ZHCSIH7 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RSN|32
- MPQF194D

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

RSN|32
- QFND189F

订购信息

8.5 电气特性

测试条件为：T_J = -40°C 至 125°C（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
V_{INPUT_OP}	输入电压工作范围		3.5		26	V
调节精度
最大系统电压调节
V_{SYSMAX_RNG}	系统电压调节，在 V_SYS 上测量（禁用充电）		1.024		19.2	V
V_{SYSMAX_ACC}	系统电压调节精度（禁用充电）	REG0x15() = 0x41A0H (16.800V)		V_SRN + 160mV		V
		REG0x15() = 0x41A0H (16.800V)	-2%		2%
		REG0x15() = 0x3138H (12.600V)		V_SRN + 160mV		V
		REG0x15() = 0x3138H (12.600V)	-2%		2%
		REG0x15() = 0x20D0H (8.400V)		V_SRN + 160mV		V
		REG0x15() = 0x20D0H (8.400V)	–3%		3%
		REG0x15() = 0x1068H (4.200V)		V_SRN + 160mV		V
		REG0x15() = 0x1068H (4.200V)	–3%		3%
最小系统电压调节
V_{SYSMIN_RNG}	系统电压调节，在 V_SYS 上测量		1.024		19.2	V
V_{SYSMIN_REG_ACC}	最小系统电压调节精度（VBAT 低于 REG0x3E() 设置）	REG0x3E() = 0x3000H		12.288		V
			-2%		2%
		REG0x3E() = 0x2400H		9.216		V
			-2%		2%
		REG0x3E() = 0x1800H		6.144		V
			–3%		3%
		REG0x3E() = 0x0E00H		3.584		V
			–3%		3%
充电电压调节
V_{BAT_RNG}	电池电压调节		1.024		19.2	V
V_{BAT_REG_ACC}	电池电压调节精度（充电启用）（0°C 至 85°C）	REG0x15() = 0x41A0H		16.8		V
			–0.5%		0.5%
		REG0x15() = 0x3138H		12.6		V
			–0.5%		0.5%
		REG0x15() = 0x20D0H		8.4		V
			–0.6%		0.6%
		REG0x15() = 0x1068H		4.2		V
			–1.1%		1.2%
快速充电中的充电电流调节
V_{IREG_CHG_RNG}	充电电流调节差分电压范围	V_{IREG_CHG} = V_SRP –_VSRN	0		81.28	mV
I_{CHRG_REG_ACC}	充电电流调节精度 10mΩ 检测电阻，VBAT 高于 REG0x3E() 设置（0°C 至 85°C）	REG0x14() = 0x1000H		4096		mA
		REG0x14() = 0x1000H	–3%		2%
		REG0x14() = 0x0800H		2048		mA
		REG0x14() = 0x0800H	–4%		3%
		REG0x14() = 0x0400H		1024		mA
		REG0x14() = 0x0400H	-5%		6%
		REG0x14() = 0x0200H		512		mA
		REG0x14() = 0x0200H	–12%		12%
LDO 模式下的充电电流调节
I_CLAMP	预充电电流钳位	2 至 4 节串联电池		384		mA
		单节电池，VSRN < 3V		384		mA
		单节电池，3V < VSRN < VSYSMIN		2		A
I_{PRECHRG_REG_ACC}	使用 10mΩ SRP/SRN 串联电阻、VBAT 低于 REG0x3E() 设置（0°C 至 85°C）时的预充电电流调节精度	REG0x14() = 0x0180H		384		mA
