ZHCSV46J July   2007  – June 2025 CDCE925 , CDCEL925

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 EEPROM 规格
    7. 5.7 时序要求：CLK_IN
    8. 5.8 时序要求：SDA/SCL
    9. 5.9 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制终端设置
      2. 7.3.2 默认器件设置
      3. 7.3.3 SDA/SCL 串行接口
      4. 7.3.4 数据协议
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 SDA/SCL 硬件接口
    5. 7.5 编程
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 SDA/SCL 配置寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 展频时钟 (SSC)
        2. 9.2.2.2 PLL 频率规划
        3. 9.2.2.3 晶体振荡器启动
        4. 9.2.2.4 通过晶体振荡器上拉下拉进行频率调节
        5. 9.2.2.5 未使用的输入和输出
        6. 9.2.2.6 在 XO 和 VCXO 模式之间切换
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.3 建议运行条件

最小值 标称值 最大值 单位
VDD 器件电源电压 1.7 1.8 1.9 V
VDDOUT 输出 Yx 电源电压 CDCE925 2.3 3.6 V
CDCEL925 1.7 1.9
VIL 低电平输入电压 LVCMOS 0.3 × VDD V
VIH 高电平输入电压 LVCMOS 0.7 × VDD V
VI(thresh) 输入电压阈值 LVCMOS 0.5 × VDD V
VI(S) 输入电压 S0 0 1.9 V
S1、S2、SDA、SCL；V(Ithresh) = 0.5VDD 0 3.6
VI(CLK) 输入电压，CLK 0 1.9 V
IOH/IOL 输出电流 VDDOUT = 3.3V ±12 mA
VDDOUT = 2.5V ±10
VDDOUT = 1.8V ±8
CL 输出负载 LVCMOS 15 pF
TA 自然通风条件下的工作温度范围 -40 85 °C
晶体和 VCXO(1)
fXtal 晶体输入频率（基本模式） 8 27 32 MHz
ESR 有效串联电阻 100 Ω
fPR 牵引 (0V ≤ VCtrl ≤ 1.8V)(2) ±120 ±150 ppm
VCtrl 频率控制电压 0 VDD V
C0/C1 牵引比 220
CL XIN 和 XOUT 处的片上负载电容 0 20 pF
(1) 有关 VCXO 配置和晶体的更多建议信息，请参阅应用说明 面向 CDCE(L)9xx 系列的 VCXO 应用指南。
(2) 牵引范围取决于晶体类型、片上晶体负载电容和 PCB 杂散电容；最小 ±120ppm 的牵引范围适用于应用说明 面向 CDCE(L)9xx 系列的 VCXO 应用指南 中列出的晶体。