
数字输入引脚逻辑阈值 逻辑高电平,相对于 DGND 1.3 1.5 V
逻辑低电平,相对于 DGND 0.5 1.1
数字输入引脚偏置电流 VIN = 0V,相对于 DGND TJ = –40°C 至 +125°C -30 -13 30 µA
VIN = 5V,相对于 DGND TJ = –40°C 至 +125°C -30 -5 30
数字输出(ISRC_FLAGISNK_FLAGOVTEMP_FLAG
数字输出引脚电压 相对于 DGND 0 5.0 V
数字输出引脚电压高 相对于 DGND 4.9 4.99 V
数字输出引脚电压低 相对于 DGND 0.01 0.1 V
ISRC_FLAG 响应时间 5 µs
ISNK_FLAG 响应时间 5 µs
OVTEMP_FLAG 响应时间 5 µs
电流输出基于电迁移限制,实际性能取决于系统热性能。
由于大输出电流瞬变,1nF 之类高电容负载值会限制带宽。