ZHCSW11C November   2024  – September 2025 BQ27Z758

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
      1. 5.5.1 电源电流
      2. 5.5.2 常见模拟(LDO、LFO、HFO、REF1、REF2、I-WAKE)
      3. 5.5.3 电池保护(CHG、DSG)
      4. 5.5.4 电池检测输出(BAT_SP、BAT_SN)
      5. 5.5.5 电量监测计测量(ADC、CC、温度)
      6. 5.5.6 闪存存储器
    6. 5.6 数字 I/O:直流特性
    7. 5.7 数字 I/O:计时特点
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  BQ27Z758 处理器
      2. 6.3.2  电池参数测量
        1. 6.3.2.1 库仑计数器 (CC) 和数字滤波器
        2. 6.3.2.2 ADC 多路复用器
        3. 6.3.2.3 模数转换器 (ADC)
        4. 6.3.2.4 内部温度传感器
        5. 6.3.2.5 外部温度传感器支持
      3. 6.3.3  电源控制
      4. 6.3.4  ENAB 引脚
      5. 6.3.5  总线通信接口
      6. 6.3.6  低频振荡器
      7. 6.3.7  高频振荡器
      8. 6.3.8  1.8V 低压降稳压器
      9. 6.3.9  内部基准电压
      10. 6.3.10 放电过流保护
      11. 6.3.11 充电过流保护
      12. 6.3.12 放电短路电流保护
      13. 6.3.13 主要保护特性
      14. 6.3.14 电池检测
      15. 6.3.15 Gas Gauging
      16. 6.3.16 零伏充电 (ZVCHG)
      17. 6.3.17 充电控制特性
      18. 6.3.18 身份验证
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 终身记录特性
      2. 6.4.2 配置
        1. 6.4.2.1 以库仑为单位计
        2. 6.4.2.2 电池电压测量
        3. 6.4.2.3 自动校准
        4. 6.4.2.4 温度测量
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求(默认)
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 更改设计参数
      3. 7.2.3 校准过程
      4. 7.2.4 监测数据更新
        1. 7.2.4.1 应用曲线
      5. 7.2.5 降低 ESD
    3. 7.3 电源要求
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、可订购和封装信息
    1.     封装选项附录
    2. 10.1 卷带包装信息
    3. 10.2 机械数据

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YAH|15
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

数字 I/O:计时特点

参数测试条件最小值标称值最大值单位
I2C 时序 - 100kHz
fSCL时钟工作频率SCL 占空比 = 50%100kHz
tHD:STASTART 条件保持时间4.0µs
tLOWSCL 时钟的低电平周期4.7µs
tHIGHSCL 时钟的高电平周期4.0µs
tSU:STA建立重复启动4.7µs
tHD:DAT数据保持时间(SDA 输入)0ns
tSU:DAT数据设置时间(SDA 输入)250ns
tr时钟上升时间10% 至 90%1000ns
tf时钟下降时间90% 至 10%300ns
tSU:STO建立时间停止条件4.0µs
tBUF停止和启动之间的总线空闲时间4.7µs
I2C 时序 – 400kHz
fSCL时钟工作频率SCL 占空比 = 50%400kHz
tHD:STASTART 条件保持时间0.6µs
tLOWSCL 时钟的低电平周期1.3µs
tHIGHSCL 时钟的高电平周期600ns
tSU:STA建立重复启动600ns
tHD:DAT数据保持时间(SDA 输入)0ns
tSU:DAT数据设置时间(SDA 输入)100ns
tr时钟上升时间10% 至 90%300ns
tf时钟下降时间90% 至 10%300ns
tSU:STO建立时间停止条件0.6µs
tBUF停止和启动之间的总线空闲时间1.3µs
HDQ 时序
tB中断时间190µs
tBR中断恢复时间40µs
tHW1主机写入 1 次主机驱动 HDQ0.550µs
tHW0主机写入 0 次主机驱动 HDQ86145µs
tCYCH主机到器件的周期时间器件驱动 HDQ190µs
tCYCD器件到主机的周期时间器件驱动 HDQ190205250µs
tDW1器件写入 1 次器件驱动 HDQ3250µs
tDW0器件写入 0 次器件驱动 HDQ80145µs
tRSPS器件响应时间器件驱动 HDQ190950µs
tTRND主机周转时间主机在器件驱动 HDQ 后驱动 HDQ250µs
tRISEHDQ 线上升到逻辑 1 的时间1.8µs
tRSTHDQ 复位器件复位前,主机将 HDQ 驱动为低电平2.2s
BQ27Z758 I2C 时序图 5-1 I2C 时序
BQ27Z758 HDQ 时序图 5-2 HDQ 时序