		2S-4S	-15%		15%
		1S	–25%		25%
		REG0x14() = 0x0100H		256		mA
		2S-4S	-20%		20%
		1S	-35%		35%
		REG0x14() = 0x00C0H		192		mA
		2S-4S	–25%		25%
		1S	-50%		50%
		REG0x14() = 0x0080H		128		mA
		2S-4S	–30%		30%
I_{LEAK_SRP_SRN}	SRP、SRN 漏电流失配（0°C 至 85°C）		–12		10	µA
输入电流调节
V_{IREG_DPM_RNG}	输入电流调节差分电压范围	V_{IREG_DPM} = V_ACP – V_ACN	0.5		64	mV
I_{DPM_REG_ACC}	使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻时的输入电流调节精度（-40°C 至 105°C）	REG0x3F() = 0x5000H	3800	3900	4000	mA
		REG0x3F() = 0x3C00H	2800	2900	3000	mA
		REG0x3F() = 0x1E00H	1300	1400	1500	mA
		REG0x3F() = 0x0A00H	300	400	500	mA
I_{LEAK_ACP_ACN}	ACP、ACN 漏电流失配（-40°C 至 105°C）		–16		10	µA
V_{IREG_DPM_RNG_ILIM}	输入电流调节的电压范围（ILIM_HIZ 引脚）		1.15		4	V
I_{DPM_REG_ACC_ILIM}	ILIM_HIZ 引脚上的输入电流调节精度 V_{ILIM_HIZ} = 1V + 40 × I_DPM × R_AC，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻	V_{ILIM_HIZ} = 2.6V	3800	4000	4200	mA
		V_{ILIM_HIZ} = 2.2V	2800	3000	3200	mA
		V_{ILIM_HIZ} = 1.6V	1300	1500	1700	mA
		V_{ILIM_HIZ} = 1.2V	300	500	700	mA
I_{LEAK_ILIM}	ILIM_HIZ 引脚漏电流		-1		1	µA
输入电压调节
V_{IREG_DPM_RNG}	输入电压调节范围	VBUS 上的电压	3.2		19.52	V
V_{DPM_REG_ACC}	输入电压调节精度	REG0x3D()=0x3C80H		18688		mV
			–3%		2%
		REG0x3D()=0x1E00H		10880		mV
			–4%		2.5%
		REG0x3D()=0x0500H		4480		mV
			-5%		5%
OTG 电流调节
V_{IOTG_REG_RNG}	OTG 输出电流调节差分电压范围	V_{IOTG_REG} = V_ACP – V_ACN	0		81.28	mV
I_{OTG_ACC}	使用 50mA LSB 和 10mΩ ACP/ACN 串联电阻时的 OTG 输出电流调节精度	REG0x3C() = 0x3C00H	2800	3000	3200	mA
		REG0x3C() = 0x1E00H	1300	1500	1700	mA
		REG0x3C() = 0x0A00H	300	500	700	mA
OTG 电压调节
V_{OTG_REG_RNG}	OTG 电压调节范围	VBUS 上的电压	3		20.8	V
V_{OTG_REG_ACC}	OTG 电压调节精度	REG0x3B() = 0x23F8H REG0x32[2] = 0		20.002		V
			-2%		2%
		REG0x3B() = 0x1710H REG0x32[2] = 1		12.004		V
			-2%		2%
		REG0x3B() = 0x099CH REG0x32[2] = 1		5.002		V
			–3%		3%
基准和缓冲器
REGN 稳压器
V_{REGN_REG}	REGN 稳压器电压 (0mA – 60mA)	V_VBUS = 10V	5.7	6	6.3	V
