ZHCSW11C November   2024  – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
      1. 5.5.1 电源电流
      2. 5.5.2 常见模拟（LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE）
      3. 5.5.3 电池保护（CHG、DSG）
      4. 5.5.4 电池检测输出（BAT_SP、BAT_SN）
      5. 5.5.5 电量监测计测量（ADC、CC、温度）
      6. 5.5.6 闪存存储器
    6. 5.6 数字 I/O：直流特性
    7. 5.7 数字 I/O：计时特点
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  BQ27Z758 处理器
      2. 6.3.2  电池参数测量
        1. 6.3.2.1 库仑计数器 (CC) 和数字滤波器
        2. 6.3.2.2 ADC 多路复用器
        3. 6.3.2.3 模数转换器 (ADC)
        4. 6.3.2.4 内部温度传感器
        5. 6.3.2.5 外部温度传感器支持
      3. 6.3.3  电源控制
      4. 6.3.4  ENAB 引脚
      5. 6.3.5  总线通信接口
      6. 6.3.6  低频振荡器
      7. 6.3.7  高频振荡器
      8. 6.3.8  1.8V 低压降稳压器
      9. 6.3.9  内部基准电压
      10. 6.3.10 放电过流保护
      11. 6.3.11 充电过流保护
      12. 6.3.12 放电短路电流保护
      13. 6.3.13 主要保护特性
      14. 6.3.14 电池检测
      15. 6.3.15 Gas Gauging
      16. 6.3.16 零伏充电 (ZVCHG)
      17. 6.3.17 充电控制特性
      18. 6.3.18 身份验证
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 终身记录特性
      2. 6.4.2 配置
        1. 6.4.2.1 以库仑为单位计
        2. 6.4.2.2 电池电压测量
        3. 6.4.2.3 自动校准
        4. 6.4.2.4 温度测量
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求（默认）
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 更改设计参数
      3. 7.2.3 校准过程
      4. 7.2.4 监测数据更新
        1. 7.2.4.1 应用曲线
      5. 7.2.5 降低 ESD
    3. 7.3 电源要求
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、可订购和封装信息
    1.     封装选项附录
    2. 10.1 卷带包装信息
    3. 10.2 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YAH|15
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

5.5.2 常见模拟（LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE）

除非另有说明，否则特性是在 TA = –40℃ 至 85℃ 的条件下记录的
参数测试条件最小值典型值最大值单位
内部 1.8V LDO (REG18)
VREG18 稳压器输出电压 1.6 1.8 2.0 V
ΔVREG18TEMP 稳压器输出随温度的变化 ΔVBAT/ΔTA，IREG18 = 10mA -1.2% +1.2%
ΔVREG18LINE 线路调整 -0.8% 0.8%
ΔVREG18LOAD 负载调整率 IREG18 = 16mA -1.5% 1.5%
ISHORT 短路电流限制 VREG18 = 0V 18 60 mA
PSRRREG18 电源抑制比 ΔVBAT/ΔVREG18，IREG18 = 10mA，VBAT > 2.5V，f = 10Hz 50 dB
VPORth POR 阈值 上升阈值 1.55 1.65 1.75 V
VPORhy POR 迟滞 0.1 V
VENAB LDO 的 ENAB 导通电压 (1) 低电平有效下降阈值 0.4 V
RENAB ENAB 引脚上拉电阻 (1) 内部上拉至 VDD 0.7 1 1.3 MΩ
VSTARTUP LDO 的最小 PACK 引脚导通电压 (1) 2 V
低频内部振荡器 (LFO)
fLFO LFO 运行频率 正常运行模式 65.536 kHz
fLFO(ERR) LFO 频率误差 -2.5% +2.5%
fLFO32 LFO 运行频率 低功耗模式 32.768 kHz
fLFO32(ERR) LFO 频率误差 -5% +5%
高频内部振荡器 (HFO)
fHFO HFO 运行频率 16.78 MHz
fHFO(ERR) HFO 频率误差 TA = -20°C 至 70°C -2.5% 2.5%
TA = -40°C 至 85°C -3.5% 3.5%
tHFOSTART HFO 启动时间 TA = –40°C 至 85°C，CLKCTL[HFRAMP] = 1，振荡器频率在标称频率的 +/–3% 范围内或上电复位 4 ms
基准电压 1 (VREF1)
VREF1 内部基准电压 REF1 用于保护电路、LDO 和 CC 1.195 1.21 1.227 V
VREF1_DRIFT 内部基准电压漂移 -80 +80 PPM/°C
基准电压 2 (VREF2)
VREF2 内部基准电压 REF2 用于 ADC 1.2 1.21 1.22 V
VREF2_DRIFT 内部基准电压漂移 -20 +20 PPM/°C
唤醒比较器 (I-WAKE)
VWAKE 将电量监测计从低功耗状态唤醒的检测电阻器电压阈值范围(2) 500µV 步长。数据闪存固件默认值为 2mV（典型值） -1.5 -2.0 -2.5 mV
IWAKE 有效唤醒电流阈值范围 理想 RSNS = 1mΩ -1000 -3000 mA
理想 RSNS = 2mΩ -500 -1500
理想 RSNS = 5mΩ -200 -600
VWAKE_ACC 唤醒检测精度(2) -250 250 µV
tWAKE I-WAKE 检测延迟选项(1) 支持两种延迟选项配置。数据闪存固件默认值为 12ms（典型值） 9.6 12 14.4 ms
19.2 24 28.8
(1) 根据设计确定
(2) 数据闪存可配置为 FULL ACCESS 模式并锁定为 SEALED。精度经出厂修整认证，符合指定默认阈值标准。如果更改了出厂阈值，则需要现场进行器件校准。