ZHCSYV0 August   2025 DRV8844A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出级
      2. 6.3.2 逻辑输入
      3. 6.3.3 电桥控制
      4. 6.3.4 电荷泵
      5. 6.3.5 保护电路
        1. 6.3.5.1 过流保护 (OCP)
        2. 6.3.5.2 热关断 (TSD)
        3. 6.3.5.3 欠压锁定 (UVLO)
      6. 6.3.6 CLR_FAULT 与 nSLEEP 运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 应用信息
      1. 7.2.1 驱动螺线管负载
      2. 7.2.2 驱动步进电机
      3. 7.2.3 驱动有刷直流电机
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 大容量电容
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
      3. 7.4.3 散热注意事项
        1. 7.4.3.1 散热
      4. 7.4.4 功率耗散
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 社区资源
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4.1 布局指南

  • 使用推荐电容为 0.1µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 VNEG 引脚。此类电容器尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的布线或接地平面与器件 VNEG 引脚连接。
  • 必须在 CP1 和 CP2 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.01µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
  • 必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.1µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。
  • 使用低 ESR 陶瓷电容器将 V3P3OUT 引脚旁路至接地。建议使用一个电容值为 0.47µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
  • 通常，必须避免电源引脚和去耦电容器之间的电感。
  • 封装的散热焊盘必须连接至系统接地端。
    • 尝试让整个系统/电路板使用一个大的不间断单一接地平面。接地平面可在 PCB 底层制成。图 7-8 所示为驱动器下方收缩的与连续的接地平面覆铜引起的温升示例。
    • 为了尽可能减小阻抗和电感，在通过通孔连接至底层接地平面之前，接地引脚的布线尽可能短且宽。
    • 建议使用多个通孔来降低阻抗。
    • 尽量清理器件周围的空间（尤其是在 PCB 底层），从而改善散热。
    • 连接至散热焊盘的单个或多个内部接地平面也有助于散热并降低热阻。
  • 有关布局指南和最佳实践的更多信息，请参阅应用手册电机驱动器电路板布局最佳实践。
DRV8844A 中断接地平面覆铜与连续接地平面覆铜的热图图 7-8 中断接地平面覆铜与连续接地平面覆铜的热图