V_DROPOUT	压降模式下的 REGN 电压	V_VBUS = 5V，I_LOAD = 20mA	3.8	4.3	4.6	V
I_{REGN_LIM_Charging}	启用转换器时的 REGN 电流限制	V_VBUS = 10V，强制 V_REGN =4V	50	65		mA
C_REGN	需要 REGN 输出电容器来实现稳定性	I_LOAD = 100µA 至 50mA	2.2			µF
C_VDDA	需要 REGN 输出电容器来实现稳定性	I_LOAD = 100µA 至 50mA	1			µF
静态电流
I_{BAT_BATFET_ON}	由电池供电的系统。BATFET 开启。I_SRN + I_SRP + I_SW2 + I_BTST2 + I_SW1 + I_BTST1 + I_ACP + I_ACN + I_VBUS + I_VSYS	VBAT = 18V，REG0x12[15] = 1，在低功耗模式下		22	45	µA
		VBAT = 18V，REG0x12[15] = 1，REG0x30[13] = 1，REGN 关闭		125	195	µA
		VBAT = 18V，REG0x12[15] = 0，REG0x30[12] = 0，REGN 开启，DIS_PSYS		880	1170	µA
		VBAT = 18V，REG0x12[15] = 0，REG0x30[12] = 1，REGN 开启，EN_PSYS		980	1270	µA
I_{AC_SW_LIGHT_buck}	降压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，I_VBUS + I_ACP + I_ACN + I_VSYS + I_SRP + I_SRN + I_SW1 + I_BTST + I_SW2 + I_BTST2	VIN = 20V，VBAT = 12.6V，3s，REG0x12[10] = 0；MOSFET Qg = 4nC		2.2		mA
I_{AC_SW_LIGHT_boost}	升压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，I_VBUS + I_ACP + I_ACN + I_VSYS + I_SRP + I_SRN + I_SW1 + I_BTST2 + I_SW2 + I_BTST2	VIN = 5V，VBAT = 8.4V，2s，REG0x12[10] = 0；MOSFET Qg = 4nC		2.7		mA
I_{AC_SW_LIGHT_buckboost}	降压/升压模式下 PFM 期间的输入电流，无负载，I_VBUS + I_ACP + I_ACN + I_VSYS + I_SRP + I_SRN + I_SW1 + I_BTST1 + I_SW2 + I_BTST2	VIN = 12V，VBAT = 12V，REG0x12[10] = 0；MOSFET Qg = 4nC		2.4		mA
I_{OTG_STANDBY}	OTG 模式下 PFM 期间的静态电流 I_VBUS + I_ACP + I_ACN + I_VSYS + I_SRP + I_SRN + I_SW1 + I_BTST2 + I_SW2 + I_BTST2	VBAT = 8.4V，VBUS = 5V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC		3		mA
		VBAT = 8.4V，VBUS = 12V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC		4.2		mA
		VBAT = 8.4V，VBUS = 20V，800kHz 开关频率，MOSFET Qg = 4nC		6.2		mA
V_{ACP/N_OP}	输入共模范围	ACP/ACN 上的电压	3.8		26	V
V_{IADPT_CLAMP}	I_ADPT 输出钳位电压		3.1	3.2	3.3	V
I_IADPT	I_ADPT 输出电流				1	mA
A_IADPT	输入电流检测增益	V_(IADPT) / V_(ACP-ACN)，REG0x12[4] = 0		20		V/V
