ZHCSW11C November 2024 – September 2025 BQ27Z758
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| I2C 时序 - 100kHz | ||||||
| fSCL | 时钟工作频率 | SCL 占空比 = 50% | 100 | kHz | ||
| tHD:STA | START 条件保持时间 | 4.0 | µs | |||
| tLOW | SCL 时钟的低电平周期 | 4.7 | µs | |||
| tHIGH | SCL 时钟的高电平周期 | 4.0 | µs | |||
| tSU:STA | 建立重复启动 | 4.7 | µs | |||
| tHD:DAT | 数据保持时间(SDA 输入) | 0 | ns | |||
| tSU:DAT | 数据设置时间(SDA 输入) | 250 | ns | |||
| tr | 时钟上升时间 | 10% 至 90% | 1000 | ns | ||
| tf | 时钟下降时间 | 90% 至 10% | 300 | ns | ||
| tSU:STO | 建立时间停止条件 | 4.0 | µs | |||
| tBUF | 停止和启动之间的总线空闲时间 | 4.7 | µs | |||
| I2C 时序 – 400kHz | ||||||
| fSCL | 时钟工作频率 | SCL 占空比 = 50% | 400 | kHz | ||
| tHD:STA | START 条件保持时间 | 0.6 | µs | |||
| tLOW | SCL 时钟的低电平周期 | 1.3 | µs | |||
| tHIGH | SCL 时钟的高电平周期 | 600 | ns | |||
| tSU:STA | 建立重复启动 | 600 | ns | |||
| tHD:DAT | 数据保持时间(SDA 输入) | 0 | ns | |||
| tSU:DAT | 数据设置时间(SDA 输入) | 100 | ns | |||
| tr | 时钟上升时间 | 10% 至 90% | 300 | ns | ||
| tf | 时钟下降时间 | 90% 至 10% | 300 | ns | ||
| tSU:STO | 建立时间停止条件 | 0.6 | µs | |||
| tBUF | 停止和启动之间的总线空闲时间 | 1.3 | µs | |||
| HDQ 时序 | ||||||
| tB | 中断时间 | 190 | µs | |||
| tBR | 中断恢复时间 | 40 | µs | |||
| tHW1 | 主机写入 1 次 | 主机驱动 HDQ | 0.5 | 50 | µs | |
| tHW0 | 主机写入 0 次 | 主机驱动 HDQ | 86 | 145 | µs | |
| tCYCH | 主机到器件的周期时间 | 器件驱动 HDQ | 190 | µs | ||
| tCYCD | 器件到主机的周期时间 | 器件驱动 HDQ | 190 | 205 | 250 | µs |
| tDW1 | 器件写入 1 次 | 器件驱动 HDQ | 32 | 50 | µs | |
| tDW0 | 器件写入 0 次 | 器件驱动 HDQ | 80 | 145 | µs | |
| tRSPS | 器件响应时间 | 器件驱动 HDQ | 190 | 950 | µs | |
| tTRND | 主机周转时间 | 主机在器件驱动 HDQ 后驱动 HDQ | 250 | µs | ||
| tRISE | HDQ 线上升到逻辑 1 的时间 | 1.8 | µs | |||
| tRST | HDQ 复位 | 器件复位前,主机将 HDQ 驱动为低电平 | 2.2 | s | ||
图 5-1 I2C 时序
图 5-2 HDQ 时序