ZHCSXG8A September   2024  – March 2025 DRV81602-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制引脚
        1. 7.3.1.1 输入引脚
        2. 7.3.1.2 nSLEEP 引脚
      2. 7.3.2 电源
        1. 7.3.2.1 运行模式
          1. 7.3.2.1.1 上电
          2. 7.3.2.1.2 睡眠模式
          3. 7.3.2.1.3 空闲模式
          4. 7.3.2.1.4 工作模式
          5. 7.3.2.1.5 跛行回家模式
        2. 7.3.2.2 复位条件
      3. 7.3.3 功率级
        1. 7.3.3.1 开关电阻性负载
        2. 7.3.3.2 电感式输出钳位
        3. 7.3.3.3 最大负载电感
        4. 7.3.3.4 反向电流行为
        5. 7.3.3.5 并联开关通道
        6. 7.3.3.6 灯泡浪涌模式 (BIM)
        7. 7.3.3.7 集成 PWM 发生器
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1 VM 欠压
        2. 7.3.4.2 过流保护
        3. 7.3.4.3 过热保护
        4. 7.3.4.4 过热警告
        5. 7.3.4.5 跛行回家模式下的过热和过流保护
        6. 7.3.4.6 反极性保护
        7. 7.3.4.7 过压保护
        8. 7.3.4.8 输出状态监控
        9. 7.3.4.9 开启状态下提供开路负载检测
          1. 7.3.4.9.1 开启时的开路负载 - 直接通道诊断
          2. 7.3.4.9.2 开启时的开路负载 - 诊断回路
          3. 7.3.4.9.3 OLON 位
      5. 7.3.5 SPI 通信
        1. 7.3.5.1 SPI 信号说明
          1. 7.3.5.1.1 片选 (nSCS)
            1. 7.3.5.1.1.1 逻辑高电平到逻辑低电平转换
            2. 7.3.5.1.1.2 逻辑低电平到逻辑高电平转换
          2. 7.3.5.1.2 串行时钟 (SCLK)
          3. 7.3.5.1.3 串行数据输入 (SDI)
          4. 7.3.5.1.4 串行数据输出 (SDO)
        2. 7.3.5.2 菊花链功能
        3. 7.3.5.3 SPI 协议
        4. 7.3.5.4 SPI 寄存器
          1. 7.3.5.4.1  标准诊断寄存器
          2. 7.3.5.4.2  输出控制寄存器
          3. 7.3.5.4.3  灯泡浪涌模式寄存器
          4. 7.3.5.4.4  输入 0 映射寄存器
          5. 7.3.5.4.5  输入 1 映射寄存器
          6. 7.3.5.4.6  输入状态监控寄存器
          7. 7.3.5.4.7  开路负载电流控制寄存器
          8. 7.3.5.4.8  输出状态监控寄存器
          9. 7.3.5.4.9  开启时开路负载寄存器
          10. 7.3.5.4.10 EN_OLON 寄存器
          11. 7.3.5.4.11 配置寄存器
          12. 7.3.5.4.12 输出清除锁存寄存器
          13. 7.3.5.4.13 FPWM 寄存器
          14. 7.3.5.4.14 PWM0 配置寄存器
          15. 7.3.5.4.15 PWM1 配置寄存器
          16. 7.3.5.4.16 PWM_OUT 寄存器
          17. 7.3.5.4.17 MAP_PWM 寄存器
          18. 7.3.5.4.18 配置 2 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 建议的外部元件
      2. 8.1.2 应用曲线图
    2. 8.2 典型应用
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 封装尺寸兼容性
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.1 绝对最大额定值

在 TJ = -40°C 至 +150°C 范围内，所有电压均以接地为基准，正电流流入引脚（除非另有说明）
最小值最大值单位

VM

模拟电源电压

-0.3

42

V

VDD

数字电源电压

-0.3

5.75

V

VM_LD

负载突降保护的电源电压

42

V

VM_SC

短路保护的电源电压

0

28

V

-VM_REV

反极性电压，所有通道上均为 TJ(0) = 25°C、t ≤ 2 分钟、RL = 70Ω

-

18

V

IVM

流经 VM 引脚的电流，t ≤ 2 分钟

-10

10

mA

|IL|

负载电流，单通道

-

IL_OCP0

A

VDS

功率 FET 处电压

-0.3

42

V

VOUT_S

FET 源极电压

-18

VOUT_D + 0.3

V

VOUT_D

FET 漏极电压 (VOUT_S ≥ 0V)

VOUT_S - 0.3

42

V

VOUT_D

FET 漏极电压 (VOUT_S < 0V)

-0.3

42

V

EAS最大能量耗散单脉冲，TJ(0) = 25°C，IL(0) = 2*IL_EAR

-

50

mJ

EAS最大能量耗散单脉冲，TJ(0) = 150°C，IL(0) = 400mA

-

25

mJ

EAR重复脉冲的最大能量耗散 -IL_EAR，2*106 个周期，TJ(0) = 85°C，IL(0) = IL_EAR

-

10

mJ

VI

IN0、IN1、nSCS、SCLK、SDI 引脚处电压

-0.3

5.75

V

VnSLEEP

nSLEEP 引脚处电压

-0.3

42

V

VSDOSDO 引脚的电压-0.3VDD + 0.3

V

TA

环境温度

-40

125

°C

TJ

结温

-40

150

°C

Tstg贮存温度

-55

150

°C

  • 短路保护功能不支持高于 28V 时短电感 < 1μH。

  • 负载突降的持续时间为 ton = 400ms；ton/toff = 10%；限制为 100 个脉冲。
  • 对于反极性，所有通道上均为 TJ(0) = 25°C、t ≤ 2 分钟、RL = 70Ω。器件根据 JEDEC JESD51-2、-5、-7，在自然对流条件下安装在 FR4 2s2p 电路板上；产品（芯片+封装）在具有 2 个内部铜层（2μm * 70μm Cu、2μm * 35μm Cu）的 76.2mm * 114.3mm * 1.5mm 电路板上进行仿真。在适用情况下，外露焊盘下方的散热过孔阵列接触第一个内部铜层。
  • 对于最大能量耗散，脉冲形状表示电感开关关闭：IL(t) = IL(0) x (1 - t/tpulse)；0 < t < tpulse。
  • 超出“绝对最大额定值”运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出“建议运行条件”但在“绝对最大额定值”范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。
  • 故障条件被视为“超出”正常工作范围。