ZHCSIW6N December   1991  – August 2025 LM4040-N , LM4040-N-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性：2V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    6. 5.6  电气特性：2V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“I”
    7. 5.7  电气特性：2V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“E”
    8. 5.8  电气特性：2.5V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”（AEC 3 级）
    9. 5.9  电气特性：2.5V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“I”（AEC 3 级）
    10. 5.10 电气特性：2.5V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“E”（AEC 1 级）
    11. 5.11 电气特性：3V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    12. 5.12 电气特性：3V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“I”
    13. 5.13 电气特性：3V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”；温度等级“E”
    14. 5.14 电气特性：4.1V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    15. 5.15 电气特性：4.1V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    16. 5.16 电气特性：5V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    17. 5.17 电气特性：5V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    18. 5.18 电气特性：5V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“E”
    19. 5.19 电气特性：8.2V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    20. 5.20 电气特性：8.2V Lm4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    21. 5.21 电气特性：10V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”
    22. 5.22 电气特性：10V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”；温度等级“I”
    23. 5.23 典型特性
      1. 5.23.1 启动特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 并联稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 4.1V ADC 应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 限幅放大器
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
      4. 8.2.4 保护运算放大器输入
        1. 8.2.4.1 设计要求
        2. 8.2.4.2 详细设计过程
      5. 8.2.5 精度±4.096V 基准
        1. 8.2.5.1 设计要求
        2. 8.2.5.2 详细设计过程
      6. 8.2.6 精密电流阱/源
        1. 8.2.6.1 设计要求
        2. 8.2.6.2 详细设计过程
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 相关链接
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 SOT-23 与 SC70 封装标记信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.14 电气特性：4.1V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”；温度等级“I”

所有其他限值 TA = TJ = 25°C。A 级与 B 级的初始反向击穿电压容差分别指定为 ±0.1% 与 ±0.2%。
参数 测试条件 最小值(2) 典型值(1) 最大值(2) 单位
VR 反向击穿电压 IR = 100μA 4.096 V
反向击穿电压容差(3) IR = 100μA LM4040AIM3
LM4040AIZ		 TA = TJ = 25°C ±4.1 mV
TA = TJ = TMIN 至 TMAX ±31
LM4040BIM3
LM4040BIZ
LM4040BIM7		 TA = TJ = 25°C ±8.2
TA = TJ = TMIN 至 TMAX ±35
IRMIN 最小工作电流 TA = TJ = 25°C 50 68 μA
TA = TJ = TMIN 至 TMAX 73
ΔVR/ΔT 平均反向击穿电压温度系数(3) IR = 10mA ±30 ppm/°C
IR = 1mA TA = TJ = 25°C ±20
TA = TJ = TMIN 至 TMAX ±100
IR = 100μA ±20
ΔVR/ΔIR 随着工作电流的变化，反向击穿电压会发生变化(4) IRMIN ≤ IR ≤ 1mA TA = TJ = 25°C 0.5 0.9 mV
TA = TJ = TMIN 至 TMAX 1.2
1mA ≤ IR ≤ 15mA TA = TJ = 25°C 3 7
TA = TJ = TMIN 至 TMAX 10
ZR 反向动态阻抗 IR = 1mA, f = 120Hz,
IAC = 0.1 IR		 0.5 1 Ω
eN 宽带噪声 IR = 100μA
10Hz ≤ f ≤ 10kHz		 80 μVrms
ΔVR 反向击穿电压长期稳定性 t = 1000h
T = 25°C ±0.1°C
IR = 100μA		 120 ppm
VHYST 热迟滞(5) ΔT = -40°C 至 125°C 0.08%
(1) “典型值”是在 TJ = 25°C 下的值，表示最有可能达到的参数标准。
(2) 限值在 25°C 下经过 100% 的生产测试。利用统计质量控制 (SQC) 方法，通过相关性验证限值随温度的变化情况。该等限值用于计算 AOQL。
(3) 反向击穿电压容差的（过热）限值被定义为室温反向击穿电压容差 ±[(ΔVR/ΔT)(maxΔT)(VR)]。其中，ΔVR/ΔT 是 VR 温度系数，maxΔT 是从 25°C 的参考点到 TMIN 或 TMAX 的最大温差，VR 是反向击穿电压。maxΔT = 65°C 的工业温度范围内不同等级的总过热容差如下所示：
A 级：±0.75% = ±0.1% ±100ppm/°C × 65°C
B 级：±0.85% = ±0.2% ±100ppm/°C × 65°C
C 级：±1.15% = ±0.5% ±100ppm/°C × 65°C
D 级：±1.98% = ±1.0% ±150ppm/°C × 65°C
E 级：±2.98% = ±2.0% ±150ppm/°C × 65°C
工作温度范围内不同等级的总过热容差（最大值 ΔT = 100°C）如下所示：
C 级：±1.5% = ±0.5% ±100ppm/°C × 100°C
D 级：±2.5% = ±1.0% ±150ppm/°C × 100°C
E 级：±3.5% = ±2.0% ±150ppm/°C × 100°C
因此，例如，A 级 2.5V LM4040-N 具有 ±2.5V × 0.75% = ±19mV 的过热反向击穿电压容差。
(4) 对于负载调整，在从空载到指定负载电流的脉冲基准上进行测量。必须单独考虑芯片温度变化引起的输出变化。
(5) 热迟滞定义为循环至温度 –40°C 后在 25°C 测得的电压与循环至温度 125°C 后在 25°C 测得的电压之间的差异。