ZHCSRH1 january   2023 BQ21080

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 热性能信息
    4. 7.4 建议运行条件
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
      1. 8.1.1 电池充电过程
        1. 8.1.1.1 涓流充电
        2. 8.1.1.2 预充电
        3. 8.1.1.3 快速充电
        4. 8.1.1.4 终止
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  基于输入电压的动态电源管理 (VINDPM)
      2. 8.3.2  动态电源路径管理模式 (DPPM)
      3. 8.3.3  电池补充模式
      4. 8.3.4  SYS 电源控制（SYS_MODE 位控制）
        1. 8.3.4.1 SYS 下拉控制
      5. 8.3.5  SYS 调节
      6. 8.3.6  ILIM 控制
      7. 8.3.7  保护机制
        1. 8.3.7.1 输入过压保护
        2. 8.3.7.2 电池欠压锁定
        3. 8.3.7.3 系统过压保护
        4. 8.3.7.4 系统短路保护
        5. 8.3.7.5 电池过流保护
        6. 8.3.7.6 安全计时器和看门狗计时器
        7. 8.3.7.7 过热保护和热调节
      8. 8.3.8  按钮唤醒和复位输入
        1. 8.3.8.1 按钮唤醒或按钮短按功能
        2. 8.3.8.2 按钮复位或按钮长按功能
      9. 8.3.9  面向硬件复位的 15 秒超时
      10. 8.3.10 硬件复位
      11. 8.3.11 软件复位
      12. 8.3.12 中断指示器 (/INT) 引脚
      13. 8.3.13 外部 NTC 监控 (TS)
        1. 8.3.13.1 TS 偏置和功能
      14. 8.3.14 I2C 接口
        1. 8.3.14.1 F/S 模式协议
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 寄存器映射
      1. 8.5.1 I2C 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 输入 (IN/SYS) 电容器
        2. 9.2.2.2 TS
        3. 9.2.2.3 推荐的无源器件
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.7.7 过热保护和热调节

在运行过程中，为了防止器件因过热而损坏，会监控裸片的结温 TJ。当 TJ 达到 TSHUT_RISING 时，器件停止充电操作，并且 VSYS 关闭。如果在向器件（电池或适配器）供电之前 TJ > TSHUT_RISING，无论 TSMR 引脚如何，输入 FET 和 BATFET 都不会导通。此后，当温度降至低于 TSHUT_FALLING 时，如果存在 VIN 或处于仅电池模式，器件将自动上电。

在充电过程中，为了防止器件过热，器件会监控裸片的结温，并在 TJ 达到热调节阈值 (TREG) 时根据 THERM_REG 设置所设置的位减小充电电流。如果充电电流降至 0，则电池会提供为 SYS 输出供电所需的电流。可通过 I2C 禁用热调节。

确保系统功率损耗在器件的限制范围内。可以使用以下公式计算器件的功率损耗：

PDISS = PSYS + PBAT

其中：

PSYS = (VIN – VSYS) * IIN

PBAT = (VSYS – VBAT) * IBAT

可使用以下公式，根据预期的电路板性能估算裸片结温 TJ：

TJ = TA + θJA * PDISS

θJA 在很大程度上取决于电路板布局布线。更多有关新旧热指标的信息，请参阅 IC 封装热指标应用报告。在典型条件下，处于这种状态的时间非常短。