ZHCSXP9A March   2020  – January 2025 BQ24800

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 器件上电
        1. 6.3.1.1 仅电池
        2. 6.3.1.2 适配器检测和 ACOK 输出
          1. 6.3.1.2.1 适配器过压 (ACOV)
        3. 6.3.1.3 REGN LDO
      2. 6.3.2 系统电源选择
      3. 6.3.3 电流和功率监控器
        1. 6.3.3.1 高精确度电流检测放大器（IADP 和 IDCHG）
        2. 6.3.3.2 高精度功率检测放大器 (PMON)
      4. 6.3.4 CPU 节流的处理器热量指示
      5. 6.3.5 输入电流动态电源管理
        1. 6.3.5.1 设置输入电流限制
      6. 6.3.6 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      7. 6.3.7 EMI 开关频率调节
      8. 6.3.8 器件保护功能
        1. 6.3.8.1 充电器超时
        2. 6.3.8.2 输入过流保护 (ACOC)
        3. 6.3.8.3 充电过流保护 (CHG_OCP)
        4. 6.3.8.4 电池过压保护 (BATOVP)
        5. 6.3.8.5 电池短路
        6. 6.3.8.6 热关断保护 (TSHUT)
        7. 6.3.8.7 电感器短路，MOSFET 短路保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 降压模式下的电池充电
        1. 6.4.1.1 设置充电电流
        2. 6.4.1.2 设置充电电压
        3. 6.4.1.3 自动内部软启动充电器电流
      2. 6.4.2 混合动力升压模式
      3. 6.4.3 仅电池升压模式
        1. 6.4.3.1 在仅电池升压模式下设置最小系统电压
      4. 6.4.4 混合升压模式和仅电池升压模式下的电池放电电流调节
      5. 6.4.5 电池 LEARN 周期
      6. 6.4.6 转换器工作模式
        1. 6.4.6.1 连续导通模式 (CCM)
        2. 6.4.6.2 不连续导通模式 (DCM)
        3. 6.4.6.3 非同步模式和轻负载比较器
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 SMBus 接口
        1. 6.5.1.1 SMBus 写入字和读取字协议
        2. 6.5.1.2 时序图
    6. 6.6 寄存器映射
      1. 6.6.1  电池充电器命令
      2. 6.6.2  设置充电器选项
        1. 6.6.2.1 ChargeOption0 寄存器
      3. 6.6.3  ChargeOption1 寄存器
      4. 6.6.4  ChargeOption2 寄存器
      5. 6.6.5  ChargeOption3 寄存器
      6. 6.6.6  ProchotOption0 寄存器
      7. 6.6.7  ProchotOption1 寄存器
      8. 6.6.8  ProchotStatus 寄存器
      9. 6.6.9  充电电流寄存器
      10. 6.6.10 充电电压寄存器
      11. 6.6.11 放电电流寄存器
      12. 6.6.12 最小系统电压寄存器
      13. 6.6.13 输入电流寄存器
      14. 6.6.14 寄存器异常
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 典型系统原理图
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  适配器电流检测滤波器
          2. 7.2.1.2.2  负极输出电压保护
          3. 7.2.1.2.3  反向输入电压保护
          4. 7.2.1.2.4  降低电池静态电流
          5. 7.2.1.2.5  CIN 电容
          6. 7.2.1.2.6  L1 电感器选择
          7. 7.2.1.2.7  CBATT 电容
          8. 7.2.1.2.8  降压充电内部补偿
          9. 7.2.1.2.9  CSYS 电容
          10. 7.2.1.2.10 仅电池升压内部补偿
          11. 7.2.1.2.11 功率 MOSFET 选择
          12. 7.2.1.2.12 输入滤波器设计
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 从以前的器件迁移（不支持仅电池升压）
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
          1. 7.2.2.2.1 CSYS 电容
        3. 7.2.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
      1. 9.2.1 电流路径的布局注意事项
      2. 9.2.2 短路保护的布局注意事项
      3. 9.2.3 短路保护的布局注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6.6 ProchotOption0 寄存器

图 6-10 ProchotOption0 寄存器 (0x3C)
15141312111098
保留ILIM2_VTH[3:0]ICRIT_DEG保留
RR/WR/WR
76543210
VBATT_VTH[1:0]EN_PROCHOT_EXTPROCHOT_WIDTH[1:0]PROCHOT_CLEARINOM_DEGINOM_VTH
R/WR/WR/WR/WR/WR/W
说明：R/W = 读取/写入；R = 只读；-n = 复位后的值
表 6-10 ProchotOption0 寄存器 (0x3C)
位位名称说明
[15]保留0 - 保留
[14:11]峰值适配器电流限制
(ILIM2_VTH)		ILIM2 阈值占 REG0x3F() 中 DPM 的百分比。在 250% 的设置下，当 IDPM 超过 3.648A 时，将 ILIM2 钳制到 IDPM 的 230%。
电流在 ACP 和 ACN 之间的 RAC 上测量。ICRIT 设置为 ILIM2 的 110%。
0001 - 1001：110% - 150%，阶跃 5%
1001：150%，1010：160%，1011：170%，1100：180%，1101：200%，1110：220%；1111：250%
默认值 150% (1001)
[10:9]ICRIT 抗尖峰脉冲时间
(ICRIT_DEG)		典型 ICRIT 抗尖峰脉冲时间。
00：10µs
01：100µs（POR 时的默认值）
10：400µs
11：800µs
[8]保留0 - 保留
[7:6]电池电压阈值
(VBATT_VTH)		触发 PROCHOT 的电池电压阈值。
使用固定的 20µs 抗尖峰脉冲时间测量 SRN。当 SRN 电压低于阈值时触发。
如果 REG0x15() 编程为低于 VBATT 阈值，建议不要在 PROCHOT 配置中启用 VBATT。
00：5.75V
01：6.00V（POR 时的默认值）
10：6.25V
11：6.50V
[5]PROCHOT 脉冲扩展启用
(EN_PROCHOT_EXT)		启用脉冲扩展后，保持 PROCHOT 引脚电压为低电平，直到主机写入 0x3C[2] = 0。
0：禁用脉冲扩展（POR 时的默认值）
1：启用脉冲扩展
[4:3]PROCHOT 脉冲宽度
(PROCHOT_WIDTH[1:0])		当 REG0x3C[5] = 0 时的 PROCHOT 脉冲宽度最小
00：100µs
01：1ms
10：10ms（POR 时的默认值）
11：5ms
[2]PROCHOT 脉冲清除
(PROCHOT_CLEAR)		当 (0x3C[5] = 1) 时清除 PROCHOT 脉冲。
0：清除 PROCHOT 脉冲并将 PROCHOT 引脚驱动为高电平
1：空闲（POR 时的默认值）
[1]INOM 抗尖峰脉冲时间
(INOM_DEG)		最大 INOM 抗尖峰脉冲时间。INOM 阈值为 REG0x3F() 中的 DPM 的 110%。测量 ACP 和 ACN 之间的电流。当电流高于此阈值时触发。
0：1ms（最大值）（POR 时的默认值）
1：15ms（最大值）
[0]INOM 阈值
(INOM_VTH)		INOM 电流阈值占 REG0x3F() 中 DPM 的百分比。
0：110%（POR 时的默认值）
1：106%