ZHCSYV0 August 2025 DRV8844A
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电源 | ||||||
| IVM | VM 工作电源电流 | VM = 24V,fPWM < 50kHz | 1 | 5 | mA | |
| IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | VM = 24V | 500 | 800 | μA | |
| VUVLO | VM 欠压锁定电压 | VM 上升 | 6.3 | 8 | V | |
| V3P3OUT 稳压器 | ||||||
| V3P3 | V3P3OUT 电压 | IOUT = 0 至 1mA | 3.18 | 3.3 | 3.52 | V |
| 逻辑电平输入 | ||||||
| VIL | 输入低电压 | LGND + 0.6 | LGND + 0.7 | V | ||
| VIH | 输入高电压 | LGND + 2.2 | LGND + 5.25 | V | ||
| VHYS | 输入迟滞 | 50 | 600 | mV | ||
| IIL | 输入低电流 | VIN = LGND | -5 | 5 | μA | |
| IIH | 输入高电流 | VIN = LGND + 3.3V | 100 | μA | ||
| RPD | 内部下拉电阻 | 100 | kΩ | |||
| nFAULT 输出(漏极开路输出) | ||||||
| VOL | 输出低电压 | IO = 5mA | LGND + 0.5 | V | ||
| IOH | 输出高电平漏电流 | VO = LGND + 3.3V | 1 | μA | ||
| H 桥 FET | ||||||
| RDS(ON) | HS FET 导通电阻 | VM = 24V,IO = 1A,TJ = 25°C | 0.21 | Ω | ||
| VM = 24V,IO = 1A,TJ = 85°C | 0.25 | 0.34 | ||||
| LS FET 导通电阻 | VM = 24V,IO = 1A,TJ = 25°C | 0.21 | ||||
| VM = 24V,IO = 1A,TJ = 85°C | 0.25 | 0.34 | ||||
| IOFF | 关断状态漏电流 | -2 | 2 | μA | ||
| 保护电路 | ||||||
| IOCP | 过流保护跳变电平 | 5 | A | |||
| tDEAD | 输出死区时间 | 90 | ns | |||
| tOCP | 过流保护抗尖峰脉冲时间 | 5 | µs | |||
tCLR_FAULT | 用于清除故障的最小脉冲宽度 | 5 | µs | |||
| TTSD | 热关断温度 | 裸片温度 | 150 | 160 | 180 | °C |