ZHCSY61E November   2002  – April 2025 OPA698

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 相关产品
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性 VS = ±5V
    6. 6.6 电气特性 VS = 5V
    7. 6.7 典型特性:VS = ±5V
    8. 6.8 典型特性:VS = 5V
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1  输出限幅器
      2. 8.1.2  输出驱动
      3. 8.1.3  散热注意事项
      4. 8.1.4  容性负载
      5. 8.1.5  频率响应补偿
      6. 8.1.6  脉冲趋稳时间
      7. 8.1.7  失真
      8. 8.1.8  噪声性能
      9. 8.1.9  直流精度和偏移控制
      10. 8.1.10 输入和 ESD 保护
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1  宽带电压-限幅操作
      2. 8.2.2  单电源非反相放大器
      3. 8.2.3  宽带反相操作
      4. 8.2.4  受限的输出,ADC 输入驱动器
        1. 8.2.4.1 输出受限的差分 ADC 输入驱动器
        2. 8.2.4.2 精密的半波整流器
      5. 8.2.5  高速全波整流器
        1. 8.2.5.1 高速全波整流器 #1
        2. 8.2.5.2 高速全波整流器 #2
      6. 8.2.6  软削波(压缩)电路
      7. 8.2.7  超高速施密特触发器
      8. 8.2.8  单位增益缓冲器
      9. 8.2.9  DC 恢复器
      10. 8.2.10 视频同步剥离器
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 演示装置
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (December 2008)to RevisionE (April 2025)

