ZHCSYV0 August 2025 DRV8844A
PRODUCTION DATA
DRV8844A 中的功率耗散主要由输出 FET 电阻或 RDS(ON) 中耗散的功率决定。每个 H 桥在运行直流电机时的平均功耗可以通过方程式 5 大致估算。

其中
IOUT 等于直流电机消耗的平均电流。请注意,在启动和故障情况下,相应的电流远大于正常运行电流;需要将这些峰值电流及持续时间也考虑在内。因数 2 来自这样的事实,即两个 FET 在任何时刻导通绕组电流(一个高侧和一个低侧)。
总器件耗散是两个 H 桥中每一个耗散的总功率。
器件中可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。
请注意,RDS(ON) 随温度升高而增加,因此随着器件发热,功率耗散也会增大。在确定散热器尺寸时,必须考虑到这一点。