A_IADPT	输入电流检测增益	V_(IADPT) / V_(ACP-ACN)，REG0x12[4] = 1		40		V/V
V_{IADPT_ACC}	输入电流监控器精度	V_(ACP-ACN) = 40.96mV	-2%		2%
		V_(ACP-ACN) = 20.48mV	–3%		3%
		V_(ACP-ACN) =10.24mV	–6%		6%
		V_(ACP-ACN) = 5.12mV	-10%		10%
C_{IADPT_MAX}	IADPT 引脚的最大电容				100	pF
V_{SRP/N_OP}	电池共模范围	SRP/SRN 上的电压	2.5		18	V
V_{IBAT_CLAMP}	IBAT 输出钳位电压		3.05	3.2	3.3	V
I_IBAT	IBAT 输出电流				1	mA
A_IBAT	IBAT 引脚上的充电和放电电流检测增益	V_(IBAT) / V_(SRN-SRP)，REG0x12[3] = 0，		8		V/V
A_IBAT	IBAT 引脚上的充电和放电电流检测增益	V_(IBAT) / V_(SRN-SRP)，REG0x12[3] = 1，		16		V/V
I_{IBAT_CHG_ACC}	IBAT 引脚上的充电和放电电流监控器精度	V_(SRN-SRP) = 40.96mV	-2%		2%
		V_(SRN-SRP) = 20.48mV	–4%		4%
		V_(SRN-SRP) =10.24mV	–7%		7%
		V_(SRN-SRP) = 5.12mV	-15%		15%
C_{IBAT_MAX}	IBAT 引脚处的最大电容				100	pF
系统功率检测放大器
V_PSYS	PSYS 输出电压范围		0		3.3	V
I_PSYS	PSYS 输出电流		0		160	µA
A_PSYS	PSYS 系统增益	V_(PSYS) / (P_(IN) +P_(BAT))，REG0x30[9] = 1		1		µA/W
V_{PSYS_ACC}	PSYS 增益精度 (REG0x30[9] = 1)	仅适用于系统电源 = 19.5V / 45W、TA = -40°C 至 85°C 的适配器	–4%		4%
V_{PSYS_ACC}	PSYS 增益精度 (REG0x30[9] = 1)	仅适用于系统电源 = 11V / 44W、TA = -40°C 至 85°C 的电池	–3%		3%
V_{PSYS_CLAMP}	PSYS 钳位电压		3		3.3	V
比较器
VBUS 欠压锁定比较器
V_{VBUS_UVLOZ}	VBUS 欠压上升阈值	VBUS 上升	2.30	2.55	2.80	V
V_{VBUS_UVLO}	VBUS 欠压下降阈值	VBUS 下降	2.18	2.40	2.62	V
V_{VBUS_UVLO_HYST}	VBUS 欠压迟滞			150		mV
V_{VBUS_CONVEN}	VBUS 转换器使能上升阈值	VBUS 上升	3.2	3.5	3.9	V
V_{VBUS_CONVENZ}	VBUS 转换器使能下降阈值	VBUS 下降	2.9	3.2	3.5	V
V_{VBUS_CONVEN_HYST}	VBUS 转换器使能迟滞			400		mV
电池欠压锁定比较器
V_{VBAT_UVLOZ}	VBAT 欠压上升阈值	VSRN 上升	2.35	2.55	2.75	V
V_{VBAT_UVLO}	VBAT 欠压下降阈值	VSRN 下降	2.2	2.4	2.6	V
V_{VBAT_UVLO_HYST}	VBAT 欠压迟滞			150		mV
V_{VBAT_OTGEN}	VBAT OTG 使能上升阈值	VSRN 上升	3.25	3.55	3.85	V
V_{VBAT_OTGENZ}	VBAT OTG 使能下降阈值	VSRN 下降	2.2	2.4	2.6	V
V_{VBAT_OTGEN_HYST}	VBAT OTG 使能迟滞			1100		mV
VBUS 欠压比较器（OTG 模式）
V_{VBUS_OTG_UV}	VBUS 欠压下降阈值	以 REG0x3B() 的百分比表示		85		%
t_{VBUS_OTG_UV}	VBUS 欠压抗尖峰脉冲时间			7		ms
VBUS 过压比较器（OTG 模式）
V_{VBUS_OTG_OV}	VBUS 过压上升阈值	以 REG0x3B() 的百分比表示		110		%
