ZHCSVW9 March   2024 TDA4AEN-Q1 , TDA4VEN-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
  6. 5 终端配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      10
      2.      11
    3. 5.3 信号说明
      1.      13
      2. 5.3.1  CPSW3G
        1. 5.3.1.1 MAIN 域
          1.        16
          2.        17
          3.        18
          4.        19
      3. 5.3.2  CPTS
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
          1.        22
      4. 5.3.3  CSI-2
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
          1.        25
          2.        26
          3.        27
          4.        28
      5. 5.3.4  DDRSS
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
          1.        31
      6. 5.3.5  DSI
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
          1.        34
      7. 5.3.6  DSS
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
          1.        37
      8. 5.3.7  ECAP
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
          1.        40
          2.        41
          3.        42
      9. 5.3.8  仿真和调试
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
          1.        45
        2. 5.3.8.2 MCU 域
          1.        47
      10. 5.3.9  EPWM
        1. 5.3.9.1 MAIN 域
          1.        50
          2.        51
          3.        52
          4.        53
      11. 5.3.10 EQEP
        1. 5.3.10.1 MAIN 域
          1.        56
          2.        57
          3.        58
      12. 5.3.11 GPIO
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
          1.        61
          2.        62
        2. 5.3.11.2 MCU 域
          1.        64
      13. 5.3.12 GPMC
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
          1.        67
      14. 5.3.13 I2C
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
          1.        70
          2.        71
          3.        72
          4.        73
          5.        74
        2. 5.3.13.2 MCU 域
          1.        76
        3. 5.3.13.3 WKUP 域
          1.        78
      15. 5.3.14 MCAN
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
          1.        81
          2.        82
        2. 5.3.14.2 MCU 域
          1.        84
          2.        85
      16. 5.3.15 MCASP
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
          1.        88
          2.        89
          3.        90
          4.        91
          5.        92
      17. 5.3.16 MCSPI
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
          1.        95
          2.        96
          3.        97
        2. 5.3.16.2 MCU 域
          1.        99
          2.        100
      18. 5.3.17 MDIO
        1. 5.3.17.1 MAIN 域
          1.        103
      19. 5.3.18 MMC
        1. 5.3.18.1 MAIN 域
          1.        106
          2.        107
          3.        108
      20. 5.3.19 OLDI
        1. 5.3.19.1 MAIN 域
          1.        111
      21. 5.3.20 OSPI
        1. 5.3.20.1 MAIN 域
          1.        114
      22. 5.3.21 电源
        1.       116
      23. 5.3.22 保留
        1.       118
      24. 5.3.23 SERDES
        1. 5.3.23.1 MAIN 域
          1.        121
          2.        122
          3.        123
      25. 5.3.24 系统和其他
        1. 5.3.24.1 启动模式配置
          1. 5.3.24.1.1 MAIN 域
            1.         127
        2. 5.3.24.2 时钟
          1. 5.3.24.2.1 MCU 域
            1.         130
          2. 5.3.24.2.2 WKUP 域
            1.         132
        3. 5.3.24.3 System
