ZHCSLQ7A April   2025  – October 2025 THS3470

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性 ±VS = ±30V
    6. 5.6 电气特性 ±VS = ±20V
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出电流限制
      2. 6.3.2 输出电流使能
      3. 6.3.3 过热标志
      4. 6.3.4 输出电流标志
      5. 6.3.5 输出电流监测
      6. 6.3.6 裸片温度监测
      7. 6.3.7 外部补偿
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 电源模式
      2. 6.4.2 选择反馈电阻器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 高电压、高精度复合放大器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 120V 自举放大器
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用性能曲线图
    3. 7.3 短路保护
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 散热注意事项
        1. 7.5.1.1 顶部冷却优势
        2. 7.5.1.2 THS3470 安全工作区
      2. 7.5.2 布局指南
      3. 7.5.3 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 卷带包装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • REB|42
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.2.1.2 详细设计过程

THS3470 设计用作高压摆率 (3000V/μs)、高输出电流 (±1.35A) 和高输出摆幅 (50VPP) 器件。这些性能特性使得 THS3470 成为高电压、高精度复合放大器输出放大器的理想选择。除了性能规格之外，THS3470 还拥有多种诊断功能，例如电流和温度标志以及电流和温度监测器，与分立式晶体管相比，这些功能可让系统设计人员严格控制和监测完整系统设计。

OPA863A 是一款高精度、高带宽放大器，非常适合用作复合环路中的输入放大器。OPA863A 的低失调电压 (95μV) 和低温漂 (1.2μV/°C) 使复合放大器能够稳定至目标输出端等效误差，并最大程度地降低从 THS3470 到 PCB 的功率耗散导致的发热效应。此外，OP863A (50MHz) 的高带宽可以最大限度地减少小信号纹波，从而在发生大型瞬态阶跃后实现快速稳定响应。

总复合放大器环路增益由 R1 和 R2 构成的外部反馈网络定义，其增益配置为 10。选择该值是为了优化 5V DAC，但也可以通过将 R1 更改为 100Ω 来轻松调整为增益 20，从而支持 3.3V DAC。THS3470 放大器的本地增益由 R3 和 R4 构成的反馈网络配置为 10，它对 DUT 输出增益的信号源没有太大影响。相反，该放大器将 OPA863A 获得的电压除以系数 10。该增益适用于 5V 电源的 OPA863A，因为 OPA863A 的最大输出范围仅为 5V。THS3470 的增益还将 OPA863A 的压摆率从该器件固有的 100V/μs 压摆率升至 1000V/μs。通过升高 THS3470 增益可以实现更快的压摆率，但在此配置中，升高压摆率并不总是等同于缩短稳定时间。

图 7-2 显示了一个用于表征复合环路设计性能的示例 PCB。如果没有复合环路，图 7-3 显示了在使用正常 THS3470EVM 时 5Ω 隔离电阻器的“DUT 侧”的 RS 之后发生的以输出为基准的误差。相比之下，图 7-4 显示了复合设计中隔离电阻器“DUT 侧”以输出为基准的误差小于 10mV。对于完整的 40VPP 阶跃，图 7-5 并排显示了 THS3470EVM 和复合放大器的瞬态行为。虽然复合放大器的精度得到了显著提高，但与默认 THS3470EVM 相比，复合设计的趋稳和压摆率性能确实有所下降。

THS3470 THS3470 复合放大器 PCB图 7-2 THS3470 复合放大器 PCB