t_{VBUS_OTG_OV}	VBUS 过压抗尖峰脉冲时间			10		ms
预充电到快速充电转换
V_{BAT_SYSMIN_RISE}	LDO 模式至快速充电模式阈值，VSRN 上升	以 0x3E() 的百分比表示	98	100	102	%
V_{BAT_SYSMIN_FALL}	LDO 模式至快速充电模式阈值，VSRN 下降	以 0x3E() 的百分比表示		97.5		%
V_{BAT_SYSMIN_HYST}	快速充电模式至 LDO 模式阈值迟滞	以 0x3E() 的百分比表示		2.5		%
电池 LOWV 比较器（1S 的预充电至快速充电阈值）
V_{BATLV_FALL}	BATLOWV 下降阈值	1s		2.8		V
V_{BATLV_RISE}	BATLOWV 上升阈值			3		V
V_{BATLV_RHYST}	BATLOWV 迟滞			200		mV
输入过压比较器 (ACOVP)
V_{ACOV_RISE}	VBUS 过压上升阈值	VBUS 上升	25	26	27	V
V_{ACOV_FALL}	VBUS 欠压下降阈值	VBUS 下降	23.5	24.5	25	V
V_{ACOV_HYST}	VBUS 过压迟滞			1.5		V
t_{ACOV_RISE_DEG}	VBUS 抗尖峰脉冲过压上升	VBUS 转换器上升到停止转换器		100		µs
t_{ACOV_FALL_DEG}	VBUS 抗尖峰脉冲过压下降	VBUS 转换器下降以启动转换器		1		ms
输入过流比较器 (ACOC)
V_ACOC	ACP 至 ACN 上升阈值，基准为REG0x33[15:11] 中的 ILIM2	输入检测电阻两端的电压上升，REG0x31[2] = 1	1.8	2	2.2
V_{ACOC_FLOOR}	在 ACP 和 ACN 之间进行测量	将 IDPM 设置为最小值	44	50	56	mV
V_{ACOC_CEILING}	在 ACP 和 ACN 之间进行测量	将 IDPM 设置为最大值	172	180	188	mV
t_{ACOC_DEG_RISE}	上升抗尖峰脉冲时间	触发 ACOC 的抗尖峰脉冲时间		250		µs
t_{ACOC_RELAX}	放松时间	转换器再次启动之前的放松时间		250		ms
系统过压比较器 (SYSOVP)
V_{SYSOVP_RISE}	关闭转换器的系统过压上升阈值	1s	4.85	5	5.1	V
		2s	11.7	12	12.2	V
		3s，4s	19	19.5	20	V
V_{SYSOVP_FALL}	系统欠压下降阈值	1s		4.8		V
		2s		11.5		V
		3s，4s		19		V
I_SYSOVP	触发 SYSOVP 停止开关时的放电电流	在 SYS 上		20		mA
BAT 过压比较器 (BATOVP)
V_{BATOVP_RISE}	过压上升阈值占 REG0x15() 中 VBAT_REG 的百分比	1s，4.2V	102.5	104	106	%
		2s - 4s	102.5	104	105	%
V_{BATOVP_FALL}	过压下降阈值占 REG0x15() 中 VBAT_REG 的百分比	1s	100	102	104	%
		2s - 4s	100	102	103	%
V_{BATOVP_HYST}	过压迟滞占 REG0x15() 中 VBAT_REG 的百分比	1s		2		%
		2s - 4s		2		%
I_BATOVP	BATOVP 期间的放电电流	在 VSYS 引脚上		20		mA
t_{BATOVP_RISE}	关闭 BATDRV 以禁用充电的过压上升抗尖峰脉冲			20		ms
转换器过流比较器 (Q2)
VOCP_limit_Q2	转换器过流限制	REG0x31[5] = 1		150		mV
VOCP_limit_Q2	转换器过流限制	REG0x31[5] = 0		210		mV
VOCP_limit_SYSSHORT_Q2	系统短路或 SRN < 2.4V	REG0x31[5] = 1		45		mV
VOCP_limit_SYSSHORT_Q2	系统短路或 SRN < 2.4V	REG0x31[5] = 0		60		mV
转换器过流比较器 (ACX)
VOCP_limit_ACX	转换器过流限制	REG0x31[4] = 1		150		mV