          1. 5.3.24.3.1 MAIN 域
            1.         135
          2. 5.3.24.3.2 MCU 域
            1.         137
          3. 5.3.24.3.3 WKUP 域
            1.         139
        4. 5.3.24.4 VMON
          1.        141
      26. 5.3.25 计时器
        1. 5.3.25.1 MAIN 域
          1.        144
        2. 5.3.25.2 MCU 域
          1.        146
        3. 5.3.25.3 WKUP 域
          1.        148
      27. 5.3.26 UART
        1. 5.3.26.1 MAIN 域
          1.        151
          2.        152
          3.        153
          4.        154
          5.        155
          6.        156
          7.        157
        2. 5.3.26.2 MCU 域
          1.        159
        3. 5.3.26.3 WKUP 域
          1.        161
      28. 5.3.27 USB
        1. 5.3.27.1 MAIN 域
          1.        164
          2.        165
    4. 5.4 引脚连接要求
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 采用 AMW 封装且通过 AEC - Q100 认证的器件的 ESD 等级
    3. 6.3 上电小时数 (POH)
    4. 6.4 建议运行条件
    5. 6.5 运行性能点
    6. 6.6 电气特性
      1. 6.6.1 I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.6.2 失效防护复位（FS 复位）电气特性
      3. 6.6.3 高频振荡器 (HFOSC) 电气特性
      4. 6.6.4 低频振荡器 (LFXOSC) 电气特性
      5. 6.6.5 SDIO 电气特性
      6. 6.6.6 LVCMOS 电气特性
      7. 6.6.7 CSI-2 (D-PHY) 电气特性
      8. 6.6.8 USB2PHY 电气特性
      9. 6.6.9 DDR 电气特性
    7. 6.7 一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.7.1 建议的 OTP eFuse 编程操作条件
      2. 6.7.2 硬件要求
      3. 6.7.3 编程序列
      4. 6.7.4 对硬件保修的影响
    8. 6.8 热阻特性
      1. 6.8.1 AMW 封装的热阻特性（待定）
    9. 6.9 时序和开关特性
      1. 6.9.1 时序参数和信息
      2. 6.9.2 电源要求
        1. 6.9.2.1 电源压摆率要求
        2. 6.9.2.2 电源时序
          1. 6.9.2.2.1 上电时序
          2. 6.9.2.2.2 下电时序
          3. 6.9.2.2.3 部分 IO 电源时序
      3. 6.9.3 系统时序
        1. 6.9.3.1 复位时序
        2. 6.9.3.2 错误信号时序
        3. 6.9.3.3 时钟时序
      4. 6.9.4 时钟规范
        1. 6.9.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.9.4.1.1 MCU_OSC0 内部振荡器时钟源
            1. 6.9.4.1.1.1 负载电容
            2. 6.9.4.1.1.2 并联电容
          2. 6.9.4.1.2 MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
          3. 6.9.4.1.3 WKUP_LFOSC0 内部振荡器时钟源
          4. 6.9.4.1.4 WKUP_LFOSC0 LVCMOS 数字时钟源
          5. 6.9.4.1.5 未使用 WKUP_LFOSC0
        2. 6.9.4.2 输出时钟
        3. 6.9.4.3 PLL
        4. 6.9.4.4 时钟和控制信号转换的建议系统预防措施
      5. 6.9.5 外设
        1. 6.9.5.1  ATL
          1. 6.9.5.1.1 ATL_PCLK 时序要求
          2. 6.9.5.1.2 ‌ATL_AWS[x] 时序要求
          3. 6.9.5.1.3 ‌ATL_BWS[x] 时序要求
          4. 6.9.5.1.4 ‌ATCLK[x] 开关特性
        2. 6.9.5.2  CPSW3G
          1. 6.9.5.2.1 CPSW3G MDIO 时序
          2. 6.9.5.2.2 CPSW3G RMII 时序
          3. 6.9.5.2.3 CPSW3G RGMII 时序
        3. 6.9.5.3  CPTS
        4. 6.9.5.4  CSI-2
        5. 6.9.5.5  CSI-2 TX
        6. 6.9.5.6  DDRSS
        7. 6.9.5.7  DSS
        8. 6.9.5.8  ECAP
        9. 6.9.5.9  仿真和调试
          1. 6.9.5.9.1 迹线
          2. 6.9.5.9.2 JTAG
        10. 6.9.5.10 EPWM
        11. 6.9.5.11 EQEP
        12. 6.9.5.12 GPIO
        13. 6.9.5.13 GPMC
          1. 6.9.5.13.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
          2. 6.9.5.13.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
          3. 6.9.5.13.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
        14. 6.9.5.14 I2C
        15. 6.9.5.15 MCAN
        16. 6.9.5.16 MCASP
        17. 6.9.5.17 MCSPI
          1. 6.9.5.17.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.9.5.17.2 MCSPI - 外设模式
        18. 6.9.5.18 MMCSD
          1. 6.9.5.18.1 MMC0 - eMMC 接口
            1. 6.9.5.18.1.1  旧 SDR 模式
