ZHCSQE7 august   2023 DRV8213

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序图
    7. 7.7 典型工作特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 外部元件
    4. 8.4 特性说明
      1. 8.4.1 电桥控制
      2. 8.4.2 电流检测和调节 (IPROPI)
        1. 8.4.2.1 电流检测和电流镜增益选择
        2. 8.4.2.2 电流调节
      3. 8.4.3 硬件失速检测
      4. 8.4.4 保护电路
        1. 8.4.4.1 过流保护 (OCP)
        2. 8.4.4.2 热关断 (TSD)
        3. 8.4.4.3 VM 欠压锁定 (UVLO)
    5. 8.5 器件功能模式
      1. 8.5.1 运行模式
      2. 8.5.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.5.3 故障模式
    6. 8.6 引脚图
      1. 8.6.1 逻辑电平输入
      2. 8.6.2 三电平输入
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 有刷直流电机
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电机电压
          2. 9.2.1.2.2 电机电流
        3. 9.2.1.3 失速检测
          1. 9.2.1.3.1 详细设计过程
            1. 9.2.1.3.1.1 硬件失速检测应用说明
              1. 9.2.1.3.1.1.1 硬件失速检测时序
              2. 9.2.1.3.1.1.2 硬件失速阈值选择
            2. 9.2.1.3.1.2 软件失速检测应用说明
              1. 9.2.1.3.1.2.1 软件失速检测时序
              2. 9.2.1.3.1.2.2 软件失速阈值选择
        4. 9.2.1.4 应用曲线
        5. 9.2.1.5 热性能
          1. 9.2.1.5.1 稳态热性能
          2. 9.2.1.5.2 瞬态热性能
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

DSG：1.65V ≤ VVM ≤ 11V，RTE：0V ≤ VVM ≤ 11V 且 1.65V ≤ VVCC ≤ 5.5V，–40°C ≤ TJ ≤ 150°C（除非另有说明）。
典型值在 TJ = 27°C、VVM = 5V、VVCC = 3.3V 下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源，DSG (VM)
IVMQ VM 睡眠模式电流 IN1 = IN2 = 0V，等待 tAUTOSLEEP 后，VVM = 5V，TJ = 27°C 20 60 nA
IVM VM 活动模式电流 IN1 = 3.3V、IN2 = 0V 1.2 1.9 mA
tWAKE 开通时间 睡眠模式到工作模式延迟 250 μs
tAUTOSLEEP 自动睡眠关闭时间 工作模式到自动睡眠模式延迟 0.7 1 1.3 ms
fVCP 电荷泵开关频率 6000 kHz
电源，RTE（VM、VCC）
IVMQ VM 睡眠模式电流 IN1 = IN2 = 0V，等待 tAUTOSLEEP 后，VVM = 5V、VVCC = 3.3V、TJ = 27°C 10 20 nA
IVM VM 活动模式电流 IN1 = 3.3V、IN2 = 0V、VVM = 5V、VVCC = 3.3V 0.83 1 mA
IVCCQ VCC 睡眠模式电流 IN1 = IN2 = 0V，等待 tAUTOSLEEP 后，VVM = 5V、VVCC = 3.3V、TJ = 27°C 6 12 nA
IVCC VCC 运行模式电流 IN1 = 3.3V、IN2 = 0V、VVM = 5V、VVCC = 3.3V 0.46 0.6 mA
tWAKE 开通时间 睡眠模式到工作模式延迟 250 μs
tAUTOSLEEP 自动睡眠关闭时间 工作模式到自动睡眠模式延迟 0.75 0.9 1.05 ms
逻辑电平输入（IN1、IN2）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.4 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.45 5.5 V
VHYS 输入滞后 40 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VI = 0V -1 1 µA
IIH 输入逻辑高电流 VINx = 5V 15 35 µA
VnSTALL = VCC 40 nA
RPD 输入下拉电阻，INx 200 kΩ
tDEGLITCH 输入逻辑抗尖峰，INx 50 ns
三电平输入（IMODE、SMODE）
