ZHCSO97A May   2023  – December 2023 DRV8845

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型工作特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电机配置
      2. 7.3.2 步进电机控制逻辑
      3. 7.3.3 直流电机控制
      4. 7.3.4 PWM 电流控制
      5. 7.3.5 电流调节和衰减模式
      6. 7.3.6 消隐时间
      7. 7.3.7 电荷泵
      8. 7.3.8 逻辑电平引脚图
      9. 7.3.9 保护电路
        1. 7.3.9.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.9.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.9.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.9.4 热关断 (OTSD)
        5. 7.3.9.5 故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 7.4.4 功能模式汇总
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 应用原理图
    3. 8.3 应用曲线
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 大容量电容
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源 (VM)
IVMVM 工作电源电流nSLEEP = 1，IOUT = 0mA，输出开启，PWM = 50kHz，直流 = 50%

9

14

mA

nSLEEP = 1，输出关闭

3.5

4.5

mA

nSLEEP = 0

1.3

3

μA

tSLEEP

睡眠时间

nSLEEP = 0 以进入睡眠模式

120

μs

tRESET

nSLEEP 复位脉冲

nSLEEP 低电平至清除故障

20

40

μs

tWAKE

唤醒时间

nSLEEP = 1 至输出转换

0.62

0.8

ms

tON导通时间VM > UVLO 至输出转换

0.62

0.8

ms

电荷泵（VCP、CP1、CP2）
VVCPVCP 工作电压VVM > 6 VVVM + 5V
f(VCP)电荷泵开关频率VVM > UVLO，nSLEEP = 1380kHz
逻辑电平输入
VIL输入逻辑低电平电压

0

0.8

V
VIH输入逻辑高电平电压

2

5.5

V

VHYS

输入逻辑迟滞

140

270

400

mV

IINL

逻辑输入低电流

VIN = 0V

-1

1

μA

IINH逻辑输入高电流VIN = 5V

30

μA
tPD传播延迟PWM 更改为拉电流开启

300

600

900

ns
PWM 更改为拉电流关闭

150

700

ns

PWM 更改为灌电流开启

300

600

900

ns

PWM 更改为灌电流关闭

150

700

ns

电机驱动器输出
RDS(ONH)高侧 FET 导通电阻TJ = 25°C，IO = -1。2A450550mΩ
TJ = 125°C、IO = -1.2 A700850mΩ
TJ = 150°C、IO = -1.2 A780950mΩ
RDS(ONL)低侧 FET 导通电阻TJ = 25°C、IO = 1.2 A450550mΩ
TJ = 125°C、IO = 1.2 A700850mΩ
TJ = 150°C、IO = 1.2 A780950mΩ

Vf

体二极管正向电压

IO = ± 1.2A

1.2

V

IDSS

输出泄漏

输出，VOUT = 0 至 VM

-2

7

μA

tSR输出上升/下降时间VM = 24V，IO = 1.2 A，介于 10% 和 90% 之间100ns

tD

死区时间

90

425

600

ns

tBLANK

电流检测消隐时间 ((1))

1

μs

PWM 电流控制 (VREFx)
IVREFxVREFx 引脚基准输入电流VREF = 1.5 V

-1

1

μA
tOFFPWM 关断时间

16

μs
ΔITRIP电流跳变精度

VVREFx = 1.5V，相电流 = 100%

-2

2

%
VVREFx = 1.5V，相电流 = 67%-3

3

VVREFx = 1.5V，相电流 = 33%-7

7

保护电路
VMUVLOVM UVLO

阈值

VM 下降4.14.254.35V
VM 上升4.24.344.45
VMUVLO,HYS

VM UVLO

磁滞		上升至下降阈值

90

mV
VCPUV电荷泵欠压VCP 下降VVM + 2V
IOCP过流保护流经任何 FET 的电流2.5A
tOCP过流抗尖峰时间2.1μs
TOTSD热关断内核温度 TJ155165175°C
THYS_OTSD热关断迟滞内核温度 TJ20°C
(1)

受设计保证。