ZHCSXG8A September 2024 – March 2025 DRV81602-Q1
PRODUCTION DATA
DRV81602-Q1 是一款八通道可配置低侧开关。功率级由 N 沟道 MOSFET 构建。导通状态电阻 RDS(on) 取决于电源电压以及结温 TJ。
有六个自动可配置通道,它们可用作低侧开关或高侧开关。通道根据漏极和源极处的通道电势自动调整诊断和保护功能。对于这些通道,电荷泵连接到输出 MOSFET 栅极。
在高侧配置中,负载连接在 FET 的接地端和源极(引脚 OUTx_S、n = 2...7)之间。FET 的漏极(OUTx_D,“x”等于可配置通道编号)可以连接到接地和 VM 之间的任何电位。当漏极连接到 VM 时,通道的行为类似于高侧开关。
在低侧配置中,功率晶体管的源极必须连接到 GND 引脚电势(直接或通过反向电流阻断二极管)。
可以分别为这些通道中的每个通道选择配置,因此可以在低侧配置中连接一个或多个通道,同时将剩余的自动可配置通道用作高侧开关。