VTHYS 三电平输入逻辑低电压 0 0.4 V
ITIL 三电平输入高阻抗电压 0.75 1.05 V
ITIZ 三电平输入逻辑高电压 1.45 5.5 V
RTPD 三电平下拉电阻 至 GND 83 kΩ
ITPU 三电平上拉电流 接至 VCC 10.5 µA
开漏输出（nFAULT、nSTALL）
VOL 输出逻辑低电压 IOD = 5mA 0.4 V
IOZ 输出逻辑高电流 VOD = VCC -1 1 µA
驱动器输出（OUTx）
RDS(ON)_HS 高侧 MOSFET 导通电阻 IOUTx = 1A 120 280 mΩ
RDS(ON)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻、350mA 至 2A GAINSEL = 低电平 120 260 mΩ
RDS(ON)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻、60mA 至 350mA GAINSEL = 高阻态 460 900 mΩ
RDS(ON)_LS 低侧 MOSFET 导通电阻、10mA 至 60mA GAINSEL = 高电平 2100 4000 mΩ
VSD 体二极管正向电压 IOUTx = -1A 0.9 V
tRISE 输出上升时间 VOUTx 从 VVM 的 10% 上升至 90% 70 ns
tFALL 输出下降时间 VOUTx 从 VVM 的 90% 下降至 10% 40 ns
tPDR 输入高电平至输出高电平传播延迟 输入至 OUTx 450 ns
tPDF 输入低电平至输出低电平传播延迟 输入至 OUTx 450 ns
tDEAD 输出死区时间 500 ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）
VREF_INT 内部基准电压 对于 RTE 封装和 DSG 封装，SMODE = 开路 470 510 550 mV
AIPROPI_H 电流比例因子 GAINSEL = 低电平 205 µA/A
AIPROPI_M 电流比例因子 GAINSEL = 高阻态 1050 µA/A
AIPROPI_L 电流比例因子 GAINSEL = 高电平 4900 µA/A
AERR_H 电流镜总误差、350mA 至 2A GAINSEL = 低电平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V -6 6 %
AERR_H 电流镜总误差、350mA 至 2A GAINSEL = 低电平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V -6 6 %
AERR_M 电流镜总误差、60mA 至 350mA GAINSEL = 高阻态，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V -6 6 %
GAINSEL = 高阻态，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V -6 6 %
AERR_L 电流镜总误差、10mA 至 60mA GAINSEL = 高电平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ VVM ≤ 11V -6 6 %
GAINSEL = 高电平，VIPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ VVM ≤ 3.3V -6 6 %
tOFF 电流调节关断时间 20 µs
tBLANK 电流调节消隐时间 1.8 µs
tDELAY 电流检测延迟时间 1.5 µs
tDEG 电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间 2 µs
硬件失速检测 (TINRUSH)
VTINRUSH_trip 用于设置 tINRUSH 时序的阈值电压 0.97 1 1.03 V
ITINRUSH 从 TINRUSH 引脚流出的电流 输入转换至 IN1=IN2=0、VTINRUSH < VTINRUSH_trip 之外的状态 8 10 12 µA
tdischarge TINRUSH 电容器放电时间 0.8nF ≤ CTINRUSH ≤ 0.8µF 100 µs
tSTALL_RETRY IN1/IN2 = 0/0 时从失速情况恢复的持续时间（重试类型） 350 900 µs
保护电路
VUVLO_VM VM 电源欠压锁定 (UVLO)、DSG 电源上升 1.65 V
电源下降 1.30 V
VUVLO_VCC VCC 电源欠压锁定 (UVLO)、RTE 电源上升 1.65 V
电源下降 1.30 V
VUVLO_HYS 电源 UVLO 迟滞 上升至下降阈值 150 mV
tUVLO 电源欠压抗尖峰脉冲时间 VVM 下降 (DSG) 或 VVCC 下降 (RTE) 至 OUTx 禁用 10 µs
IOCP 过流保护跳闸点、350mA 至 2A 4 A
IOCP 过流保护跳闸点、60mA 至 350mA 0.8 A
IOCP 过流保护跳闸点、10mA 至 60mA 0.16 A
tOCP 过流保护抗尖峰脉冲时间 4.2 µs
tRETRY 故障重试时间 1.5 ms
TTSD 热关断温度 165 175 185 °C
THYS 热关断迟滞 17 °C