ZHCSIW6N December   1991  – August 2025 LM4040-N , LM4040-N-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性:2V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”
    6. 5.6  电气特性:2V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”;温度等级“I”
    7. 5.7  电气特性:2V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”;温度等级“E”
    8. 5.8  电气特性:2.5V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”(AEC 3 级)
    9. 5.9  电气特性:2.5V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”;温度等级“I”(AEC 3 级)
    10. 5.10 电气特性:2.5V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”;温度等级“E”(AEC 1 级)
    11. 5.11 电气特性:3V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”
    12. 5.12 电气特性:3V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”;温度等级“I”
    13. 5.13 电气特性:3V LM4040-N VR 容差等级“C”、“D”与“E”;温度等级“E”
    14. 5.14 电气特性:4.1V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”
    15. 5.15 电气特性:4.1V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”;温度等级“I”
    16. 5.16 电气特性:5V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”
    17. 5.17 电气特性:5V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”;温度等级“I”
    18. 5.18 电气特性:5V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”;温度等级“E”
    19. 5.19 电气特性:8.2V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”
    20. 5.20 电气特性:8.2V Lm4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”;温度等级“I”
    21. 5.21 电气特性:10V LM4040-N VR 容差等级“A” 与 “B”;温度等级“I”
    22. 5.22 电气特性:10V LM4040-N VR 容差等级“C” 与 “D”;温度等级“I”
    23. 5.23 典型特性
      1. 5.23.1 启动特性
  7. 参数测量信息
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 并联稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 4.1V ADC 应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 限幅放大器
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计过程
      4. 8.2.4 保护运算放大器输入
        1. 8.2.4.1 设计要求
        2. 8.2.4.2 详细设计过程
      5. 8.2.5 精度±4.096V 基准
        1. 8.2.5.1 设计要求
        2. 8.2.5.2 详细设计过程
      6. 8.2.6 精密电流阱/源
        1. 8.2.6.1 设计要求
        2. 8.2.6.2 详细设计过程
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 相关链接
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 SOT-23 与 SC70 封装标记信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

应用信息

LM4040-N 是一款经过曲率校正的精密微功耗带隙并联电压基准。对于空间关键型应用,LM4040-N 采用 SOT-23 与 SC70 表面贴装封装。LM4040-N 设计用于在“+”引脚和“−”引脚之间不连接外部电容器情况下稳定运行。不过,如果使用了旁路电容器,LM4040-N 仍可以保持稳定。采用多种固定式反向击穿电压,能够减少设计工作量:2.048V、2.5V、3V、4.096V、5V、8.192V 和 10V。最小工作电流从 LM4040-N-2.048 与 LM4040-N-2.5 的 60µA 增加到 10V LM4040-N 的 100μA。所有版本的最大工作电流均为 15mA。

采用 SOT-23 封装的 LM4040-N 在引脚 2 (−) 与引脚 3(芯片连接接口触点)之间有一个寄生肖特基二极管。因此,SOT-23 封装的引脚 3 必须悬空或连接至引脚 2。

SC70 中的 LM4040-N 在引脚 1 (−) 与引脚 2(芯片连接接口触点)之间有一个寄生肖特基二极管。因此,引脚 2 必须悬空或连接至引脚 1。

4.096V 版本允许单个 5V 12 位的 ADC 或 DAC 在等于 1mV 的 LSB 下工作。对于在 10V 或更高电压下工作的 12 位 ADC 或 DAC,8.192V 版本能够提供每 LSB 2mV 的电压。

典型热滞后规格定义为在热循环以后测量的 25°C 下的电压变化。将器件热循环至 -40°C,然后在 25°C 下测量。随后,将器件热循环至 125°C,再次在 25°C 下测量。两次 25°C 下的测量结果之间的 VOUT 变化偏移就是热滞后。在精密基准中,热滞后非常常见,是由热机械封装应力引起的。环境存储温度、工作温度以及电路板安装温度的变化都属于可能导致热滞后的因素。

在传统的并联稳压器应用 (图 8-1) 中,电源电压与 LM4040-N 之间连接了一个外部串联电阻器 (RS)。RS 决定了流经负载 (IL) 与 LM4040-N (IQ)的电流。由于负载电流与电源电压可能发生变化,因此,RS 必须足够小,以便确保即使在电源电压为最小值,负载电流为最大值情况下,也能够至少为 LM4040-N 提供可接受的最小 IQ。当电源电压为最大值,IL 为最小值时,RS 必须足够大,以便确保流过 LM4040-N 的电流小于 15mA。

RS 取决于电源电压 (VS)、负载电流与工作电流 (IL 与 IQ) 以及 LM4040-N 的反向击穿电压 VR

方程式 1. LM4040-N LM4040-N-Q1