  • 更新了特性应用说明部分以及芯片重新设计规范;有关更新的规范,请参见规范部分Go
  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 添加了引脚配置和功能 Go
  • 绝对最大额定值 中的电源电压值从 ±6.5V 更改为 13VGo
  • 更新了绝对最大额定值 中的表注,添加了阐明信息Go
  • 绝对最大额定值中添加了电源导通和关断速率以及持续输入电流Go
  • 绝对最大规格中删除了焊流规格Go
  • 删除了 ESD 等级中的机器模型 (MM) 规格Go
  • 增加建议运行条件 Go
  • 删除了电气特性交流性能中的最小和过热规格Go
  • 将测试条件更新为两个电气特性,使之更加清晰Go
  • 更新了两个电气特性的表格式Go
  • 删除了电气特性中的 TA = 0°C 至 +70°C 规格Go
  • 删除了所有电气特性中的测试等级列Go
  • 将 G = 1V/V 时的 SSBW 从 450MHz 更改为 650MHzGo
  • 将 TA = 25°C 添加到两个电气特性的默认测试条件中。Go
  • 更新了交流性能部分,在两个电气特性中改善了典型小信号带宽、压摆率、电压噪声、电流噪声和失真值Go
  • 将增益带宽积从 250MHz 更改为 300MHzGo
  • 将增益为 1V/V 时的典型峰值从 5dB 更改为 1.5dBGo
  • 将典型压摆率规格从 1100V/µs 更改为 1800V/µsGo
  • 将 VO = 0.2V 阶跃时的上升和下降时间从 1.6ns 更改为 1.4nsGo
  • 将趋稳时间从 8ns 更改为 25nsGo
  • 将 RL = 500Ω 时的典型二阶谐波失真从 –74dBc 更改为 –94dBcGo
  • 删除了差分增益和差分相位规格Go
  • 将 RL = 500Ω 时的典型三阶谐波失真从 –87dBc 更改为 –85dBcGo
  • 将典型开环电压增益从 63dB 更改为 80dBGo
  • 将典型输入偏置电流从 3µA 更改为 ±0.2µA,并将输入偏移电流从 ±0.3µA 更改为 ±0.1µAGo
  • 将典型共模抑制比从 61dB 更改为 82dBGo
  • 将输入阻抗差分模式从 0.32 || 1MΩ|| pF 更改为1 || 0.3MΩ|| pFGo
  • 将典型输入阻抗共模从 3.5 || 1MΩ || pF 更改为 33 || 1.4MΩ || pFGo
  • 将 120mA 和 –120mA 的电流输出拉电流和灌电流更改为 +190mA 和 –190mAGo
  • 将最大限幅器输入偏置电流幅度,TA = –40°C 至 +85°C 从 64µA 更改为 65µAGo
  • 将典型限幅器输入阻抗从 3.4 || 1MΩ || pF 更改为 10 || 0.85MΩ|| pFGo
  • 将限幅器典型馈通从 –68dB 更改为 –95dBGo
  • 将典型限幅器偏移电压从 ±10mV 更改为 ±5mVGo
  • 将运算放大器输入偏置电流漂移从 3µA 更改为 0.15µAGo
  • 将限幅器小信号带宽从 600MHz 更改为 700MHzGo
  • 将限幅器压摆率规格从 125V/µs 更改为 175V/µsGo
  • 将最大和最小静态电流从 15.9mA 更改为 17.3mA,将 15.2mA 更改为 13.8mAGo
  • 将最小和最大静态电流,TA =–40°C 至+85°C 从 16.6mA 更改为 17.7mA,从 14.6mA 更改为 13.4mAGo
  • 将典型电源抑制比从 75dB 更改为 90dBGo
  • 热性能特性移至热性能信息表和建议运行条件Go
  • 将 G = 1V/V 时的 SSBW 从 375MHz 更改为 550MHzGo
  • 将增益带宽积从 230MHz 更改为 300MHzGo
  • 将增益平坦度典型值为 0.1dB 的典型带宽从 30MHz 更改为 26MHzGo
  • 在增益为 1V/V 时,将典型峰值从 7dB 更改为 2.5dBGo
  • 在 VO = 0.2V 阶跃时,上升和下降时间从 1.9ns 更改为 1.4nsGo
  • 将趋稳时间从 12ns 更改为 28nsGo
  • 将 RL = 500Ω 时的典型二阶谐波失真从 69dBc 更改为 –95dBcGo
  • 将 RL = 500Ω 时的典型三阶谐波失真从 73dBc 更改为 –81dBcGo
  • 将典型输入电压噪声值从 5.7nV/√Hz 更改为 4nV/√HzGo
  • 将典型输入电流噪声值从 2.3pA/√Hz 更改为 1.4pA/√HzGo
  • 将典型开环电压增益从 60dB 更改为 77dBGo
  • 将典型输入偏置电流从 ±3μA 更改为 ±0.5μA、将输入偏移电流从 ±0.4μA 更改为 ±0.1μAGo
  • 将典型共模抑制比从 58dB 更改为 82dBGo
  • 将输入阻抗差分模式从 0.32 || 1MΩ || pF 更改为 0.77 || 0.3MΩ || pFGo
  • 将典型输入阻抗共模从 3.5 || 1MΩ || pF 更改为 24 || 1.5MΩ || pFGo
  • 将电流输出源和灌电流从 70mA 和 –70mA 更改为170mA 和 –170mAGo
  • 将典型闭环输出阻抗从 0.2Ω 更改为 0.1ΩGo
  • 将限幅器输入偏置电流幅度从 16µA 更改为 8µAGo
  • 将限幅器输入阻抗从 3.4 || 1MΩ || pF 更改为 1 || 7MΩ || pFGo
  • 将限幅器典型馈通从 –60dB 更改为 –92dBGo
  • 删除了偏置电流漂移规格Go
  • 将限幅器小信号带宽从 450MHz 更改为 515MHzGo
  • 将限幅器压摆率从 100V/μs 更改为 150V/μsGo
  • 将限幅阶跃响应过冲从 55mV 更改为 40mVGo
  • 将限幅阶跃响应恢复时间从 3ns 更改为 2.5nsGo
  • 将最大静态电流从 14.9mA 更改为 17.2mAGo
  • 将静态电流典型值从 14.3mA 更改为 15.6mAGo
  • 将最大静态电流,TA = –40°C 至 +85°C,从 15.3mA 更改为 17.6mAGo
  • 将典型电源抑制比从 70dB 更改为 85dBGo
  • 更新了典型特性:VS =±5V,具有新的芯片特性Go
  • 更新了典型特性:VS = 5V,具有新的芯片特性Go
  • 采用电气特性和典型特性中的数据更新典型应用 Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (March 2006)to RevisionD (December 2008)

  • 将最低存储温度从 –40°C 更改为 –65°C。Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (September 2003)to RevisionC (March 2006)

  • 更改了演示固定装置部分中的电路板器件型号Go