ZHCSIW6N December   1991  – August 2025 LM4040-N , LM4040-N-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：2V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    6. 5.6  电气特性：2V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“I”
    7. 5.7  电气特性：2V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“E”
    8. 5.8  电气特性：2.5V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”（AEC 3 级）
    9. 5.9  电气特性：2.5V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“I”（AEC 3 级）
    10. 5.10 电气特性：2.5V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“E”（AEC 1 级）
    11. 5.11 电气特性：3V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    12. 5.12 电气特性：3V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“I”
    13. 5.13 电气特性：3V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“E”
    14. 5.14 电气特性：4.1V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    15. 5.15 电气特性：4.1V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    16. 5.16 电气特性：5V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    17. 5.17 电气特性：5V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    18. 5.18 电气特性：5V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“E”
    19. 5.19 电气特性：8.2V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    20. 5.20 电气特性：8.2V Lm4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    21. 5.21 电气特性：10V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    22. 5.22 电气特性：10V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    23. 5.23 典型特性
      1. 5.23.1 启动特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 并联稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 4.1V ADC 应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 限幅放大器
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
      4. 8.2.4 保护运算放大器输入
        1. 8.2.4.1 设计要求
        2. 8.2.4.2 详细设计过程
      5. 8.2.5 精度±4.096V 基准
        1. 8.2.5.1 设计要求
        2. 8.2.5.2 详细设计过程
      6. 8.2.6 精密电流阱/源
        1. 8.2.6.1 设计要求
        2. 8.2.6.2 详细设计过程
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 相关链接
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 SOT-23 与 SC70 封装标记信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.20 电气特性：8.2V Lm4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”

所有其他限值 TA = TJ = 25°C。C 级与 D 级的初始反向击穿电压容差分别指定为 ±0.5% 与 ±1%。
参数测试条件最小值(2)典型值(1)最大值(2)单位
VR反向击穿电压IR = 150μA8.192V
反向击穿电压容差(3)IR = 150μALM4040CIM3
LM4040CIZ  		TA = TJ = 25°C±41mV
TA = TJ = TMIN 至 TMAX±94
LM4040DIM3
LM4040DIZ  		TA = TJ = 25°C±82
TA = TJ = TMIN 至 TMAX±162
IRMIN最小工作电流LM4040CIM3
LM4040CIZ  		TA = TJ = 25°C6791μA
TA = TJ = TMIN 至 TMAX95
LM4040DIM3
LM4040DIZ  		TA = TJ = 25°C6796
TA = TJ = TMIN 至 TMAX100
ΔVR/ΔT平均反向击穿电压温度系数(3)IR = 10mA±40ppm/°C
IR = 1mALM4040CIM3
LM4040CIZ  		TA = TJ = 25°C±20
TA = TJ = TMIN 至 TMAX±100
LM4040DIM3
LM4040DIZ  		TA = TJ = 25°C±20
TA = TJ = TMIN 至 TMAX±150
IR = 150μA±20
ΔVR/ΔIR随着工作电流的变化，反向击穿电压会发生变化(4)IRMIN ≤ IR ≤ 1mALM4040CIM3
LM4040CIZ  		TA = TJ = 25°C0.61.3mV
TA = TJ = TMIN 至 TMAX2.5
LM4040DIM3
LM4040DIZ  		TA = TJ = 25°C0.61.7
TA = TJ = TMIN 至 TMAX3
1mA ≤ IR ≤ 15mALM4040CIM3
LM4040CIZ  		TA = TJ = 25°C710
TA = TJ = TMIN 至 TMAX18
LM4040DIM3
LM4040DIZ  		TA = TJ = 25°C715
TA = TJ = TMIN 至 TMAX24
ZR反向动态阻抗IR = 1mA, f = 120Hz,
IAC = 0.1 IR		LM4040CIM3
LM4040CIZ  		0.61.5Ω
LM4040DIM3
LM4040DIZ  		0.61.9
eN宽带噪声IR = 150μA
10Hz ≤ f ≤ 10kHz		130μVrms
ΔVR反向击穿电压长期稳定性t = 1000h
T = 25°C ±0.1°C
IR = 150μA		120ppm
VHYST热迟滞(5)ΔT = -40°C 至 125°C0.08%
(1) “典型值”是在 TJ = 25°C 下的值，表示最有可能达到的参数标准。
(2) 限值在 25°C 下经过 100% 的生产测试。利用统计质量控制 (SQC) 方法，通过相关性验证限值随温度的变化情况。该等限值用于计算 AOQL。
(3) 反向击穿电压容差的（过热）限值被定义为室温反向击穿电压容差 ±[(ΔVR/ΔT)(maxΔT)(VR)]。其中，ΔVR/ΔT 是 VR 温度系数，maxΔT 是从 25°C 的参考点到 TMIN 或 TMAX 的最大温差，VR 是反向击穿电压。maxΔT = 65°C 的工业温度范围内不同等级的总过热容差如下所示：
A 级：±0.75% = ±0.1% ±100ppm/°C × 65°C
B 级：±0.85% = ±0.2% ±100ppm/°C × 65°C
C 级：±1.15% = ±0.5% ±100ppm/°C × 65°C
D 级：±1.98% = ±1.0% ±150ppm/°C × 65°C
E 级：±2.98% = ±2.0% ±150ppm/°C × 65°C
工作温度范围内不同等级的总过热容差（最大值 ΔT = 100°C）如下所示：
C 级：±1.5% = ±0.5% ±100ppm/°C × 100°C
D 级：±2.5% = ±1.0% ±150ppm/°C × 100°C
E 级：±3.5% = ±2.0% ±150ppm/°C × 100°C
因此，例如，A 级 2.5V LM4040-N 具有 ±2.5V × 0.75% = ±19mV 的过热反向击穿电压容差。
(4) 对于负载调整，在从空载到指定负载电流的脉冲基准上进行测量。必须单独考虑芯片温度变化引起的输出变化。
(5) 热迟滞定义为循环至温度 –40°C 后在 25°C 测得的电压与循环至温度 125°C 后在 25°C 测得的电压之间的差异。