ZHCSW11C November   2024  – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
      1. 5.5.1 电源电流
      2. 5.5.2 常见模拟(LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE)
      3. 5.5.3 电池保护(CHG、DSG)
      4. 5.5.4 电池检测输出(BAT_SP、BAT_SN)
      5. 5.5.5 电量监测计测量(ADC、CC、温度)
      6. 5.5.6 闪存存储器
    6. 5.6 数字 I/O:直流特性
    7. 5.7 数字 I/O:计时特点
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  BQ27Z758 处理器
      2. 6.3.2  电池参数测量
        1. 6.3.2.1 库仑计数器 (CC) 和数字滤波器
        2. 6.3.2.2 ADC 多路复用器
        3. 6.3.2.3 模数转换器 (ADC)
        4. 6.3.2.4 内部温度传感器
        5. 6.3.2.5 外部温度传感器支持
      3. 6.3.3  电源控制
      4. 6.3.4  ENAB 引脚
      5. 6.3.5  总线通信接口
      6. 6.3.6  低频振荡器
      7. 6.3.7  高频振荡器
      8. 6.3.8  1.8V 低压降稳压器
      9. 6.3.9  内部基准电压
      10. 6.3.10 放电过流保护
      11. 6.3.11 充电过流保护
      12. 6.3.12 放电短路电流保护
      13. 6.3.13 主要保护特性
      14. 6.3.14 电池检测
      15. 6.3.15 Gas Gauging
      16. 6.3.16 零伏充电 (ZVCHG)
      17. 6.3.17 充电控制特性
      18. 6.3.18 身份验证
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 终身记录特性
      2. 6.4.2 配置
        1. 6.4.2.1 以库仑为单位计
        2. 6.4.2.2 电池电压测量
        3. 6.4.2.3 自动校准
        4. 6.4.2.4 温度测量
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求(默认)
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 更改设计参数
      3. 7.2.3 校准过程
      4. 7.2.4 监测数据更新
        1. 7.2.4.1 应用曲线
      5. 7.2.5 降低 ESD
    3. 7.3 电源要求
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、可订购和封装信息
    1.     封装选项附录
    2. 10.1 卷带包装信息
    3. 10.2 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YAH|15
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

电池保护(CHG、DSG)

保护硬件电路在自然通风条件下的温度范围内运行(除非另有说明)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
N 沟道 FET 驱动器,CHG 和 DSG
VDRIVER 栅极驱动器电压,VCHG 或 VDSG CLOAD = 8nF 2 × VDD V
AFETON FET 驱动器增益系数,连接至 FET 的 Vgs 电压 AFETON = (Vdriver – VDD)/VDD,CLOAD = 8nF,UVP < VDD < 3.8V 0.9 1.0 1.2 V/V
VDSGOFF DSG FET 驱动器关断输出电压 VDSGOFF = VDSG – PACK,CL= 8nF 0.2 V
VCHGOFF CHG FET 驱动器关断输出电压 VCHGOFF = VCHG – VSS,CL= 8nF 0.2 V
trise FET 驱动器上升时间 (1) CL = 8nF,(Vdriver – VDD)/VDD = 1 x VFETON 从 VDD 变为 2 × VDD 400 800 us
tfall FET 驱动器下降时间(1) CL = 8nF,VFETON 从 VFETMAX 变为 VFETOFF 50 200 us
VFET_SHUT 固件 FET 驱动器关断电压(2)(4) 可配置,步长为 1mV 2000 2100 5000 mV
VFET_SHUT_REL 固件 FET 驱动器关断释放(2)(4) 2000 2300 5000 mV
ILOAD FET 驱动器最大负载 10 uA
电压保护
VOVP 硬件过压保护 (OVP) 检测范围(3)

建议的阈值范围。经过出厂修整,步长为 50mV

3500 5000 mV

出厂默认修整阈值(3)

4525
VOVP_ACC 硬件 OVP 检测精度(3) TA = 25°C,充放电时的 CLOAD < 1μA -15 15 mV
TA = 0°C 至 60°C,充放电时的 CLOAD < 1μA -25 25 mV
TA = –40°C 至 85°C,充放电时的 CLOAD < 1μA -50 50 mV
VFW_OVP 固件 OVP 检测范围(4) 可配置,步长为 1mV 2000 4490 5000 mV
VFW_OVP_REL 固件 OVP 释放范围(4) 2000 4290 5000 mV
VUVP 硬件欠压 (UVP) 检测范围(3) 建议的阈值范围。经过出厂修整,步长为 50mV 2000 4000 mV
出厂默认修整阈值(3) 2300
VUVP_ACC 硬件 UVP 检测精度(3) TA = 25°C,充放电时的 CLOAD < 1μA -20 20 mV
TA = 0°C 至 60°C,充放电时的 CLOAD < 1uA -30 30 mV
TA = –40°C 至 85°C,充放电时的 CLOAD < 1uA -50 50 mV
VFW_UVP 固件 UVP 检测范围(4) 可配置,步长为 1mV 2000 2500 5000
VFW_UVP_REL 固件 UVP 释放范围(4) 2000 2900 5000 mV
RPACK-VSS PACK 和 VSS 之间的电阻 仅限关断模式 100 300 550
VRCP 反向充电保护限制 –10V 持续工作电压,绝对最大值 –12V -10 V
电流保护
VOCC 充电过流 (OCC) 的检测电压阈值范围(3)(4)