            2. 6.9.5.18.1.2  高速 SDR 模式
            3. 6.9.5.18.1.3  高速 DDR 模式
            4. 6.9.5.18.1.4  HS200 模式
            5. 6.9.5.18.1.5  HS400 模式
            6. 6.9.5.18.1.6  UHS–I SDR12 模式
            7. 6.9.5.18.1.7  UHS–I SDR25 模式
            8. 6.9.5.18.1.8  UHS–I SDR50 模式
            9. 6.9.5.18.1.9  UHS–I DDR50 模式
            10. 6.9.5.18.1.10 UHS–I SDR104 模式
          2. 6.9.5.18.2 MMC1/MMC2 - SD/SDIO 接口
            1. 6.9.5.18.2.1 默认速度模式
            2. 6.9.5.18.2.2 高速模式
            3. 6.9.5.18.2.3 UHS–I SDR12 模式
            4. 6.9.5.18.2.4 UHS–I SDR25 模式
            5. 6.9.5.18.2.5 UHS–I SDR50 模式
            6. 6.9.5.18.2.6 UHS–I DDR50 模式
            7. 6.9.5.18.2.7 UHS–I SDR104 模式
        19. 6.9.5.19 OSPI
          1. 6.9.5.19.1 OSPI0 PHY 模式
            1. 6.9.5.19.1.1 具有 PHY 数据训练的 OSPI0
            2. 6.9.5.19.1.2 无数据训练的 OSPI0
              1. 6.9.5.19.1.2.1 OSPI0 PHY SDR 时序
              2. 6.9.5.19.1.2.2 OSPI0 PHY DDR 时序
          2. 6.9.5.19.2 OSPI0 Tap 模式
            1. 6.9.5.19.2.1 OSPI0 Tap SDR 时序
            2. 6.9.5.19.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序
        20. 6.9.5.20 PCIe
        21. 6.9.5.21 计时器
        22. 6.9.5.22 UART
        23. 6.9.5.23 USB
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
  9. 8 应用、实现和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 电源
        1. 8.1.1.1 配电网络实施指南
      2. 8.1.2 外部振荡器
      3. 8.1.3 JTAG、仿真和跟踪
      4. 8.1.4 未使用的引脚
    2. 8.2 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.2.1 LPDDR4 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.2.2 OSPI/QSPI/SPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.2.2.1 无环回、内部 PHY 环回和内部焊盘环回
        2. 8.2.2.2 外部电路板环回
        3. 8.2.2.3 DQS（仅适用于八路 SPI 器件）
      3. 8.2.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.2.4 系统电源监测设计指南
      5. 8.2.5 高速差分信号布线指南
      6. 8.2.6 散热解决方案指导
    3. 8.3 时钟布线指南
      1. 8.3.1 振荡器路由
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • AMW|594
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.9.5.19.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序

表 6-123、图 6-106、表 6-124 和图 6-107 展示了 OSPI0 的时序要求和开关特性 – Tap DDR 模式。

表 6-123 OSPI0 时序要求 – Tap DDR 模式 请参阅图 6-106
编号 模式 最小值 最大值 单位
O13 tsu(D-CLK) 建立时间，在有效 OSPI0_CLK 边沿之前 OSPI0_D[7:0] 有效 无环回 (17.04 - (0.975T(1)R(2))) ns
O14 th(CLK-D) 保持时间，在有效 OSPI0_CLK 边沿之后 OSPI0_D[7:0] 有效 无环回 (- 3.16 + (0.975T(1)R(2))) ns
(1) T = OSPI_RD_DATA_CAPTURE_REG[DELAY_FLD]
(2) R = 基准时钟周期时间（以 ns 为单位）
TDA4VEN-Q1 TDA4AEN-Q1 OSPI0 时序要求 – Tap DDR，无环回图 6-106 OSPI0 时序要求 – Tap DDR，无环回
表 6-124 OSPI0 开关特性 – Tap DDR 模式 请参阅图 6-107
编号 参数 模式 最小值 最大值 单位
O1 tc(CLK) 周期时间，OSPI0_CLK 40 ns
O2 tw(CLKL) 脉冲持续时间，OSPI0_CLK 低电平 ((0.475P(1)) - 0.3) ns
O3 tw(CLKH) 脉冲持续时间，OSPI0_CLK 高电平 ((0.475P(1)) - 0.3) ns
O4 td(CSn-CLK) 延迟时间，OSPI0_CSn[3:0] 有效边沿到 OSPI0_CLK 上升沿 ((0.475P(1)) + ((0.975M(2)R(5)) - 1) ((0.525P(1)) +( 1.025M(2)R(5)) + 1) ns
O5 td(CLK-CSn) 延迟时间，OSPI0_CLK 上升沿到 OSPI0_CSn[3:0] 无效边沿 ((0.475P(1)) + (0.975N(3)R(5)) - 1) ((0.525P(1)) + (1.025N(3)R(5)) + 1) ns
O6 td(CLK-D) 延迟时间，OSPI0_CLK 有效边沿到 OSPI0_D[7:0] 转换 (- 5.04 +
(0.975(T(4) + 1)R(5))
- (0.525P(1)))		 (3.64 +
(1.025(T(4) + 1)R(5))
- (0.475P(1)))		 ns
(1) P = SCLK 周期时间（以 ns 为单位）= OSPI0_CLK 周期时间（以 ns 为单位）
(2) M = OSPI_DEV_DELAY_REG[D_INIT_FLD]
(3) N = OSPI_DEV_DELAY_REG[D_AFTER_FLD]
(4) T = OSPI_RD_DATA_CAPTURE_REG[DDR_READ_DELAY_FLD]
(5) R = 基准时钟周期时间（以 ns 为单位）
TDA4VEN-Q1 TDA4AEN-Q1 OSPI0 开关特性 – Tap DDR，无环回图 6-107 OSPI0 开关特性 – Tap DDR，无环回