ZHCSQ71A March   2022  – April 2025 CC1311P3

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图 – RGZ 封装（顶视图）
    2. 6.2 信号说明 – RGZ 封装
    3. 6.3 未使用的引脚和模块的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  电源和模块
    5. 7.5  功耗 - 电源模式
    6. 7.6  功耗 - 无线电模式
    7. 7.7  非易失性（闪存）存储器特性
    8. 7.8  热阻特性
    9. 7.9  射频频带
    10. 7.10 861MHz 至 1054MHz - 接收 (RX)
    11. 7.11 861MHz 至 1054MHz - 发送 (TX) 
    12. 7.12 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声宽带模式
    13. 7.13 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声窄带模式
    14. 7.14 359MHz 至 527MHz - 接收 (RX)
    15. 7.15 359MHz 至 527MHz - 发送 (TX) 
    16. 7.16 359MHz 至 527MHz - PLL 相位噪声
    17. 7.17 时序和开关特性
      1. 7.17.1 复位时序
      2. 7.17.2 唤醒时间
      3. 7.17.3 时钟规格
        1. 7.17.3.1 48MHz 晶体振荡器 (XOSC_HF)
        2. 7.17.3.2 48MHz RC 振荡器 (RCOSC_HF)
        3. 7.17.3.3 32.768kHz 晶体振荡器 (XOSC_LF)
        4. 7.17.3.4 32kHz RC 振荡器 (RCOSC_LF)
      4. 7.17.4 同步串行接口 (SSI) 特性
        1. 7.17.4.1 同步串行接口 (SSI) 特性
        2.       38
      5. 7.17.5 UART
        1. 7.17.5.1 UART 特性
    18. 7.18 外设特性
      1. 7.18.1 ADC
        1. 7.18.1.1 模数转换器 (ADC) 特性
      2. 7.18.2 DAC
        1. 7.18.2.1 数模转换器 (DAC) 特性
      3. 7.18.3 温度和电池监测器
        1. 7.18.3.1 温度传感器
        2. 7.18.3.2 电池监测器
      4. 7.18.4 比较器
        1. 7.18.4.1 持续时间比较器
      5. 7.18.5 GPIO
        1. 7.18.5.1 GPIO 直流特性
    19. 7.19 典型特性
      1. 7.19.1 MCU 电流
      2. 7.19.2 RX 电流
      3. 7.19.3 TX 电流
      4. 7.19.4 RX 性能
      5. 7.19.5 TX 性能
      6. 7.19.6 ADC 性能
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  系统 CPU
    3. 8.3  无线电（射频内核）
      1. 8.3.1 专有无线电格式
    4. 8.4  存储器
    5. 8.5  加密
    6. 8.6  计时器
    7. 8.7  串行外设和 I/O
    8. 8.8  电池和温度监测器
    9. 8.9  电压电源域
    10. 8.10 µDMA
    11. 8.11 调试
    12. 8.12 电源管理
    13. 8.13 时钟系统
    14. 8.14 网络处理器
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 参考设计
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
      1. 10.2.1 SimpleLink™ 微控制器平台
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGZ|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.7 非易失性（闪存）存储器特性

在推荐的自然通风条件下的工作温度范围内且 VDDS = 3.0V 的条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
闪存扇区大小 8 KB
发生故障前支持的闪存擦除周期，全存储体(1)(5) 30 k Cycles
发生故障前支持的闪存擦除周期，单扇区(2) 60 k Cycles
擦除扇区前的每行最大写入操作数(3) 83 写入操作
闪存保留 105°C 11.4 年
闪存扇区擦除电流 平均 Δ 电流 9.7 mA
闪存扇区擦除时间(4) 零周期 10 ms
30k 周期 4000 ms
闪存写入电流 平均 Δ 电流，一次 4 个字节 5.3 mA
闪存写入时间(4) 一次 4 个字节 21.6 µs
(1) 一次全存储体擦除被视为每个扇区上的单个擦除周期。
(2) 最多可单独擦除 4 个由客户指定的扇区（在基准存储体上限 30k 次的基础上额外增加 30k 次）
(3) 每条字线的宽度为 2048 位（或 256 字节）。此限值对应于整个字线上每次写入包含最少 4 (3.1) 字节的顺序存储器写入。如果需要对同一个字线执行额外的写入操作，则一旦达到每行的最大写入操作数，就需要执行扇区擦除。
(4) 该数字取决于闪存老化，并随着时间和擦除周期而增加
(5) 在擦除或编程模式期间中止闪存是一种不安全的操作。