VOCP_limit_ACX	转换器过流限制	REG0x31[4] = 0		280		mV
VOCP_limit_SYSSHORT_ACX	系统短路或 SRN < 2.4V	REG0x31[4] = 1		90		mV
VOCP_limit_SYSSHORT_ACX	系统短路或 SRN < 2.4V	REG0x31[4] = 0		150		mV
热关断比较器
T_{SHUT_RISE}	热关断上升温度	温度升高		155		°C
T_{SHUTF_FALL}	热关断下降温度	温度降低		135		°C
T_{SHUT_HYS}	热关断迟滞			20		°C
t_{SHUT_RDEG}	热抗尖峰脉冲关断上升			100		µs
t_{SHUT_FHYS}	热抗尖峰脉冲关断下降			12		ms
VSYS PROCHOT 比较器
VSYS_TH1	VSYS_TH1 比较器下降阈值	REG0x33[7:4] = 0111，2s - 4s		6.6		V
VSYS_TH1	VSYS_TH1 比较器下降阈值	REG0x33[7:4] = 0100，1s		3.5		V
VSYS_TH2	VSYS_TH2 比较器下降阈值	REG0x33[3:2] = 10，2s - 4s		6.5		V
VSYS_TH2	VSYS_TH2 比较器下降阈值	REG0x33[3:2] = 10，1s		3.5		V
t_{SYS_PRO_falling_DEG}	用于节流的 V_SYS 下降抗尖峰脉冲			4		µs
ICRIT PROCHOT 比较器
V_{ICRIT_PRO}	用于节流的输入电流上升阈值以比 ILIM2 (REG0x33[15:11]) 高 10% 表示	仅当 ILIM2 设置高于 2A 时	105	110	117	%
INOM PROCHOT 比较器
V_{INOM_PRO}	INOM 上升阈值以比 IIN (REG0x3F()) 高 10% 表示		105	110	116	%
IDCHG PROCHOT 比较器
V_{IDCHG_PRO}	IDSCHG 6A 节流的 IDCHG 阈值	REG0x34[15:10] = 001100		6272		mA
V_{IDCHG_PRO}	IDSCHG 6A 节流的 IDCHG 阈值	REG0x34[15:10] = 001100	95		103	%
独立比较器
V_{INDEP_CMP}	独立比较器阈值	REG0x30[7] = 1，CMPIN 下降	1.17	1.2	1.23	V
V_{INDEP_CMP}	独立比较器阈值	REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降	2.27	2.3	2.33	V
V_{INDEP_CMP_HYS}	独立比较器迟滞	REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降		100		mV
功率 MOSFET 驱动器
PWM 振荡器和斜坡
F_SW	PWM 开关频率	REG0x12[9] = 0	1020	1200	1380	kHz
		REG0x12[9] = 1	680	800	920	kHz
BATFET 栅极驱动器 (BATDRV)
V_{BATDRV_ON}	BATFET 上的栅极驱动电压		8.5	10	11.5	V
V_{BATDRV_DIODE}	理想二极管运行期间 BATFET 上的漏源电压			30		mV
R_{BATDRV_ON}	通过向 BATDRV 提供 10µA 电流进行测量		2.5	4	6	kΩ
R_{BATDRV_OFF}	通过从 BATDRV 灌入 10µA 电流进行测量			1.2	2.1	kΩ
PWM 高侧驱动器 (HIDRV Q1)
R_{DS_HI_ON_Q1}	高侧驱动器 (HSD) 导通电阻	V_BTST1 - V_SW1 = 5V		6		Ω
R_{DS_HI_OFF_Q1}	高侧驱动器关断电阻	V_BTST1 - V_SW1 = 5V		1.3	2.2	Ω
V_{BTST1_REFRESH}	自举刷新比较器下降阈值电压	当请求低侧刷新脉冲时 V_BTST1 - V_SW1	3.2	3.7	4.6	V
PWM 高侧驱动器 (HIDRV Q4)