建议的阈值范围。经过出厂修整,步长为 1mV

4 100 mV
出厂默认修整阈值(3) 14
VOCC OCC 2mV 步长设计选项 2mV 步长配置选项 2 256 mV
IOCC 有效 OCC 电流阈值范围(相对于 VOCC(1)(4) 理想 RSNS = 1mΩ 4 14 100 A
理想 RSNS = 2mΩ 2 7 50
理想 RSNS = 5mΩ 0.8 2.8 20
IFW_OCC 固件 OCC 检测范围(4) 可配置,步长为 1mA 0 12000 +ICC_IN mA
VOCD 放电过流 (OCD) 的检测电压阈值范围(3)(4)

建议的阈值范围。经过出厂修整,步长为 1mV

-4 -100 mV
出厂默认修整阈值(3) -16
VOCD OCD 2mV 步长设计选项 ±2mV 步长配置选项 -2 -256 mV
IOCD 有效 OCD 电流阈值范围(相对于 VOCD(1)(4) 理想 RSNS = 1mΩ -4 -16 -100 A
理想 RSNS = 2mΩ -2 -8 -50
理想 RSNS = 5mΩ -0.8 -3.2 -20
IFW_OCD 固件 OCD 检测范围(4) 可配置,步长为 1mA –ICC_IN -7000 0 mA
VSCD 放电短路电流 (SCD) 的检测电压阈值范围(3)(4) 阈值经过出厂修整,步长为 1mV -5 -120 mV
出厂默认修整阈值(3) -20
ISCD 有效 SCD 电流阈值范围(相对于 VSCD(1)(4) 理想 RSNS = 1mΩ -5 -20 -120 A
理想 RSNS = 2mΩ -2.5 -10 -60
理想 RSNS = 5mΩ -1 -4 -24
VOC_ACC 过流(OCC、OCD、SCD)检测精度(3) <20mV,TA = –25°C 至 60°C -2.1 2.1 mV
<20mV -2.1 2.1
20mV–55mV -3 3
56mV–100mV -5 5
>100mV -12 12
IPACK-VDD 电流故障期间 PACK 和 VDD 之间的灌电流 固件中的负载移除检测
15 μA
VOC_REL OCC 故障释放阈值 (VPACK – VBAT) 100 mV
OCD、SCD 故障释放阈值 -400 mV
过热保护
TOTC_TRIP OTC 跳变/释放阈值(2)(4) 基于固件并可配置,步长为 0.1°C -40.0 55.0 150.0 °C
TOTC_REL -40.0 50.0 150.0 °C
TOTD_TRIP OTD 跳变/释放阈值(2)(4) -40.0 60.0 150.0 °C
TOTD_REL -40.0 55.0 150.0 °C
TUTC_TRIP UTC 跳变/释放阈值(2)(4) -40.0 0.0 150.0 °C
TUTC_REL -40.0 5.0 150.0 °C
TUTD_TRIP UTD 跳变/释放阈值(2)(4) -40.0 0.0 150.0 °C
TUTD_REL -40.0 5.0 150.0 °C
保护延迟(1)
tOVP OVP 检测延迟(去抖)选项(1)(4) 支持 4095 种延迟选项配置,步长为 1.953ms。出厂默认值 = 1000ms(512 个计数)典型值 1.953 1000 7998 ms
tUVP UVP 检测延迟(去抖)选项(1)(4) 支持 127 种延迟选项配置,步长为 1.953ms。出厂默认值 = 127ms(65 个计数)典型值 1.953 127 248 ms
tOCC OCC 检测延迟(去抖)选项(1)(4) 支持 31 种延迟选项配置,步长为 1.953ms。出厂默认值 = 7.8ms(4 个计数)典型值 1.953 7.8 60.5 ms
tOCD OCD 检测延迟(去抖)选项(1)(4) 支持 255 种延迟选项配置,步长为 0.244ms。出厂默认值 = 15.9ms(65 个计数)典型值 0.244 15.9 62.3 ms
tSCD SCD 检测延迟(去抖)选项(1)(4) 支持七种延迟选项配置,步长为 122µs。出厂默认值 = 244µs(2 个计数)典型值 122 244 854 µs
TOTC_DLY OTC 跳变延迟(2)(4) 基于固件并可配置,步长为 1s。典型值为数据闪存出厂默认值。 0 2 255 s
TOTD_DLY OTD 跳变延迟(2)(4) 0 2 255 s
TUTC_DLY UTC 跳变延迟(2)(4) 0 2 255 s
TUTD_DLY UTD 跳变延迟(2)(4) 0 2 255 s
零伏(低压)充电
V0CHGR 启动零伏充电所需的充电器电压 V0CHGR = VPACK – VSS 1.6 V
根据设计确定。未经生产测试。
基于固件的参数。未经生产测试。
精度由出厂修整在指定的默认阈值下确保。如果更改默认阈值,则需要现场进行器件校准。请参阅 BQ27Z746R1 和 BQ27Z758 技术参考手册
指定的典型值为出厂默认值。未经生产测试。可以在 FULL ACCESS 模式下更改数据闪存配置值并将其锁定在 SEALED 模式。请参阅 BQ27Z746R1 和 BQ27Z758 技术参考手册