R_{DS_HI_ON_Q4}	高侧驱动器 (HSD) 导通电阻	V_BTST2 - V_SW2 = 5V		6		Ω
R_{DS_HI_OFF_Q4}	高侧驱动器关断电阻	V_BTST2 - V_SW2 = 5V		1.5	2.4	Ω
V_{BTST2_REFRESH}	自举刷新比较器下降阈值电压	当请求低侧刷新脉冲时 V_BTST2 - V_SW2	3.1	3.7	4.5	V
PWM 低侧驱动器 (LODRV Q2)
R_{DS_LO_ON_Q2}	低侧驱动器 (LSD) 导通电阻	V_BTST1 - V_SW1 = 5.5V		6		Ω
R_{DS_LO_OFF_Q2}	低侧驱动器关断电阻	V_BTST1 - V_SW1 = 5.5V		1.7	2.6	Ω
PWM 低侧驱动器 (LODRV Q3)
R_{DS_LO_ON_Q3}	低侧驱动器 (LSD) 导通电阻	V_BTST2 - V_SW2 = 5.5V		7.6		Ω
R_{DS_LO_OFF_Q3}	低侧驱动器关断电阻	V_BTST2 - V_SW2 = 5.5V		2.9	4.6	Ω
充电使能期间的内部软启动
SSSTEP_DAC	软启动步长			64		mA
SSSTEP_DAC	软启动步长时间			8		µs
集成 BTST 二极管 (D1)
V_{F_D1}	正向偏置电压	25°C 时 IF = 20mA		0.8		V
V_{R_D1}	反向击穿电压	25°C 时 IR = 2µA			20	V
集成 BTST 二极管 (D2)
V_{F_D2}	正向偏置电压	25°C 时 IF = 20mA		0.8		V
V_{R_D2}	反向击穿电压	25°C 时 IR = 2µA			20	V
接口
逻辑输入（SDA、SCL、OTG/VAP）
V_{IN_ LO}	输入低阈值	SMBus			0.8	V
V_{IN_ HI}	输入高阈值	SMBus	2.1			V
逻辑输出开漏（SDA、CHRG_OK、CMPOUT）
V_{OUT_LO}	输出饱和电压	5mA 漏极电流			0.4	V
V_{OUT_ LEAK}	漏电流	V = 7V	-1		1	µA
逻辑输出开漏 SDA
V_{OUT_ LO_SDA}	输出饱和电压	5mA 漏极电流			0.4	V
V_{OUT_ LEAK_SDA}	漏电流	V = 7V	-1		1	µA
逻辑输出开漏 CHRG_OK
V_{OUT_ LO_CHRG_OK}	输出饱和电压	5mA 漏极电流			0.4	V
V_{OUT_ LEAK _CHRG_OK}	漏电流	V = 7V	-1		1	µA
逻辑输出开漏 CMPOUT
V_{OUT_ LO_CMPOUT}	输出饱和电压	5mA 漏极电流			0.4	V
V_{OUT_ LEAK _CMPOUT}	漏电流	V = 7V	-1		1	µA
逻辑输出开漏 (PROCHOT)
V_{OUT_ LO_PROCHOT}	输出饱和电压	50Ω 上拉至 1.05V/5mA			300	mV
V_{OUT_ LEAK_PROCHOT}	漏电流	V = 5.5V	-1		1	µA
模拟输入 (ILIM_HIZ)
V_{HIZ_ LO}	退出 HIZ 模式的电压	ILIM_HIZ 引脚上升	0.8			V
V_{HIZ_ HIGH}	启用 HIZ 模式的电压	ILIM_HIZ 引脚下降			0.4	V
模拟输入 (CELL_BATPRESZ)
V_{CELL_4S}	4S	REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示	68.4	75		%
V_{CELL_3S}	3S	REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示	51.7	55	65	%
V_{CELL_2S}	2S	REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示	35	40	49.1	%
V_{CELL_1S}	1S	REGN 的 REGN = 6V，以百分比形式表示	18.4	25	31.6	%
V_{CELL_BATPRESZ_RISE}	存在电池	CELL_BATPRESZ 上升	18			%
V_{CELL_BATPRESZ_FALL}	电池被移除	CELL_BATPRESZ 下降			15	%